Модели резисторов

При составлении моделей резисторов обычно учитываются их частотные свойства и температурная зависимости сопротивления.

Резистор, как и всякий проводник, имеет распределенные реактивные паразитные параметры. На тех частотах, на которых влиянием реактивных параметров можно пренебречь, т.е. на низких частотах, сопротивление резистора можно считать активным. Но на высоких частотах, значения которых определяются номинальным сопротивлением и конструкцией резисторов, сопротивление резистора необходимо считать комплексным.

Распределенные модели затрудняют анализ. По этой причине частотные свойства резисторов выявляются при рассмотрении упрощенных моделей .

В случае высокоомных резисторов можно пренебречь индуктивностью резистора (так как ) и эквивалентную схему представить в виде параллельного соединения - номинальное сопротивление; - паразитная емкость резистора. При малых значениях активная составляющая полного сопротивления мало отличается от . Более точный анализ показывает, что для высокоомных резисторов:

• активное сопротивление резистора равно номинальному (с точностью до 1 %) и практически не зависит от частоты при ;

• активное сопротивление резистора уменьшается не больше чем на 10%, т.е. почти не зависит от частоты, при ;

• для других значений активное сопротивление можно определить из соотношения:

В отличие от высокоомных пленочных резисторов, которые обычно имеют спиральную нарезку, низкоомные резисторы делаются гладкими. Упрощенная схемная модель низкоомного резистора показана на рис. 3, в. Емкостное сопротивление резистора с номинальным сопротивлением менее 300 Ом всегда значительно меньше индуктивного. Резисторы промежуточных номиналов могут быть представлены полной схемной моделью . С ростом частоты комплексное сопротивление этих и низкоомных резисторов возрастает и на повышенных частотах проявляются резонансные свойства.