- •Министерство науки и образования Российской Федерации
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Понятие об электрическом токе
- •2. Понятие об автоматическом управлении
- •3. Основные элементы электронных устройств
- •4. Полупроводниковые диоды
- •5. Транзисторы
- •6. Тиристоры
- •7. Микросхемы
- •8. Получение высокого напряжения для свечей зажигания
- •9. Схемы систем зажигания
- •Контактно-транзисторная система зажигания
- •10. Электронные системы зажигания
- •11. Электронные устройства управления моментом зажигания
- •Конструкции датчиков импульсов и принципы формирования управляющих сигналов
- •12. Микропроцессорные системы зажигания.
- •13. Объединенные системы управления двс
- •14. Система впрыска топлива «l-jetronic»
- •15. Система впрыска топлива «mono-jetronic»
- •16. Измерители расхода воздуха
- •17. Измерители расхода топлива
- •18. Датчики давления
- •19. Датчики перемещения и детонации
- •20. Датчики кислорода ( - зонды)
- •21. Электромагнитные форсунки
- •22. Пусковая форсунка, тепловое реле и клапан добавочного воздуха
- •23. Управление тормозными системами
- •24. Противобуксовочные системы (пбс)
- •Заключение
- •Литература
- •Электронные системы автомобилей
4. Полупроводниковые диоды
Диод – это полупроводниковый прибор, имеющий малое сопротивление проходящему по нему току в прямом и большое сопротивление в обратном направлении. Работа диодов основана на p–n– переходе.
По конструктивно-технологическим признакам (рис. 1) диоды делятся на точечные и плоскостные. У первых p-nпереход образуется в месте контакта металлической иглы с полупроводниковой пластиной, у вторых – на границе раздела полупроводников с разной электропроводимостью.
У плоскостных диодов больше площадь проводного слоя и поэтому они пропускают большие токи. Недостаток – большая емкость проводного слоя, в связи с чем они не могут применяться при больших частотах.
Для изготовления диодов применяют германий (не выше + 70 С), кремний (до 125-150 С), арсенид и фосфид галлия.
По применению диоды бывают выпрямительные, универсальные, импульсные, варикапы, туннельные и туннельные обращенные, излучающие, сверхвысокочастотные, стабилитроны и стабисторы (условные обозначения см. на рис. 2, внешний вид некоторых диодов – на рис. 3).
Вольтамперная характеристика диода выражает зависимость тока I, протекающего через диод, от величины и полярности приложенного к нему напряжения U (рис. 4).
Чем круче прямая ветвь и чем ближе к горизонтальной оси обратная ветвь, тем лучше выпрямительные свойства диода. При достаточно большом обратном напряжении наступает пробой, т.е. резко возрастает обратный ток и диод перестает выполнять свои функции.
Выпрямительные диодыпредназначены для выпрямления тока низкой частоты (менее 50 Гц), выполнены обычно плоскостными для передачи больших токов, материал полупроводника – кремний.
Основные параметры:
постоянное прямое и обратное напряжение при заданном постоянном токе;
постоянный прямой ток в прямом направлении;
постоянный обратный ток при заданном обратном напряжении.
Максимально допустимые параметры:
максимально допустимое постоянное обратное напряжение;
максимально допустимый постоянный прямой ток;
максимально допустимый средний прямой ток;
максимально допустимый средний выпрямленный прямой ток;
максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода.
Высокочастотные диоды – приборы универсального назначения: для выпрямления токов в широком диапазоне частот (до нескольких сотен МГц), для модуляции, детектирования и других нелинейных преобразований. По конструкции – точечные диоды. Имеют те же свойства, что и выпрямительные, но в гораздо более широком частотном диапазоне.
Импульсные диодыпредназначены для преобразования импульсных сигналов (в детекторах видеосигналов, ключевых и логических устройствах), в основном – точечной конструкции.
Основные параметры:
импульсное (пиковое) прямое напряжение при заданном импульсе прямого тока;
импульсное (пиковое) обратное напряжение;
емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении и частоте;
время установления прямого напряжения – интервал времени с момента подачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного прямого напряжения;
время восстановления обратного сопротивления – интервал времени с момента прохождения через нуль после переключения диода из состояния заданного тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения заданного обратного тока;
заряд переключения – часть накопленного заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное.
К максимально допустимымпараметрам относятся: максимально допустимый прямой импульсный ток, максимальная и минимальная рабочие температуры.
Внешне импульсные диоды представляют собой небольшой (несколько миллиметров в длину) стеклянный (старые конструкции) или пластмассовый корпус различной конфигурации с двумя металлическими выводами.
Стабилитроны и стабисторы.
Эти полупроводниковые приборы предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменении протекающего через диод тока. У стабилитронов рабочим является пробойный участок вольтамперной характеристики в области обратных напряжений (рис. 5). На этом участке напряжение на диоде остается практически постоянным при значительном изменении тока, протекающего через диод.
У стабисторов рабочим служит прямой участок вольтамперной характеристики (рис. 6).
Основные параметры:
напряжение стабилизации – напряжение на стабилитроне при заданном токе стабилизации;
допускаемый разброс напряжений стабилизации – отклонение напряжения стабилизации от номинального;
температурный коэффициент напряжения стабилизации – отношение изменения напряжения стабилизации к изменению температуры при постоянном токе стабилизации;
полная емкость стабилитрона – емкость между выводами при заданном напряжении.
