- •Прохождение сигналов через линейные цепи.
- •Характеристики этих сигналов.
- •П рохождение линейных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Прохождение импульсных сигналов через простейшие rc-цепи.
- •Связь между fн и спадом плоской вершины.
- •Связь между fв и tф.
- •Полупроводники.
- •Чем обусловлен ток в полупроводнике:
- •Эквивалентная схема замещения диода.
- •Упрощенная схема замещения.
- •Условное обозначение транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзистора.
- •Дифференциальные малосигнальные параметры транзистора.
- •Малосигнальная т-образная схема замещения транзистора (для переменного сигнала).
- •Связь н-параметров с физическими параметрами т-образной схемы замещения.
- •Частотные свойства транзисторов.
- •Предельные эксплутационные параметры транзистора.
- •Электрические параметры:
- •Назначение элементов:
- •Расчет по постоянному току.
- •Расчет каскада по переменному току.
- •Входная цепь.
- •В ыходная цепь.
- •Расчет по переменному току.
- •Э квивалентная схема замещения
- •Эквивалентная cхема
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах.
- •Малосигнальная модель полевого транзистора.
- •Э квивалентная схема полевого транзистора для малого переменного сигнала.
- •Общий эмиттер
- •Помехоустойчивость ключа – инвертора
- •Расчет элементов связи в транзисторных ключах
- •Первый случай
- •Второй случай
- •Ключ на биполярном кремниевом транзисторе с непосредственной связью
- •Переходные процессы при открывании ключа
- •Способы повышения быстродействия Применение ускоряющего конденсатора.
- •Применение нелинейной обратной связи
- •Достоинства кспт:
- •С точки зрения схемотехники:
- •Главный недостаток кспт:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы в моп ключе с резистивной нагрузкой.
- •Моп ключ с нелинейной нагрузкой.
- •Переходные процессы.
- •Ключевой элемент на взаимодополняющих (комплементарных) транзисторах мдп (кмдп).
- •Условия работы схемы:
- •Передаточная характеристика:
- •Переходные процессы.
- •Самая быстродействующая схема.
- •Обозначения:
- •Основные параметры логических схем:
- •Ттл схема со сложным инвертором.
- •Статический режим работы:
- •Передаточная характеристика:
- •Входная характеристика:
- •Характеристика потребления:
- •Выходные характеристики:
- •Модификация ттл элементов.
- •Ттлш (быстродействующая схема Шоттки).
- •Д остоинства:
- •Недостатки:
- •Область применения:
- •Недостатки:
- •Схемы с тремя состояниями.
- •Работа ттл на емкостной нагрузке.
- •Токовый ключ.
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •Логика “или”. (т1-1, т1-2, . . . . , т1-m)
- •Передаточная характеристика:
- •Особенности вентеля (инвертора):
- •Упрощенная схема “или-не”.
- •Реальная схема, реализующая две операции: “или-не”,”и”.
- •Условные обозначения:
- •Достоинства схем и2л:
- •Недостатки схем и2л:
- •Эквивалентная схема замещения:
- •Достоинства:
- •Классификация
- •Асинхронные rs-триггеры
- •Асинхронные rs-триггеры на элементах и-не
- •Тактируемый rs-триггер.
- •Тактируемый d-триггер
- •Псевдодвухтактовый rs-триггер (ms-триггер)
- •Универсальный jk-триггер
- •Назначение триггеров
- •Регистр заполнения
- •Счетчик
- •Реверсивный счетчик
- •Условное обозначение
- •Основные параметры
- •Основные схемы применения Инвертирующий усилитель
- •Практические замечания.
Расчет по переменному току.
Полевые транзисторы.
Т ранзисторы
Б иполярные Полевые
с управляющим p-n переходом металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
металл-окись-полупроводник (МОЛ)
с индуцированием со встроенным каналом
Полевые транзисторы с управляющим переходом
S – площадь поперечного
сечения канала
- удельное сопротивление
L - длина
Ic = Ucn / Rканала
Rканала = / S
|Uзn| Dp-n S Rкан Ic
Up-n.u
= з
– u
= |u=0|
= Uз
Up-n.c
= Uзи – Ucи(насыщения)
= U0
Ucи (насыщения) – напряжение на стоке, при котором происходит перекрытие канала
Uзи – Ucи (насыщения) = U0 ток через канал прекращается.
Uзи=0
Uзи<0
[(Uз – U0)Uc – ½ Uc2]; Ucи< Uзи–U0 - для крутой плоскости
Ic =
1/2(Uз – U0)2; Ucи> Uзu – U0 - для пологой плоскости
= [мA / B2] - приведенная крутизна
Э квивалентная схема замещения
- n-канальный
- p-канальный
МДП-транзисторы (МОП)
Металл-диэлектрик-полупроводник
с индуцированным каналом со встроенным каналом
З и П представляют собой плоский конденсатор.
Напряженность
поля вблизи U и С разная
Напряженность вблизи С
меньше, т.к. действует напряжение
Uc>0
При увеличении Uс,
канал на стоке
при Uс
происходит смыкание канала.
Uзи4>0
Uзи3>0
Uзи2>0
Uзи1=Uc
МДП-транзисторы со встроенным каналом.
Uзи>0
Uзи=0
Uзи<0
При Uзu Sканала Rканала Ic
Uзu<0 дырки пойдут к каналу Sканала R Ic
При каком-то U0 происходит полное перекрытие канала.
Полевые транзисторы – полупроводниковые приборы, управляемые напряжением, в отличие
от биполярных, которые управляются зарядом (током).
[(Uз – U0)Uc – ½ Uc2] , Ucu<Uзu – U0 крутая область
½ (Uз – U0)2 , Ucu>Uзu – U0 пологая область
Эквивалентная cхема
n-канальный p-канальный
со встроенным каналом.
Усилительные каскады на полевых транзисторах.
R1,
R2 –
подают потенциал на затвор
з =
CP1
– чтобы не было связи по постоянному
току между генератором и каскадом.
СР2 – чтобы не было
связи по постоянному току между
генератором и нагрузкой
Каскад переворачивает фазу
Схема для расчета каскада по постоянному току
Uзu
= E3
Ec
= IcRc
+ Ucи(Ic)
нелинейная функция
Ic
= ½ (U3
– U0)2
- для пологой области
находим IcА;
UзuА
; UcuА
увеличение напряжения и изменения фазы.
Ic = IcА +Ic (постоянная и переменная составляющие)
Ucи= UcиА +Ucи
I cА Ie
Ec Uвх~
UcА Uc