- •1. Особенности кристаллического строения твёрдых тел. Монокристаллы.
- •2. Правило фаз Гиббса. Однокомпонентная система.
- •3. Уравнение Клайперона – Клаузиуса. Анализ уравнения.
- •7. Диаграммы плавкости бинарных систем с химическими соединениями в твердой фазе.
- •8. Кристалло- физические методы получения сверхчистых металлов.
- •12. Термоэлектрические явления в проводниках.
- •18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
- •19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
- •20. Пьезоэлектрики. Пьезоэлектрический эффект. Применение.
- •Физическая химия.
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3.4. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. 4.Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •5. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •6. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •7. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов
- •8. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •9. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •10.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •11.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •12. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •13.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •14. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. 15.Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •Физ. Электроника
- •Термоэлектронная эмиФссия
- •Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
- •Термокатоды
- •2. Фотоэлектронная эмиссия
- •3. Вторичная электронная эмиссия
- •4. Движение электронов в вакууме в режимеобъемного заряда.
- •5. Триоды
- •Многоэлектродные лампы
- •6. Электронная оптика.
- •Электронные линзы
- •Электростатические линзы
- •Магнитные линзы
- •Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов
- •7. Приемные электронно-лучевые трубки
- •8. Электровакуумные приборы диапазонасверхвысоких частот Особенности движения электронов в свч полях
- •9. Типы столкновения электронов с тяжелыми частицами.
- •Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
- •Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
- •11. Понятие газового усиления.
- •12. Виды самостоятельных разрядов
- •13. Газоразрядная плазма
- •15. Механизмы пробоя n-р перехода
- •16. Биполярные транзисторы
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
18. Поляризация диэлектрических материалов. Механизмы.
Поляризация – состояние диэлектрика, характеризующееся наличием эл. Момента у любого элемента его объёма. Способность поляризоваться в эл. Поле характеризуется диэлектрич. Проницаемостью: , С0 – в вакууме. , - абсолют. диэлектр. проницаемость.
Механизмы поляризации:
1. Электр. Поляризация – упругое смещение эл. Оболочек атомов и ионов под действием эл. Поля. Наблюд. У всех видов диэлектриков.
2. Ионная. Характеристика для твёрдых тел с ионным строением; обусловлена смещением упруго – связанных ионов на расстоянии меньше периода решётки. С ↑ Т при этом виде полр – ии расстояние ионов ↑ из – за теплового расширения. Это сопровождается упругой связью между ионами и ↑ поляризации диэлектриков.
3. Дипольно – релаксационная отличается от эл. – ионной тем, что дипольные молекулы хаотично ориентированы в кристалле. Под действием эл. Поля частично ориентированы вдоль него. С изменением Тмежплоскостноые силы ↓, но ↑ хаотичность движения молекулы. Т ослабляет ориентир. Действие поля. Эта поляризация связана с потерями или нагревом диэлектрика. После снятия поля молекула релаксирует, т. Е. возвращ. В исходное положение. Время релаксации – время, в течение которого ориентированность диполей после снятия поля ↓ в е раз
4. Ионно – релаксационная. Наблюдается у ионных диэлектриков с неплотной упаковкой ионов. В этом случае слабо связаные ионы под действием эл. Поля получают избыточные перебросы и смещение расстояния, превышающее постоянные решётки. После снятия эл. Поля ионы постепенно возвращ. К центрам равновесия.Ε ↑ быстро вместе с ↑ Т.
5. Электронно – релаксационная возникает засчёт возбуждения тепловой энергии избыточных дефектных электронов и дырок. Большое значение ε и max на температурной зависимости.
6. Резонансная наблюдается в диэлектриках на световых частотах, т. Е. происходит поглощение эл. Поля при совпадении частоты поля с собственной частотой электронов и ионов. При резонансе сильно ↑ поглощение эл. – магнитной энергии.
7. Миграционная. Проявляется в твёрдых телах неоднородной структуры при макроскопической неоднородности и при наличии примеси.
8. Спонтанная существует только у определённых диэлектриков, например, у сегнетоэлектриков.
19. Сегнетоэлектрики. Классификация. Применение. Свойства.
Сегнетоэлектрики – вещества, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля. В отсутствие внешнего эл. поля они, как правило, имеют доменную структуру. Домены представляют собой макроскорические области, обладающие спонтанной поляризацией, которая возникает под влиянием внутренних процессов в диэлектрике. Направления электрич. Моментов у разных доменов различно. Внешнее эл. поле изменяет направления электрич. Моментов доменов, что создаёт эффект очень сильной поляризации. Этим объясняются свойственные сегнетоэлектрикам сверхвысокие значения диэлектрической проницаемости (до сотен тыс.). В процессе нагревания выше некоторой температуры происходит распад доменной структуры и сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. Температура такого фазового перехода называется сегнетоэлектрическая точка Кюри. В точке Кюри спонтанная поляризованность исчезает, а диэлектрическая проницаемость достигает своего максимального значения.
Классификация сегнетоэлектриков:
По типу химической связи: ионные кристаллы и дипольные кристаллы.
Применение:
1.изготовление малогабаритных низкочастотных конденсаторов большой удельной ёмкостью;
2. использование материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других устройств;
3. использование сегнетоэлементов в счётно- вычислительной технике в качестве ячеек памяти;
4.использование кристаллов сегнето – и антисегнетоэлектриков для модуляции и преобразования лазерного излучения;
5. изготовление пьезоэлектрических и пироэлектрических преобразователей.