К максимальным допустимым параметрам относятся максимальный и минимальный токи стабилизации, максимальный прямой ток, максимальный импульсный прямой ток, максимальная рассеиваемая мощность.
Внешне стабилитроны и стабисторы напоминают обычные диоды (рис. 3).
Варикапы.
Это полупроводниковые диоды специальной конструкции, емкость которых можно изменять в значительных пределах. С изменением обратного напряжения Uемкостьp - nперехода изменяется по закону:
где СU– емкость диода при напряженииU;С0– то же при нулевом обратном напряжении,К– контактный потенциал, составляет доли вольта;n– коэффициент, зависящий от типа варикапа, равен 2‑3.
Варикапы используют для электронной подстройки частоты, генераторах, гетеродинах. Варикап, предназначенный для умножения частоты сигнала, называют варактором.
Основные параметры:
емкость варикапа, измеряется между выводами при заданном обратном напряжении;
коэффициент перекрытия по емкости – отношение емкостей при двух заданных обратных напряжениях;
добротность варикапа – отношение реактивного сопротивления на заданной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении;
постоянный обратный ток, протекающий диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении.
К максимально допустимым параметрамотносятся обратное напряжение и максимально допустимая рассеиваемая мощность.
Внешне варикапы похожи на обычные диоды (рис. 3).
Туннельный диод.
Это диод, вольтамперная характеристика которого (рис. 7) содержит участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (отношение приращения напряжения к приращению тока).
Рис. 7. Вольтамперная характеристика
туннельного диода
Такая характеристика позволяет использовать диод в усилителях, генераторах, импульсных устройствах. Туннельный диод выполняет свои функции в некотором пределе по частоте fr:
где СД– емкость диода,rД– дифференциальное сопротивление (величина, обратная крутизне вольтамперной характеристики),rП – суммарное сопротивление кристалла, контактных присоединений и выводов.
Остальные основные параметры:
пиковый ток IП – прямой ток в точке максимума вольтамперной характеристики;
ток впадины IВпрямой ток в точке минимума вольтамперной характеристики;
напряжение пика UП– прямое напряжение, соответствующее пиковому току;
напряжение впадины UВ– прямое напряжение, соответствующее току впадины;
напряжение раствора UРР– прямое напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому;
индуктивность диода LД– полная последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях;
резонансная частота f0– расчетная частота, при которой общее реактивное сопротивлениеp–nперехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль;
шумовая постоянная КШ– определяет шум диода.
Максимально допустимые параметры: максимальный допустимый прямой, обратный и импульсный токи, максимально допустимая рассеиваемая СВЧ – мощность.
Обращенный туннельный диод.
Это туннельный диод с очень маленьким значением пикового тока, так же как у туннельных, у них ток при малых обратных смещениях больше, чем у прямых. Поэтому проводящим участком у них является обратная ветвь вольтамперной характеристики (рис. 9).
Рис. 9. Вольтамперная характеристика
обращенного туннельного диода
Основные параметры обращенных туннельных диодов такие же, как у туннельных, кроме UРР. Дополнительно задаются параметры обратной ветви характеристики (напряжение при заданном обратном токе).
Внешне туннельные диоды представляют собой небольшой цилиндр высотой 2-3 мм и диаметром 4-6 мм с двумя выврдами.
Светодиод
Специально сконструированный полупроводниковый прибор, создающий некогерентное оптическое излучение определенного спектрального состава при прохождении через него прямого тока. В зависимости от конструкции и выбранных материалов прозрачного корпуса излучение диода может лежать в инфракрасной или ультрафиолетовой областях спектра.
Основные характеристики светодиодов: мощность излучения, быстродействие, эффективность преобразования электрического сигнала в световой, вольтамперная и спектральная характеристики, пространственное распределение излучения. Характеристики светодиодов имеют значительный разброс и сильно зависят от температуры.
Светодиоды используются как световые индикаторы и источники излучения в оптоэлектронных парах. Конструкции некоторых светодиодов изображены на рис. 10.
Фотодиод.
Полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней проводимости, возникающей при воздействии на него оптического излучения. Наиболее распространенным типом фотодиода являются конструкции с p‑i‑n‑переходом.
Различают два вида работы фотодиодов:
фотодиодный, когда во внешней цепи имеется источник питания, создающий на полупроводнике обратное смещение, а под действием оптического излучения, попадающего на фотодиод, возрастает обратный ток;
фотовольтаический(вентильный), когда источник во внешней цепи отсутствует, а попадающее на диод оптическое излучение приводит к появлению фототока (явление фотоЭДС).
Фотодиоды широко применяются в устройствах оптоэлектроники, автоматики, вычислительной и измерительной техники. По внешнему виду они, как правило, представляют собой различных размеров короткие цилиндры с прозрачной торцевой стенкой.
Полярность диодов, как правило, определяется конструктивно, либо нанесением на корпус изображения диода или цветной точки, обозначающей «плюс». Иногда у диодов «плюсовой» вывод делается явно длиннее, чем «минусовой».
Контрольные вопросы
Что такое диод и на чем основана его работа?
Чем отличается точечный диод от плоскостного?
Нарисуйте вольтамперную характеристику диода и объясните его работу.
Для чего используются выпрямительные и импульсные диоды?
Какие основные параметры имеют диоды?
Что такое «стабилитрон», и для чего он используется?
Нарисуйте вольтамперную характеристику стабилитрона и стабистора и объясните их работу.
Какие основные параметры имеют стабилитроны?
Что такое светодиод и фотодиод, и для чего они используются?