- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
Це залежність струму колектора від струму емітера ІК(ІЕ) при постійній напрузі колектора UK. При UK=0 характеристика починається із початку координат, тому що в цьому випадку відсутній зворотний струм насичення колекторного переходу ІКБо, а струм колектора буде рівний ІК= αІЕ. При постійній температурі до деякої величини струму емітера ця характеристика лінійна, а при великому струмі емітера ІЕ ця лінійність порушується
Рисунок 27 Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
При напрузі на колекторі не рівній нулю UK≠0 характеристика зміщується до верху на величину ІКо.
Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
Рисунок 28 Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
Це залежність напруги емітер – база UЕБ від напруги колектор – база UКБ при постійному струмі емітера ІЕ. Характеристики нелінійні, що випливає із принципу дії транзистора. Дві останні характеристики можуть бути отримані шляхом перебудови перших двох.
Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
Вхідною вольт-амперною характеристикою називають залежність струму бази від напруги база-емітер при постійній напрузі на колекторі. При нарузі на колекторі рівній нулю UK=0 вхідна вольт-амперна характеристика повторює по виду характеристику схеми з спільною базою, тому що струм бази в основному визначається рекомбінаційною складовою. При зростанні напруги на колекторі UK вольт-амперні характеристики будуть зміщуватися вверх, тому що зменшиться кількість неосновних носіїв заряду рекомбінованих в базі. Збільшення напруги на колекторі UK зменшує активну ширину бази, а значить зменшується кількість рекомбінованих пар носіїв в базі. При напрузі база – емітер рівній нулю UБЕ=0 (КЗ) і наявності напруги на колекторі UK через перехід буде проходити струм, обумовлений падінням напруги на опорі емітера.
Рисунок 29 Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
Вихідною вольт-амперною характеристикою називають залежність струму колектора від напруги колектор-емітер при постійному струмі бази. При струмі бази ІБ=0 вольт-амперна характеристика представляє собою характеристику зворотно ввімкненого p-n-переходу, але при цьому струм колектора буде рівний
ІКЕо = ІКБо(1+β).
Це пов’язано з тим, що емітерний і колекторний переходи ввімкнені в схему послідовно: емітерний перехід в прямому напрямі, а колекторний – в зворотному. Невелике падіння напруги на емітерному переході викликає інжекцію носіїв із емітера в базу, що збільшує струм колектора. При зростанні струму бази ІБ характеристика транзистора буде зміщуватися вверх за рівнянням ІК= ІКЕо + βІБ, де
Рисунок 30 Схема ввімкнення транзистора з спільним емітером при напрузі Uк=0
Якщо напруга на колекторі рівна нулю UK=0 (коротке замикання) при наявності струму бази колекторний і емітерний переходи будуть ввімкнені паралельно і при струмі бази не рівним нулю на колекторі буде деяке падіння напруги, обумовлене інжекцією носіїв заряду із емітера в базу і струмом бази. Це падіння напруги визначає залишкову напругу на транзисторі в режимі насичення.