- •1. Классификация частотных диапазонов
- •4. Основные типы линий передач.
- •Прямоугольный волновод
- •5. Реализация пассивных элементов на короткозамкнутых и разомкнутых отрезках линий.
- •7. Биполярный транзистор. Структура транзистора. Время задержки сигнала в биполярном транзисторе свч диапазона.
- •8. Полевой транзистор. Структура транзистора. Принцип работы. Граничная частота транзистора.
- •9. Эквивалентная схема биполярного транзистора на свч.
- •10. Эквивалентная схема полевого транзистора на свч.
- •14. Усилители мощности на транзисторах.
- •Роль основных функциональных элементов схемы заключается в следующем:
- •15. Основные параметры и характеристики усилителей мощности.
- •16, 17. Интермодуляционные искажения и Параметры р1дБ и ip3
- •19. Цепи смещения.
- •20. Цепи питания.
- •23. Инвертирующие и трансформирующие цепи согласования.
- •25. Квадратурный мост.
- •26. Синфазный мост.
- •28. Гетеропереходы. Понятие о сверхинжекции и двумерном электронном газе. Усилители на гетеропереходах.
- •29. Варикапы и варакторы. Характеристики. Эквивалентные схемы. Справочные параметры.
- •30. Принцип работы варакторного умножителя частоты.
- •31. Лавинно-пролетные диоды. Принцип работы лпд.
- •32. Эквивалентная схема лпд и топология глпд.
- •33. Диоды Ганна. Принцип работы. Генератор на диоде Ганна.
- •34. Pin диоды. Эквивалентная схема. Области применения и характеристики.
- •35. Клистроны. Устройство и принцип работы 2-х резонаторного клистрона.
- •36. Клистроны. Энергетические соотношения и характеристики клистрона. Область применения и параметры.
- •37. Лбв. Устройство и принцип работы лбв. Условие синхронизма. Пространственные гармоники.
- •38. Лбв Энергетические характеристики лбв. Понятие об амплитудно-фазовой конверсии.
36. Клистроны. Энергетические соотношения и характеристики клистрона. Область применения и параметры.
при расчете энергетических характеристик сделаем следующие упрощающие допущения [15]:
плотность объемного заряда мала;
взаимодействие электронов внутри пакетов незначительно;
углы пролета электронами пространств взаимодействия практически нулевые;
амплитуда напряжения СВЧ сигнала на емкостном зазоре входного резонатора существенно меньше напряжения питания: U1<<Е0.
Скорость электронов на входе в дрейфовое пространство определяется выражением . Поскольку U1<<Е0, выражение можно упростить, разложив подкоренное выражение в ряд Тейлора по степеням отношения U1<<Е0 и ограничиваясь только линейными членами разложения: .
Если принять скорость электронов в дрейфовом пространстве неизменной и равной той, с которой электроны входят в него, то время пролета ими дрейфового пространства с учетом последнего соотношения определяется как ,где l - длина дрейфового пространства.
Из выражения следует, что электрон, пролетевший емкостный зазор первого резонатора в момент времени t, достигнет второго резонатора в момент времени
Если среднее значение тока в электронном пучке равно I0, то за время t…t+dt в дрейфовое пространство влетят электроны, имеющие суммарный заряд dq=I0dt.
Если пренебречь оседанием электронов на стенках дрейфового пространства, то этот же заряд dq должен попасть в емкостный зазор второго резонатора в интервал времени .
Пусть высокочастотное напряжение на емкостном зазоре выходного резонатора сдвинуто по фазе относительно напряжения на первом резонаторе на угол φ и суммарное напряжение на нем в момент t' будет: , где U2 - амплитуда напряжения СВЧ сигнала на емкостном зазоре второго резонатора.
Поскольку высокочастотное напряжение на зазоре второго резонатора для электронов является тормозящим, то заряд dq отдаст в выходном резонаторе часть своей энергии: .
Учитывая, что dq=I0dt, а также последнее выражение, последнее соотношение которого можно преобразовать к виду ,где - средний угол пролета электронами дрейфового пространства в отсутствие высокочастотного напряжения в первом резонаторе.
В соответствии, средняя мощность, отдаваемая в выходной резонатор за период высокочастотных колебаний Т=1/f:
Переходя в последнем выражении к новой переменной , раскладывая подынтегральное выражение как синус суммы двух углов и и преобразуем последнее выражение к виду, более удобному для анализа:
Интеграл является функцией Бесселя первого рода, первого порядка от аргумента .
Окончательно для выходной мощности генератора на пролетном клистроне из (6.7) получим выражение , где - функция Бесселя первого рода, первого порядка.
Максимум Р1 достигается, когда аргумент синуса будет равен π/2, т. е. при
Физический смысл состоит в том, что φ - это фазовый сдвиг напряжения на емкостном зазоре выходного резонатора и2(t) относительно напряжения СВЧ сигнала на зазоре входного резонатора и1(t), при котором ток в выходном резонаторе оказывается в противофазе с действующим на нем напряжением. При работе клистрона такой фазовый сдвиг устанавливается автоматически, если резонаторы клистрона настроены на рабочую частоту, а напряжение питания Е0 и длина дрейфового пространства l выбраны с учетом соотношения.
Максимальное значение функции Бесселя первого порядка равно 0.584 при значении аргумента .
С другой стороны, выходную мощность генератора можно записать в виде ,где - амплитуда первой гармоники тока, наводимого в выходном резонаторе сгруппированным электронным пучком.
Связь между постоянной составляющей тока электронного луча I0 и амплитудой первой гармоники ;
Амплитуда первой гармоники тока в пролетном клистроне оказывается значительно меньше аналогичной амплитуды при косинусоидальном импульсе с углом отсечки 90° в транзисторах. Это объясняется тем, что не все электроны в таком простейшем пролетом клистроне группируются в сгустки, что, кстати, видно из пространственно-временной диаграммы, приведенной на рис.6,б. Из рисунка видно, что хорошо группируются только электроны, попавшие в первый резонатор в полупериод ускоряющего напряжения, электроны же, попавшие в тормозящий полупериод, практически не участвуют в образовании сгустков. Это объясняет и невысокий предельный электронный КПД клистронных генераторов:
В действительности КПД оказывается еще в 2-3 раза меньше, чем найденный по формуле, так как практически всегда . Кроме того, в реальных условиях часть электронов оседает на емкостных зазорах резонаторов и стенках дрейфового пространства. Полный КПД, учитывающий потери во входном и выходном резонаторах, а также затраты на формирование электронного луча, оказывается еще ниже.