- •Содержание
- •Введение
- •1 Теоретические аспекты заключения договоров
- •1.1. Договор: понятие, виды, структура, порядок заключения
- •1.2. Классификация договоров (контрактов)
- •1.3. Заключение, исполнение и завершение договора
- •2 Создание производства микросхем с использованием технологии 90нм
- •2.1. Характеристика проекта
- •2.2. Особенности проекта
- •2.3. Проблемы и перспективы проекта
- •Заключение
- •Список использованной литературы
2 Создание производства микросхем с использованием технологии 90нм
2.1. Характеристика проекта
Срок до 2015 года
Инвестиции - 16,5 млрд. руб.
Технологический процесс полупроводникового производства—технологический процессизготовленияполупроводниковых(п/п) изделий и материалов, и состоит из последовательноститехнологических(обработка, сборка) и контрольных операций, часть производственного процесса производствап/п изделий(транзисторов,диодови т. п.).
При производстве п/п интегральных микросхем применяется фотолитография и литографическое оборудование.
Разрешающая способность(вмкминм) этого оборудования (т. н.проектные нормы) и определяет название применяемого конкретного технологического процесса.
Совершенствование технологии и пропорциональное уменьшение размеров п/п структур способствуют улучшению характеристик (размеры, энергопотребление, рабочие частоты, стоимость) полупроводниковых приборов (микросхем,процессоров,микроконтроллерови тд.).
Особую значимость это имеет для процессорных ядер, в аспектахпотребления электроэнергиии повышения производительности, поэтому ниже указаны процессоры (ядра) массового производства на данном техпроцессе. ( Рис.1).
Рисунок 1. Микросхема с использованием
технологии 90нм
ОАО «СИТРОНИКС», ГК «Роснанотех» (Россия) и компания STMicroelectronics (Евросоюз) подписали трехстороннее соглашение о передаче технологии производства интегральных схем с топологическими нормами 90 нм. Производство разместили на заводах ОАО «НИИМЭ и Микрон» вблизи города Москвы. В конце февраля 2010 состоялся запуск на том же предприятии производства интегральных схем с топологическими нормами 180 нм. Эта линия позволила Российским производителям использовать отечественные микросхемы в своих интеллектуальных продуктах. Данные чипы можно увидеть в транспортных картах для московского метрополитена, транспортных карт других городов, и других видах интеллектуальных продуктов российского производства.
Проект создания фабрики 90 нм построен на принципах частно-государственного партнерства.
Общий объем финансирования проекта составляет 16,5 млрд рублей.
Управляющий директор «Роснано» Дионис Гордин отметил: «Фабрика 90 нм на „Микроне” — это самый масштабный и передовой инвестиционный проект „Роснано” в микро- и наноэлектронике.
Благодаря новому производству интегральных микросхем по технологии 90 нм многие российские производители получат ранее не доступные интегральные микросхемы. Российские дизайн-центры получат возможность производства своих разработок на территории России по технологии 90 нм. Если говорить в общих чертах, то в скором времени, эти чипы появятся таких технических отраслях России как: ГЛОНАСС навигация, коммуникаторы с поддержкой ГЛОНАСС, устройства для цифрового телевидения, автомобильная электроника, смарт-карты, сим-карты с высокой степенью защиты, электронные ключи для систем безопасности и контроля доступа и многое другое. Особо надо отметить, что данное приобретение из сферы высоких технологий было бы не возможно без поддержки правительства РФ5.
Конечными продуктами проекта станут чипы навигационных систем ГЛОНАСС/GPS, промышленной электроники, а также чипы с расширенной функциональностью для биометрических паспортов и других персональных документов, банковских и социальных карт, SIM-карт и меток радиочастотной идентификации.
Новые интегральные схемы будут обладать большей производительностью и объемом памяти, низким энергопотреблением, более эффективными механизмами защиты.
«Линия производства по технологии 180 нм у нас загружена примерно на 70%, к этому показателю мы шли три года. Запускаемая сегодня линия в первый год будет загружена не более чем на 40%», - сказала директор по маркетингу «Ситроникс микроэлектроника» Карина Абагян.
По данным «Ситроникс», линии производства микросхем по технологии 90 нм существуют, кроме России, еще только в семи странах. Это - США, Германия, Япония, Китай, Тайвань, Южная Корея и Франция.
В рамках проекта использована лицензия одного из ведущих мировых изготовителей полупроводниковых приборов - компании ST Microelectronics - на технологический процесс изготовления интегральных схем с нормами 90 нанометров. Также предполагается создание дизайн-центра, который будет осуществлять проектирование собственных чипов.
Проектная мощность открываемой линии - три тысячи пластин диаметром 200 мм в месяц, при подготовке к производству площадь «чистых комнат» завода увеличена на 25% до 3,5 тыс. кв. м. Тестовая эксплуатация линии началась еще в 2011 году, но коммерческая продукция пока не выпускалась.
Рынок памяти и процессоров, производимых по более современным технологиям, компании «Ситроникс» не интересен. Без учета этих сегментов, мировая доля чипов, производимых по технологии 90 нм, по оценке «Ситроникс», является самой крупной и составляет 35%.
Участниками проекта, помимо «Роснано», стали ОАО АФК «Система», ОАО «Ситроникс», ОАО «НИИМЭ и Микрон», ЗАО «Амекс». Общий бюджет проекта составляет 16,5 млрд рублей, из них инвестиции «Роснано» - около 6,5 млрд рублей, ОАО «Ситроникс» также 6,5 млрд рублей. Кроме этого, был привлечен кредит со стороны «Банка Москвы» и «Роснано» на 3,5 млрд рублей. Планируется, что объем продаж продукции проекта в 2015 году составит 12 млрд рублей в год.
Совместное с «Роснано» предприятие «Ситроникс-Нано» для производства микросхем по технологии 90 нм на мощностях ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» было создано в октябре 2009 года. Лицензию на производство и продажу чипов по технологии 90 нм «Ситроникс» приобрел весной 2010 года. Технологическим партнером проекта, общий объем финансирования которого оценивается в 16,5 млрд рублей, является STMicroelectronics6.
Для реализации технологии осуществления проекта в Зеленограде была использована инфраструктура, создаваемая сейчас на заводе «Ангстрем-Т», а также приобретенное для него оборудование, на котором сейчас планируется выпускать чипы с топологией130-110 нм, как пояснили Zelenograd.ru в пресс-службе предприятия. Запуск производства по обеим топологическим нормам намечен на начало 2014 года, пишут «Ведомости».
«Для линии 90 нм не будет строиться отдельная инфраструктура: мы будем в основном использовать оборудование из состава линии AMD, — пояснил начальник управления по корпоративным коммуникациям группы компаний „Ангстрем“ Алексей Дианов7.