- •54 Отчетная научно-техническая
- •Получение и диэлектрические свойства твердого раствора 0,2BiLi0,5Sb0,5o3 – 0,8Na1/2Bi1/2TiO3
- •Расплавные методы получения y-втсп
- •Малые значения магнитосопротивления композитов Nix(NbmOn)100-X
- •Преподавание гражданских дисциплин в военном вузе
- •1 Вунц ввс «Военно-воздушная академия»
- •2 Фгбоу впо «Воронежский государственный технический университет»
- •Корреляция магнитосопротивления и магнитных свойств композитов Fex(NbmOn)100-X
- •Магниторезистивные свойства {[(Co41Fe39b20)33,9(SiO2)66,1]/[SiO2]}93
- •Расчет масс исходных компонентов в шихте с использованием программного комплекса «тРиМ»
- •Магниторезистивные свойства многослойной наноструктуры {[(Co41Fe39b20)33.9 (SiO2)66.1]/[In35.5y4.2o60.3]}93
- •Магнитосопротивление тонкопленочных нанокомпозитов на основе ферромагнетика и пьезоэлектрика
- •Механизмы электропроводности в аморфных тонкопленочных наногранулированных композитах (X)Ni − (1-X)pzt
- •Определение порога перколяции в аморфных тонкопленочных нанокомпозитах (X)Ni − (1-X)pzt
- •Разработка математической модели процесса захолаживания длинных криогенных трубопроводов
- •Магнитный момент в BiFeO3, легированном Ca и Nb
- •Доменный механизм диэлектрических потерь в германате свинца
- •Технология получения углеродной однонаправленной ленты аналога уол-300-2-3к
- •Технология получения препрегов на основе аналога углеродной однонаправленной ленты уол-300-2-3к и связующего эдт‑69н
- •Исследование влияния температуры на прочностные характеристики полимерных композиционных материалов на основе препрегов марок кмку и лу/п при сжатии
- •Структура и электрические свойства тонких пленок Sb0,9Bi1,1Te2,9Se - с
- •Термо-эдс композитных тонкопленочных структур Fe-Al2o3
- •Статические и динамические магнитные свойства аморфного сплава на основе железа
- •Об автоматизации объектов криогенной техники
- •Гидрохимический синтез плёночных структур на основе сульфида свинца
- •Влияние исходного состава на свойства y-втсп
- •Влияние термообработки на магнитосопротивление нанокомпозитов (CoNbTa)X(SiO2)100-X ю.С. Полубавкина, студент гр. Пф-121, о.В. Стогней
- •Структура и порог перколяции тонких плёнок Ni-Nb2o5
- •Криохимический метод синтеза y-втсп
- •Разработка установки сублимационной сушки для получения высокогомогенного прекурсора y– втсп
- •Высокочастотные магнитные свойства многослойных гетерогенных систем на основе нанокомпозитов (Co41Fe39b20)X(SiO2)100-X и (Co45Fe45Zr10)X(Al2o3)100-X
- •Разработка упрочняющих биоактивных покрытий медицинского назначения
- •1 Вунц ввс «Военно-воздушная академия»
- •2 Фгбоу впо «Воронежский государственный технический университет»
- •Влияние термообработки на структуру и электрические свойства тонких пленок на основе сульфида самария
- •Термоэлектрические свойства композита [Cu2Se]X[Cu2o]100-X
- •Синтез селенида меди
- •Механосинтез селенида меди (Cu2Se)
- •Динамика магнитного потока при проникновении в y-втсп
- •Зависимость микротвердости тонких пленок Ni – ZrO2 от режимов ионно-лучевого напыления
- •Электромеханические свойства кристалла kdp
- •54 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Магнитный момент в BiFeO3, легированном Ca и Nb
Н. В. Геращенко, А. А. Камынин, С. А. Гриднев
Кафедра физики твёрдого тела
