Материаловедение

10. Вычислить для всех напряжений значение по формуле

= Cx h ,

0 S

где 0 – электрическая постоянная, равная 8,85 Ч10- 12 Ф/м; h – толщина

образца; h = 4 Ч10- 3 м; S – площадь образца; S = r2, где r = 50 Ч10-3 м – радиус образца.

11. Заполнить табл. 9.

					Т а б л и ц а 9
Номер	U, кВ	R3, Ом	tg	Cх
опыта

12. Построить графики tg = f (U), = f (U).

Важно: перед началом обработки результатов сформируйте файл отчета. Для этого запустите на Рабочем столе пиктограмму файла «Отчет» и заполните предлагаемую форму. Затем сохраните ее, нажав клавишу <ЗАПИСЬ>.

Обработку результатов выполнять в пакете MS Excel или Origin. Снятые с прибора данные занести в табл. 9 и рассчитать дополнительные параметры. Графики зависимостей аппроксимировать B-Spline функцией. Для этого использовать команду меню Spline, а в окне редактирования графика (см. рис. 6 и 14 вводного занятия) на вставке <Line> в строке <Connect> заменить команду <Spline> на <B-Spline>. Вставить графики в отчет, заполнить таблицы данных. Сохранить файл обработки (файл пакета ORIGIN (OPJ) или MS Excel) и отчет с именем: <фамилия И.О.>_4. Рабочая папка:

МиЭЭТ/<Номер группы>.

71

4.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.Цель и порядок выполнения работы.

2.Как распределяется напряжение и напряженность в двухслойном диэлектрике при постоянном напряжении?

3.Как распределяется напряжение и напряженность при переменном напряжении?

4.Объясните зависимость tg от U в сплошных и пористых диэлектриках.

5.Двухслойный диэлектрик включен под переменное напряжение. Напряжение на первом слое составляет 4 кВ, а на втором слое – 8 кВ. Толщина слоев 2 и 6 мм соответственно. Определить диэлектрическую проницаемость второго слоя, если диэлектрическая проницаемость первого слоя равна 7.

6.Между плоскими электродами помещен двухслойный диэлек-

трик с 1 = 2 и толщиной 0.5 см и 2 = 6 с толщиной 1 см. Определить величину напряженности электрического поля в каждом слое при переменном напряжении 10 кВ.

7. Какое следует взять соотношение частей по объему компонентов пластмассы, связующим которой является фторлон-4 с 2 = 2.1, а наполнителем тиконд Т-80 с 1 = 80, чтобы диэлектрическая проницаемость ее была бы равна 20?

72

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Основная

1.Сорокин В.С., Антипов Б.Л., Лазарева Н.П. Материалы и элементы электронной техники. В 2 т. – М.: Издательский центр «Академия», 2006.

2.Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. – СПб.:

Лань, 2004.

3.Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. – Л.:Энергоатомиздат,1986.

4.Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. – СПб.:

Питер, 2003.

Дополнительная

1.Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной тех-

ники. Задачи и вопросы. – СПб.: Лань, 2003.

2.Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. – М.: МИСИС, 2004.

3.Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. – М.: Наука,1986.

4.Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – СПб.: Лань, 2003.

73

ОГЛАВЛЕНИЕ
Вводное занятие. Обработка результатов измерений в програм-
мном пакете Оrigin..............................................................................	3
Лабораторная работа № 1. Исследование электропроводности
твердых диэлектриков ........................................................................	24
Лабораторная работа № 2. Исследование сегнетоэлектриков........	37
Лабораторная работа № 3. Зависимость и tg диэлектриков
от температуры....................................................................................	53
Лабораторная работа № 4. Зависимость tg диэлектрика от
напряжения в сильных электрических полях...................................	65
Список литературы .............................................................................	73

74