- •Петрович В.П. Физические основы электроники. Учебное пособие. – Томск: Изд. ТПУ. 2000. – 152 с.
- •ГЛАВА I
- •Физические основы работы полупроводниковых приборов.
- •Поэтому плотность дрейфового тока
- •Механизм примесной электропроводности полупроводников.
- •Вольт - амперная характеристика р-n перехода.
- •Омические контакты.
- •Анод Катод
- •Диоды Шотки.
- •Варикапы.
- •Стабилитроны.
- •Стабисторы.
- •Выпрямительные диоды.
- •Три схемы включения транзистора.
- •Схема с общим коллектором.
- •Поскольку RвхБ представляет собой очень малую величину, то можно считать, что
- •Статические характеристики биполярного транзистора.
- •Статические характеристики для схемы с общей базой.
- •1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость:
- •Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.
- •Эквивалентные схемы транзистора.
- •Транзистор как линейный четырехполюсник.
- •Режимы работы транзистора.
- •Предельные режимы работы транзистора.
- •Расчёт рабочего режима транзистора.
- •Динамические характеристики транзистора.
- •Режимы работы усилительных каскадов.
- •Режим класса А.
- •Режим класса В.
- •Режим класса С.
- •Режим класса Д.
- •Влияние температуры на работу транзистора.
- •Эти характеристики показывают управляющее действие затвора и представляют собой зависимость тока стока в функции от напряжения на затворе (Uз) при постоянстве напряжения стока (Uc):
- •Uз – напряжение на затворе.
- •Uз – напряжение стока.
- •Импульсные преобразователи постоянного тока.
- •Регуляторы переменного напряжения.
- •Прерыватели постоянного и переменного тока.
- •Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения.
- •Транзисторный автогенератор.
- •Фотоэлементы.
- •Основные характеристики фотоэлементов.
- •Фотоэлектронные умножители.
- •Фоторезисторы.
- •Фотодиоды.
- •Основные характеристики фотодиодов.
- •Фотодиодное включение.
- •Фототранзисторы
- •Фототиристоры.
- •Светодиоды.
- •Оптоэлектронные устройства.
- •Вольт - амперная характеристика.
- •Классификация газоразрядных приборов по видам газовых разрядов.
- •Применение газоразрядных приборов.
- •Газоразрядные (люминесцентные) лампы.
- •Напряжение на конденсаторе
- •Список литературы
- •Введение…………………………………………………………………...…3
ГЛАВА I
Физические основы работы полупроводниковых приборов.
Современные электронные устройства, для того, чтобы отвечать требованиям миниатюризации и микроминиатюризации, строятся, в основном на полупроводниковых приборах.
Как известно из курса физики (раздел физики твердого тела), по способности проводить электрический ток все твердые тела подразделяются на проводники, диэлектрики и полупроводники. Границы между ними весьма условны и принято считать, что удельная электрическая проводимость σ составляет:
Для металлов |
- |
|
7 |
3 |
1 |
|
|
||
σмет=10 |
|
-10 |
|
|
|
|
|||
|
Ом М |
|
|
||||||
Для полупроводников - |
σп/п=103-10-8 |
1 |
|
|
|||||
|
Ом М |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
Для диэлектриков |
- |
σдиэл=10-8-10-15 |
1 |
|
|
||||
|
|
Ом М |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Характерными особенностями полупроводников является резко выраженная зависимость удельной электропроводности σ от температуры, от количества и природы вводимых примесей, а также ее изменение под влиянием электрического поля, света, ионизирующего излучения и других факторов. В кристаллических твердых телах ядра атомов образуют кристаллическую решетку, обладающую свойством пространственной периодичности. Они удерживаются силами притяжения в равновесных точках – узлах кристаллической решетки и могут совершать колебательные движения около этих точек. Причем с увеличением температуры возрастает частота и амплитуда этих колебаний. В соответствии с электронной теорией строения вещества атом любого элемента состоит из положительно заряженного ядра и вращающихся вокруг него электронов, причем количество электронов равно заряду ядра, поэтому атом является электрически нейтральным. Однако при определенных условиях электроны с наружных электронных оболочек могут покидать свои орбиты и становиться свободными носителями электрического заряда. Они хаотически движутся внутри кристаллической решетки и представляют собой так называемый электронный газ. Электроны при своем движении сталкиваются с колеблющимися в узлах кристаллической решетки
4