Феррит висмута BiFeO3 (BF) является многообещающим мультиферроиком. Однако, наличие в BF пространственно спин-модулированной структуры (спиновой циклоиды) [1], приводит к нулевому объемному магнитному моменту. Одним из способов частично подавить или разрушить данное спиновое упорядочение в BF является получение твердых растворов на основе BiFeO3. Поэтому целью данной работы было изучение магнитного отклика в твердом растворе xBiFeO3-(1-x)CaFe0,5Nb0,5O3 при x=0; 0,05; 0,1. Из представленной на рис. 1 зависимости намагниченности от внешнего магнитного поля видно, что легирование Ca и Nb приводит к появлению нелинейности, обусловливающее слабое ферромагнитное поведение, т.е. к появлению относительно небольшого объемного магнитного момента. Как известно [2], появление магнитного отклика в легированном BF, напрямую сопряжено с возникновением структурных искажений, т.е. с изменением симметрии. В попытках определить структурные изменения, были выполнены измерения внутреннего трения в данных образцах, представленные на рис. 2. Видно, что имеет место структурный фазовый переход, температура которого увеличивается от ~175 0С до ~200 0С с ростом х. Интересным обстоятельством являлось наличие данного перехода и в чистом BF при температуре 125 0С, хотя, как известно, BiFeO3 обладает более высокими температурами антиферромагнитного и сегнетоэлектрического переходов (TN=370 0C, TC=810 0С) [3]. По-видимому, понижение температуры TN связано с тем, что, как видно из рентгеноструктурного анализа, полученные образцы обладают ~79% основной R3c фазы. Для объяснения связи появления магнитного отклика с данными структурными особенностями необходимы дальнейшие исследования.
|
|
Рис. 1. Петли магнитного гистерезиса, при разных x |
Рис. 2. Концентрационная зависимость температуры фазового перехода для внутреннего трения Q-1 и модуля сдвига G. На врезке температурные зависимости G и Q-1 |
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 13-02-00663).
Литература
1. Sosnowska I., Zvezdin A. K. // J. of Magn. Magn. Mater. 1995. V. 140-144. P. 167-168.
2. Zhang S.-T., Zhang Y.,Lu M.-H., Du C.-L., Chen Y.-F., Liu Z.-G., Zhu Y.-Y., Ming N.-B. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 162901-162903
3. Пятаков А. П., Звездин А. К. // УФН. 2012. Т. 182. С. 593-620.
УДК 537.633.9
Доменный механизм диэлектрических потерь в германате свинца
С.А. Гриднев, А. А. Камынин, Л.В. Канивец, аспирант
Кафедра физики твердого тела
Целью данной работы было изучение механизма диэлектрических потерь в монокристалле (Pb0,992Ba0,008)5Ge3O11. Диэлектрические исследования проводились в образце в форме тонкой пластины размером 2,19×4,99×1,67 мм3, вырезанной перпендикулярно полярной оси, с помощью емкостного моста.
Проведены измерения температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ при разной величине измерительного переменного электрического поля E~ (от 18 В∙см-1 до 500 В∙см-1) на частоте 3 кГц.
|
|
Рис. 1. Температурные зависимости tg δ и ε при напряженности 18 В/см |
Рис. 2. Температурные зависимости tg δ при разной напряженности измерительного поля E~, В/см: 1- 360; 2 – 210; 3 – 90; 4 – 18 В/см. На вставке показана полевая зависимость tg δ при Т =163,5 С. |
Установлено, что пик на зависимости (T) при температуре Т = 164 °С соответствует сегнетоэлектрическому фазовому переходу второго рода (рис.1) [1]. Температура пика на зависимости tgδ(T) (рис. 1) немного смещена в область более низких температур. Поэтому предполагается, что потери в исследуемом материале связаны с доменной структурой. На полевых зависимостях tgδ видно, что есть некоторое пороговое поле при котором начинается резкий рост потерь (рис. 2). Для объяснения полученных результатов использовался подход [2].
, (1)
Оценка силы взаимодействия стенки с дефектом дает, величину fi порядка 1∙10-13 Н.
Работа выполнена при финансовой поддержке по гранту РФФИ № 13-02-97506 - р_центр_а.
Литература
1. Струков Б.А., // Известия Академии наук СССР. 1977. Т. 41. № 4. С. 692.
2. Гриднев С.А., // ФТТ. 1986. Т.28. №7. С. 2009-2014.
УДК 678