- •Исследование аналоговых каскадов на дискретных элементах методом схемотехнического моделирования
- •Воронеж 2004
- •Печатается по решению редакционно – издательского совета Воронежского государственного технического университета.
- •Лабораторная работа № 1
- •1 . Базовые каскады аналоговой дискретной схемотехники на биполярных транзисторах.
- •2. Методика расчёта базовых каскадов по постоянному току
- •2.1. Расчёт показателей каскадов методом схемотехнического
- •2.2. Аналитический метод анализа
- •4. Домашнее задание Исходные данные
- •Приращение токов в стабилизированных каскадах:
- •5. Лабораторное задание
- •6. Содержание отчета
- •7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2
- •1. Цель работы
- •2. Домашнее задание
- •3. Моделирование.
- •4. Содержание отчета.
- •5. Контрольные вопросы.
- •Исследование базового каскада (lr2)
- •Справочная информация
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Домашнее задание
- •1.3. Исходные теоретические данные
- •Откуда частота среза
- •Граничная частота полосы пропускания выходной цепи равна
- •2.4. Описание исследуемых схем
- •2.5 Лабораторное задание и методические указания к его выполнению
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •1. Цель работы:
- •2. Домашнее задание
- •3.4. Структурные схемы каскадов с ос основных типов
- •Нелинейные искажения, оцениваемые коэффициентом гармоник Кr для усилителя с обратной связью определяем:
- •4. Описание исследуемой схемы.
- •7. Контрольные вопросы.
- •Исследование аналоговых каскадов на дискретных элементах методом схемотехнического моделирования методические указания
2.4. Описание исследуемых схем
Описание исследуемых каскадов дано в работе № 1, их схемы приведены на рис. 1.6. Во всех каскадах применены транзисторы с практически идентичными высокочастотными свойствами, что позволяет исследовать зависимость частотных свойств от конфигурации каскадов и внешних элементов. Входная и выходная цепи построены таким образом, что имеется возможность изменения емкостей разделительных конденсаторов с помощью переключателей S2 и S3. Переключателем S4 к каскаду может быть подключен конденсатор, имитирующий емкость нагрузки. Имеется также возможность исследования влияния блокировочной емкости на частотные свойства каскада ОЭ. На стенде имеются две емкости СЭ`=5 мкФ и СЭ``=100мкФ, которые подключаются к гнезду X4 с помощью перемычек.
Электронная версия лабораторного стенда представлена на рис. 2..4.
2.5 Лабораторное задание и методические указания к его выполнению
Подготовить измерительную аппаратуру и включить ее для прогрева. Подготовить для исследований каскад ОЭ, установить перемычки X1-X3, X3-X14; переключатели S2, S3, S4 в положение «1», потенциометры RК и RЭ в положения RKMAX и RЭMAX соответственно; подключить перемычкой к гнезду X4 блокировочный конденсатор CЭ`, к гнездам X12, X15, X16 – соответственно генератор сигналов, вольтметр и осциллограф. Установить точку покоя каскада на середине линейного участка аналогичного п. 4 работы №1.
57
Рис. 2.4. Принципиальная схема исследуемого каскада
Установить RИСТ = RИСТMIN; RН = RНMAX; снять нормированную АЧХ каскада в диапазоне (2020000) Гц. Для этого на частоте 1000 Гц установить выходное напряжение 1В и, далее, поддерживая постоянным уровень входного сигнала, снять показания вольтметра. Эти показания будут численно соответствовать относительному усилению. Для измерений рекомендуются частоты 20 -40 – 80 – 160 – 400 - 1т- 10т -15т - 20т Гц.
Увеличить сопротивление источника сигнала( RИСТ = RИСMAX) и вновь снять нормированную АЧХ. По результатам измерений п.п. 1.2 составить таблицу.
Установить RН = RНMIN; снять нормированную АЧХ каскада. Составить таблицу по результатам измерений п.п. 2.3; оценить и утвердить результаты у преподавателя.
Установить частоту 40 Гц и, включив вместо С1`, конденсатор С1``, наблюдать влияние емкости разделительного конденсатора, замерив и сравнив искажения в обоих случаях. Аналогично провести исследования влияния С2 и СЭ на искажения в НЧ области, сделать выводы.
Подключить блокировочный конденсатор СЭ`, заменить искажения на частоте 40 Гц для двух значений RЭ = RЭMIN и
RЭ = RЭMAX. Сделать выводы о влиянии RЭ на искажения в НЧ 58
об ласти и утвердить результаты измерений по п.п. 4 и 5 у преподавателя.
Оценить влияние емкости нагрузки на искажения в ВЧ области. Измерение искажений осуществить на частоте 20кГц для двух положений переключателя S4.
На частоте 20 кГц исследовать зависимость частотных искажений от коэффициента усиления каскада путем изменения сопротивления RК. Измерения осуществить для двух случаев RК = RKMIN и RК = RКMAX. Сделать выводы и утвердить результаты у преподавателя.
Отключить входную и выходную цепь от каскада ОЭ, подключить их к каскаду ОБ. Установить переключатели S2-S4 в положение «1» RИСТ = RИСТMIN; RН = RНMAX. Снять нормированную АЧХ каскада, сравнить искажения каскадов ОБ и ОЭ; объяснить результаты.
Подготовить к исследованию каскада ОК. Снять нормированную АЧХ, сравнить ее с соответствующей характеристикой каскада ОЭ; объяснить результаты.
Подготовить к исследованию каскад на полевом транзисторе, снять нормированную АЧХ. Сравнить частотные свойства каскадов на биполярном и полевом транзисторах, сделать выводы.