- •Введение
- •Полупроводниковые диоды
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Приборы на основе полупроводниковыхдиодов
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Физические параметры и эквивалентные схемы транзистора
- •Примеры решения задач
- •Задачи для самостоятельного решения
- •Сновные параметры Si, GаАs, Ge
- •Приложенiiе 2 Номинальные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов
- •Библиографический список
- •Оглавление.
Сновные параметры Si, GаАs, Ge
Таблица П.1.
Параметр (при Т=300К) |
Кремний (Si) |
Арсенид галлия (GaAs) |
Германий (Ge) |
Собственное удельное сопротивлениеОм·см
|
2,3·105 |
108 |
47 |
Ширина запрещенной зоны эВ |
1,12 |
1,42 |
0,66 |
Эффективная масса электронов по отношению к массе свободного электрона |
1,06 |
0,07 |
0,22 |
То же для дырок |
0,56 |
0,5 |
0,39 |
Эффективная плотность состояний, См-3 |
|
|
|
В зоне проводимости |
2,8·1019 |
4,7·1017 |
1019 |
в валентной зоне |
1019 |
7·1017 |
26·1018 |
Собственная концентрация , см-3 |
1,45·1010 |
1,8 106 |
2,4·1013 |
Подвижность, см2/(В·с) |
|
|
|
Электронов |
1500 |
8500 |
3900 |
дырок |
450 |
400 |
1900 |
Коэффициент диффузии, см/с: |
|
|
|
электронов |
36 |
290 |
100 |
дырок |
13 |
12 |
45 |
Дрейфовая скорость насыщения , см/с: |
|
|
|
электронов |
107 |
6·106 |
6·106 |
дырок |
8·106 |
– |
6·106 |
Электрическое поле пробоя Е/см |
3·105 |
4·105 |
105 |
диэлектрическая проницаемость пФ/см |
1,05 |
1,15 |
1,42 |
ТК эВ/К |
–2,4·10-4 |
–4,3·10-4 |
–3,9·10-4 |
Некоторые физические постоянные:
постоянная Планка: эгр·сДж·сэВ·сек;
постоянная Больцмана: эрг/градДж/градэВ/град;
масса электрона: г;
заряд электрона: Кл.
Приложенiiе 2 Номинальные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов
Шкалы постоянных резисторов содержат номинальные значения допустимых мощностей рассеяния и сопротивлений.
Значения номинальных мощностей рассеяния согласно ГОСТ 9663–71 образуют ряд, Вт: 0,01; 0,025; 0,05; 0,062; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 4; 5; 6,3; 8; 10; 16; 25; 40; 63; 75; 80; 100; 160; 250; 400; 630; 800; 100.
Номинальные значения сопротивлений и допуски согласно ГОСТ 2865–67 и ГОСТ 10318–74 установлены шестью рядами: Е6; Е12; Е24; Е48; Е96; Е192. Эти ряды представляют собой геометрические прогрессии со знаменателями, равными для рядов ЕN
Допуск для ряда Е6 составляет ±20%, для Е12 ±10%, для Е24 ±5%.
Ниже в таблице 2.П приводятся ряды номинальных значений сопротивлений резисторов с допусками 20%, 10%, 5%.
Таблица П.2
Е6 |
Е12 |
Е24 |
Е6 |
Е12 |
Е24 |
Е6 |
Е12 |
Е24 |
1,0 |
1,0 |
1,0 |
2,2 |
2,2 |
2,2 |
4,7 |
4,7 |
4,7 |
- |
- |
1,1 |
- |
- |
2,4 |
- |
- |
5,1 |
- |
1,2 |
1,2 |
- |
2,7 |
2,7 |
- |
5,6 |
5,6 |
- |
- |
1,3 |
- |
- |
3,0 |
- |
- |
6,2 |
1,5 |
1,5 |
1,5 |
3,3 |
3,3 |
3,3 |
6,8 |
6,8 |
6,8 |
- |
- |
1,6 |
- |
- |
3,6 |
- |
- |
7,5 |
- |
1,8 |
1,8 |
- |
3,9 |
3,9 |
- |
8,2 |
8,2 |
- |
|
2,0 |
- |
- |
- |
4,3 |
- |
9,1 |