- •210414 – Техническое обслуживание и ремонт
- •Энергетическая диаграмма твердого тела
- •Энергетическая диаграмма твердого тела выглядит:
- •Ширина запрещенной зоны влияет на электропроводность:
- •2 Внутреннее строение полупроводников
- •2.1 Примесная проводимость полупроводника
- •2.1.1 Донорная (электронная) проводимость
- •2.1.2 Акцепторная (дырочная) проводимость
- •2.2 Токи в полупроводниках
- •2.2.1 Дрейфовый ток
- •2.2.2 Диффузионный ток
- •3 Контактные явления
- •3.1.1Обратное включение p-n перехода
- •3.1.2 Прямое включение p-n перехода
- •3.1.3 Вольт-амперная характеристика перехода Выпрямляющий и омический контакты
- •3.2 Емкости p-n перехода
- •3.2.1 Барьерная емкость
- •3.2.2 Диффузионная емкость
- •3.3 Пробой p-n перехода
- •Обратная ветвь вах при пробое:
- •Виды пробоев:
- •3.3.1 Тепловой пробой
- •3.3.2 Электрический пробой
- •А) Лавинный пробой
- •Б) Туннельный пробой
- •Механизм туннельного пробоя:
- •4 Внутренний и внешний фотоэффект
- •4.1 Внутренний фотоэффект
- •4.2 Внешний фотоэффект
- •5.2 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •5.3 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •5.4 Буквенно-цифровое обозначение стабилитронов бцо стабилитронов состоит из четырех элементов:
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •6.2 Лазеры на гетероструктурах
- •Применение гетеропереходов:
- •6.3 Применение лазеров
- •7 Транзисторы
- •7.1.Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •7.1.1 Назначение областей транзистора
- •7.1.2 Режимы работы транзистора
- •7.1.3 Буквенно-цифровое обозначение транзисторов
- •7.1.4 Принцип работы транзистора
- •7.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •Статические вах транзистора оэ
- •7.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •7.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •7.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •7.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Стоковые (выходные) характеристики
- •Стоко-затворные (передаточные) характеристики
- •Обозначение:
- •Достоинства:
- •Недостатки:
- •8 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •8.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •8.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •8.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •9 Усилительные устройства
- •9.1 Структурная схема усилителя
- •9.2 Классификация усилителей
- •По диапазону усиливаемых частот:
- •9.3 Показатели качества усилителя
- •Входные и выходные параметры
- •Коэффициенты усиления
- •Линейные искажения
- •Нелинейные искажения
- •Динамический диапазон
- •Собственные шумы усилителя
- •9.4 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с ос:
- •Виды обратной связи
- •9.5 Питание усилителей по постоянному току
- •Смещение фиксированным током базы
- •Назначение элементов:
- •Назначение элементов:
- •Коллекторная стабилизация
- •Комбинированная стабилизация
- •Принцип действия коллекторной стабилизации:
- •9.7 Анализ ачх шпу
- •Факторы, оказывающие влияние на ачх в области нч и вч:
- •Рассмотрим область верхних частот
- •Рассмотрим область нижних частот
- •Рассмотрим область средних частот
- •9.8 Схемы коррекции ачх шпу
- •Расширение полосы пропускания происходит следующим образом:
- •Изображена схема комбинированной стабилизации!
- •Расширение полосы пропускания происходит следующим образом:
- •9.9 Резонансные усилители
- •Резонансный усилитель напряжения (рун)
- •Принцип усиления:
- •Недостаток схемы:
- •Автотрансформаторное включение контура
- •Многоконтурный рун
- •Упч с полосовым фильтром
- •Ачх такого усилителя:
- •Упч c фильтром сосредоточенной селекции (фсс)
- •Ачх такого усилителя:
- •Высокая добротность получается:
- •9.11 Оконечные каскады (усилители мощности)
- •Однотактный трансформаторный усилитель мощности (ум)
- •Принцип работы параметрической стабилизации:
- •Бестрансформаторные ум
- •Бестрансформаторный ум
- •Принцип работы:
- •9.12 Усилители постоянного тока (упт)
- •Ачх упт выглядит:
- •Дрейф нуля
- •Основные причины дрейфа нуля:
- •Дрейф нуля содержит монотонную медленно меняющуюся составляющую и случайные отклонения от неё – флуктуации.
