Вопросы для самоконтроля знаний по теме лекции 1:
Дайте определение ГВВ. Осмыслите классификацию ГВВ по режимам.
Приведите принципиальную схему ГВВ на биполярном транзисторе p-n-p типа. Укажите направления токов и напряжений, учитывая тип проводимости транзистора.
Чем отличается подключение контура
к лампе и транзистору на схемах рис.1.1?
Какие особенности представленных
включений контура вам известны? Почему
на рис.1.1 показаны такие включения?
Можно ли сделать наоборот?Вспомните, как определяется эквивалентное сопротивление параллельного колебательного контура на резонансной частоте. Запишите все известные вам соотношения. Какие вы знаете способы неполного включения контура и как определяется эквивалентное сопротивление контура относительно точек подключения.
Посмотрите в справочниках статические ВАХ генераторных ламп и транзисторов. Попрактикуйтесь в определении по ним токов анода, управляющей сетки, экранной (экранирующей) сетки, коллектора, базы при разных напряжениях на электродах.
Вспомните, что вам известно из математики по вопросу представления функций гармоническим рядом Фурье. Вспомните определение коэффициентов ряда Фурье.
Уясните по статическим ВАХ смысл напряжений отсечки
.
Какое ещё название этих напряжений вам
известно?Осмыслите рис.1.5. Как изменятся импульсы токов, если принять а)
б)
<
?Что понимается под амплитудой и углом нижней отсечки тока электрода АЭ в ГВВ? Осмыслите понятие: «нижний» угол отсечки анодного, коллекторного тока.
Что понимается под динамической характеристикой тока электрода АЭ в ГВВ? Как динамическая характеристика тока электрода связана с семейством статических ВАХ? Изобразите динамические характеристики анодного и сеточного, коллекторного и базового токов при наличии настроенного параллельного колебательного контура в анодной, коллекторной цепи АЭ и при его закорачивании.
Сформулируйте физическую суть процесса генерации высокочастотных электрических колебаний тока и напряжения в ГВВ.
Литература для дополнительного чтения по теме лекции 1:
1. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Л.А. Белов, М.В. Благовещенский, В.М. Богачёв и др.; Под ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина. – М.: Радио и связь, 1982. – 408 с.
2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / В.В. Шахгильдян, В.Б. Козырев, А.А. Ляховкин и др.; Под ред. В.В. Шахгильдяна. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1996. – 560 с.
3. Линде Д.П. Радиопередающие устройства. – М.: Энергия, 1969. – 680 с.
4. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Б.П. Терентьев, Н.И. Калашников, Л.Е. Клягин, Б.Б. Штейн; Под ред. Б.П. Терентьева. – М.: Связь, 1972. – 456 с.
5. Денисов В.Д. Генераторы и усилители колебаний радиочастот. – М.; Л.: Госэнергоиздат, 1963. – 512 с.
6. Дегтярь Г.А. Устройства генерирования и формирования радиосигналов: Учеб. пособие / Новосиб. гос. техн. ун-т. – Новосибирск, 1992. – Ч.1. – 172 с.
1Если какой-то вопрос, из приводимых в конце каждой лекции, вызывает затруднение с ответом, запишите вопрос и ответ. Возможно, материал следующих лекций позволит вам дать более полный ответ на вопрос и углубить его понимание
2Существуют генераторы с самовозбуждением, называемые также автогенераторами. Рассматриваются в лекциях 19-23
3В транзисторахn-p-nтипа токи электродов обусловливаются перемещением электронов, а в транзисторахp-n-pтипа перемещением дырок. Скорость перемещения электронов в теле полупроводника существенно больше, чем у дырок. Поэтому транзисторыn-p-nтипа оказываются менее инерционными, соответственно более высокочастотными, чем транзисторыp-n-pтипа.
4Относится к транзисторамn-p-nтипа. У транзисторовp-n-pтипа токи электродов обусловливаются перемещением дырок. Суть дальнейших рассуждений от этого не зависит.
5Связь между указанными напряжениями рассматривается в лекции 4.
6Обратим внимание, что направления токов электродов формально могут быть выбраны произвольно. Но в данном случае, чтобы не искажать рассмотрение физики процессов, учтено, как принято считать, что ток, протекает против направления движения электронов, перемещающихся в вакууме лампы или в теле полупроводника транзистораn-p-nтипа. У транзистораp-n-pтипа направление токов противоположное.
7Конечное значение сопротивления параллельного колебательного контура на гармониках выходного тока АЭ, частота которых отличается от резонансной частоты контура, то есть от частоты его настройки, учитывается, в частности, при рассмотрении фильтрации побочных компонент выходного тока (лекция 11).
8Отличие усилителя напряжения от усилителя мощности рассматривается в лекции 2.
9Обсуждается в лекции 6.
10Принято обозначать буквой греческого алфавитаθ–тхэтас индексом соответствующего электрода, при необходимости.
11Как отмечалось в начале лекции, возможно управление АЭ не напряжением, а током. Подобный режим часто встречается в ГВВ на биполярных транзисторах в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ). Однако суть рассматриваемого процесса от этого не изменяется.