- •2. Двухзондовый метод
- •3. Четырехзондовый метод измерения
- •4. Метод ван-дер-пау
- •Измерение подвижности носителей заряда методом тока холла
- •6. Оптика полупроводников
- •7. Основные механизмы поглощения в полупроводниках.
- •11. Обратная решетка и сфера Эвальда.
- •12. Структура чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов (сверхструктура). Поверхности (100) и (111) кремния.
- •13. Дефекты поверхностной структуры.
- •14. Дифракция медленных электронов (дэм-leed).
- •15. Дифракция быстрых электронов на отражение (дбэ-rheed). Осцилляции центрального рефлекса (хз че это ваще такое!!!).
- •19. Сканирующая туннельная микроскопия. Получение атомного разрешения
- •20. Измерение распределения потенциала и емкости.
- •21, 23. Обратное резерфордовское рассеяние. Кинематика упругих столкновений. Сечение и прицельный параметр.
- •22. Рассеяние ионов низких энергий (leis)
- •24. Особенности рассеяния медленных ионов
- •25. Каналирование. Физические принципы и методы измерения
- •26. Вторично-ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •28. Методы Исследования. Методы электронной спектроскопии.
- •Вопрос 31. Электронная оже-спектроскопия (эос). Механизм эмиссии оже-электронов. Глубина выхода оже-электронов.
- •Вопрос 32. Экспериментальная техника для эос. Количественный анализ. Применение оже-спектроскопии.
- •Вопрос 33. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфэс-xps). Физические основы метода.
- •Вопрос 34. Источники фотонов. Требования к энергетическому разрешению. Энергоанализаторы электронов.
- •Вопрос 35. Ультрафиолетовая спектроскопия (уфэс ups)
- •38. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах (условие Лауэ)
7. Основные механизмы поглощения в полупроводниках.
При воздействии на полупроводник светом могут быть реализованы следующие типы взаимодействия квантов света с носителями заряда: собственное поглощение, экситонное поглощение, поглощение на свободных носителях, примесное поглощение и двухфотонное поглощение. Значительное, а иногда и решающее влияние на процессы поглощения и испускания оказывают внешние условия: температура, механическое давление, электрическое и магнитное поля.
В случае собственного поглощения происходит взаимодействие фотонов с электронами в валентной зоне, т. е. с собственными электронами атомов, составляющих кристаллическую решетку. Фотоны определенной энергии способны отдать свою энергию этим электронам, оторвать их от атомов и перевести электроны на более высокие энергетические уровни. В этом случае фотоны поглощаются в кристалле. При собственном поглощении переходы могут быть прямые, когда волновой вектор электрона остается неизменным, и электрон и оставляемая им дырка имеют одинаковые квазиимпульсы. Возможны также непрямые переходы с участием фононов, которым передается избыточный импульс. По краю собственного поглощения можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника.
В некоторых полупроводниках наблюдается экситонное поглощение. Опыты показывают, что полупроводниковые кристаллы с небольшой концентрацией дефектов, особенно при низких температурах, характеризуются большим коэффициентом поглощения для энергий квантов света, несколько меньших . Фотопроводимость при этом не возникает. Энергия внешнего излучения расходуется не на создание свободных электронов и дырок, а на образование особых квазичастиц – экситонов, которые могут блуждать по кристаллу. При столкновении с примесными центрами экситон может либо распасться и образовать электрон и дырку, либо рекомбинировать и перевести атом в невозбужденное состояние. В первом случае экситону необходима тепловая энергия, во втором — либо происходит излучение кванта энергии, либо энергия экситона переходит решетке полупроводника в виде теплоты.
В физике полупроводников наибольшее распространение получила модель экситонов большого радиуса Ванье-Мотта. Экситон представляется как водородо-подобный атом, состоящий из положительно заряженной дырки и связанного с ней электрона. Между разноименно заряженными частицами действует сила кулоновского притяжения, ослабленная в раз, где– диэлектрическая постоянная кристалла. Обе частицы вращаются вокруг общего центра тяжести и одновременно перемещаются по кристаллу без переноса электрического заряда.
Экситон полностью исчезает или аннигилирует, и вся его энергия (внутренняя и кинетическая) передается фотону, если нет взаимодействия с третьими частицами. Поэтому контур экситонных линий излучения воспроизводит максвелловское распределение экситонов по скоростям.
Поглощение на свободных носителях имеет место, когда фотоны реагируют со свободными носителями заряда в разрешенных зонах. При этом энергия фотонов расходуется на перевод носителей заряда на более высокие уровни. Под действием электрического поля световой волны носители заряда совершают колебательные движения синхронно с полем и при столкновении с узлами решетки отдают накопленную энергию. Создание инверсной населенности не гарантирует получения активной среды, поскольку коэффициент поглощения свободными носителями может быть достаточно большим. Этот вид поглощения теоретически и экспериментально изучен достаточно подробно.
Поскольку оптические переходы электронов и дырок в пределах одной зоны сопровождаются изменением их квазиимпульсов, а импульс фотона пренебрежимо мал, то такие процессы возможны только с участием третьих частиц. Носители взаимодействуют или, как говорят, рассеиваются на различных дефектах, что и обеспечивает изменение их импульса. Поглощение свободными носителями увеличивается с ростом температуры (концентрации фононов) и длины волны.
В случае примесного поглощения света фотоны взаимодействуют с примесными атомами, ионизируя или возбуждая их. Взаимодействие фотонов с примесными атомами носит резонансный характер. Введением в кристалл примесей, особенно в больших количествах, можно заметно изменить его энергетический спектр, населенности энергетических состояний и вероятности оптических и неоптических переходов.
Вблизи края собственного поглощения иногда наблюдается тонкая структура, обусловленная образованием донорно-акцепторных пар. Донорные и акцепторные примесные центры можно считать невзаимодействующими только в первом приближении. В принципе они испытывают кулоновское и ван-дер-ваальсово взаимодействия. Поскольку примесные атомы занимают в решетке вполне определенные места, то энергия электронно-дырочной пары принимает дискретный ряд значений, определяемых расстоянием между электроном и дыркой, что и проявляется в спектрах поглощения и еще более четко в спектрах люминесценции.
В полупроводниковых кристаллах также имеет место поглощение света кристаллической решеткой. Оно проявляется в далекой ИК-области спектра и накладывается на другие виды поглощения.
Двухфотонное поглощение. Вероятности двухфотонных переходов в системе частиц с дискретными уровнями энергии рассчитывались еще в 30-х гг. сразу же после возникновения квантовой механики. Эти вероятности получаются во втором приближении теории возмущений (рис. 2.).
В случае примесного и собственного оптического поглощения происходит генерация неравновесных носителей заряда, которая сопровождается изменением электрических свойств полупроводника при освещении — наблюдается эффект фотопроводимости, используемый для создания широкого класса приборов. К неравновесным оптическим явлениям, характерным для полупроводниковых кристаллов и нашедших широкое применение в полупроводниковом приборостроении относится люминесценция.