- •Меры по уменьшению дрейфа нуля:
- •Дифференциальный усилитель (ду)
- •Назначение элементов:
- •Ду с двумя источниками питания
- •Роль резистора :
- •Операционные усилители (оу)
- •Обозначение оу:
- •Параметры оу
- •Инвертирующий оу
- •Не инвертирующий oу
- •Интегратор
- •Рассмотрим частные случаи:
- •Дифференциатор
Факторы, оказывающие влияние на ачх в области нч и вч:
частотные свойства самого транзистора;
наличие элементов схемы, обладающих реактивным сопротивлением (в данном случае – это );
наличие паразитной емкости нагрузки .
Рассмотрим область верхних частот
а) влияние частотных свойств транзистора:
Если работать в частотном диапазоне, превышающем граничную частоту транзистора (справочная величина), то коэффициент передачи тока базы в коллектор ( ) будет уменьшаться в недопустимых пределах, что приведет к ухудшению усилительных свойств транзистора, а, следовательно, к уменьшению коэффициента усиления по напряжению усилителя, т.е. к завалу АЧХ на верхних частотах.
Частотные свойства самого транзистора можно не учитывать, если он правильно выбран, т.е. если выполняется условие: , где
- граничная частота транзистора;
- верхняя частота полосы пропускания усилителя.
β КU
β0 КU0
0,707β0 0,707КU0
0 f 0 f
fβ FНИЖН ПП FВЕРХН
б) влияние паразитной емкости нагрузки :
С ростом частоты входного сигнала реактивное сопротивление этой емкости уменьшается ( ), следовательно, бо́льшая часть выходного тока ответвляется через эту емкость, не попадая в нагрузку, что приводит к уменьшению , т.е. к завалу АЧХ в области верхних частот.
Избавиться от паразитной емкости нагрузки полностью невозможно, но уменьшить ее желательно. Для этого используют рациональный монтаж: применяют элементы с короткими и толстыми выводами, безвыводные элементы, используют транзисторы с четвертым (корпусным) выводом, т.е. ВЧ-транзисторы с малой паразитной емкостью.
Рассмотрим область нижних частот
а) влияние разделительных конденсаторов :
С понижением частоты входного сигнала реактивные сопротивления конденсаторов увеличиваются ( ;
), следовательно, увеличиваются падения полезного напряжения на них, т.е. растут потери полезного сигнала, что приводит к уменьшению коэффициента усиления (к возникновению завала АЧХ в области нижних частот).
б) влияние блокировочного конденсатора :
С понижением частоты входного сигнала реактивное сопротивление
блокировочного конденсатора растет ( ), в результате чего меньшая часть переменного тока ответвляется через этот конденсатор, на резисторе будет выделяться бо́льшая часть переменного (полезного) напряжения, т.е. увеличится ООС по переменному току и коэффициент усиления уменьшится (возникнет завал в области нижних частот).
Чтобы уменьшить искажения в области нижних частот необходимо, чтобы реактивные сопротивления разделительных и блокировочных конденсаторов были минимальны, т.е. чтобы были максимальны емкости этих конденсаторов (например, использовать электролиты ).
Но электролиты, в силу своих конструктивных особенностей, на ВЧ становятся индуктивными, что приводит к дополнительным потерям полезного сигнала. Поэтому вместо электролитов используют, например, танталовые оксидно-полупроводниковые (безиндуктивные) конденсаторы .
Недостаток таких конденсаторов – емкость меньше . Если требуется емкость , то используют электролиты, но их шунтируют керамическими конденсаторами KM6, КМ10.