- •Классификация материалов электронной техники по проводимости
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ионная связь в кристаллах
- •Типы проводимости у керамических материалов
- •Удельная электропроводность и удельное сопротивление керамических материалов
- •Координационные числа
- •Зонная теория
- •Механизм электропроводности диэлектрика
- •Дефекты кристаллической решетки и их влияние на керамические материалы.
- •Число переноса
- •Факторы, влияющие на электронную проводимость
- •12. Температурный коэффициент электросопротивления
- •Электропроводность оксидных полупроводников
- •Туннельный пробой диэлектрика. Электрическая прочность
- •Электропроводность металлов
- •Сверхпроводники и их свойства
- •Высокотемпературная сверхпроводимость
- •Позисторы, варисторы. Виды проводящей керамики
- •Носители зарядов в диэлектрике
- •Керамика
- •21. Кристаллофизические свойства керамики
-
Электропроводность оксидных полупроводников
В оксидных керамических материалах валентная зона образуется благодаря 2p-орбиталям кислорода, а запрещенная зона обусловлена 3s-3d-орбиталями ионов металла.
Оксиды с малой шириной запрещенной зоны (CuO, ZnO, NiO) являются полупроводниками.
Оксиды TiO2, Cao, MgO, BeO, Al203 и др. являются диэлектриками.
Ширина запрещенной зоны некоторых оксидов:
CuO – 1,5 эВ
NiO – 1,9 эВ
ZnO – 3,2 эВ
BeO – 10,8 эВ
Дефекты кристаллической решетки и примеси определяют диэлектрические свойства оксидных керамических материалов.
Примеров полупроводников с избытком кислорода являются CuO, NiO, CoO, Cr2O3.
С недостатком – TiO2, ZnO
Состав соединений с избытком кислорода можно выразить формулой Ni1-бО, Cr2-бО3.
Модель энергетических уравнений с избытком кислорода может быть представлена:
рис а) с избытком кислорода; акцепторные уровни
рис б) с недостатком кислорода; донорные уровни
В состоянии равновесия:
- квазихимическая реакция
х – обозначение нейтрального заряда
Vmx=Vm’+hо
Vm’=Vm’’+hо
Vmx=Vm”+2h
Vm – вакансия металла в узле металла
h – дырка
х, ‘, о – заряды: нейтральный, отрицательный, положительный
Кислород из газовой среды внедряется в кристалл в виде иона Ох, поэтому на месте катиона возникает вакансия Vmx. Она находится в положении, когда захвачены две дырки.
Vm’ – вакансия, захватившая 1 дырку
Vm’’ – вакансия, захватившая 2 дырки
Когда образуются дырки, такой проводник называется p-типа.
Часть ионов металла приобретают заряд:
Ni3+=Ni2++P
Повышение содержания кислорода в газовой среде ведет за собой увеличение концентрации NiO2 и увеличении давления. При этом электропроводность будет повышаться.
Если взять оксидноцинковую керамику, ZnO – n-типа: Zn1+бО
Увеличение содержания кислорода в газовой среде ведет за собой окисление, избыток ионов и уменьшение концентрации свободных электронов, так как электропроводность Zn – n-типа уменьшается с увеличением давления.
Для управления электропроводность Фервей предложил несколько способов:
-
Управление нестехиометрией – классический способ создания дефектов в кристаллической решетке.
-
Метод контролируемой валентности: Заряд основного катиона направленно изменяют введением катиона добавки с другим зарядом (если заряд основного иона увеличился, то образуется дырочный полупроводник, а если понижается – электронный полупроводник).
-
Туннельный пробой диэлектрика. Электрическая прочность
Туннельный пробой – резкое увеличение электрического тока через диэлектрик или полупроводник благодаря эффекту Зинера.
Эффект Зинера – туннельный переход электронов из валентной зоны в зону проводимости в сильном внешнем электрическом поле.
Изменение числа носителей заряда приводит к разогреву и термоионизации полупроводника и диэлектрика. При этом ВАХ проводников не подчиняется закону Ома. Такие полупроводники называются нелинейными полупроводниковыми сопротивлениями или варисторами.
Материалы с нелинейной проводимостью важны для энергетики: с их помощью подавляются паразитные волны в подразделениях и на подстанциях.
Например, устройство, которое имеет очень высокое сопротивление при увеличении напряжения начинает проводить ток и тем большей проводимостью обладает материал.
Это устройство присоединяется параллельно трансформатору и в случае перенапряжения волна погасится и аппарат не выйдет из строя.
Варисторы характеризуются дифференциальным сопротивлением и статическим сопротивлением при одном постоянном напряжении.
Rст=U/J; Rдин=dU/dJ
бета=Rс/Rд – коэффициент нелинейности
Нелинейное сопротивление (сильно уменьшается с увеличением напряжение) называется варистором.
Из материалов, обладающих нелинейностью, получены карбид кремния SiC и оксид цинка ZnO.