Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекция 7Нанотехнология

.pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
30.03.2015
Размер:
2.69 Mб
Скачать

Гетерогенное зародышеобразование

Реальные фазы уже в исходном состоянии часто гетерогенны из-за примесей, пыли и др.

Осаждение компонентов катализаторов и синтез композитных и углеродных материалов часто проводится в присутствии носителей с заранее сформированной поверхностью, роль такого носителя могут играть и выделившиеся ранее частицы других компонентов.

В.А. Горбунов, Омск 2014

21

Гетерогенное зародышеобразование

В.А. Горбунов, Омск 2014

22

Гетерогенное зародышеобразование

В.А. Горбунов, Омск 2014

23

Гетерогенное зародышеобразование

xгетеро xгомо ,

rгетеро rгомо :

 

 

 

 

 

 

Vгетеро Vгомо ,

 

Nгетеро Nгомо

 

 

 

 

если 180

о

Prob

Prob

 

*

 

1,

 

гетеро

 

 

гомо

f

Gгетеро

 

1, если 180о

 

 

 

 

Gгомо*

 

*

 

 

*

 

 

0,

если 0о

 

 

 

 

 

 

G

 

 

G

 

 

 

 

 

 

 

гетеро

 

гомо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В.А. Горбунов, Омск 2014

 

 

 

 

24

 

Гетерогенное зародышеобразование

 

 

4

 

 

 

3

5

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

4

В узких порах термодинамические условия осаждения наиболее благоприятны и требуют наименьших пересыщений, на острых выступах наименее благоприятны, но остаются более выгодными, чем при гомогенном осаждении.

По этой причине компоненты нанесенных катализаторов и композитных материалов в отсутствии диффузионных затруднений должны осаждаться преимущественно в порах минимального размера, в местах контактов частиц носителя и т.д.

В.А. Горбунов, Омск 2014

25

Особенности роста кристаллических частиц

Механизм роста грани кристалла

 

 

 

 

 

адсорбция

 

 

 

 

 

на кластер

 

 

 

адсорбция

 

 

 

 

 

 

десорбция

 

 

 

 

 

G*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3D кластер

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зародыше-

 

 

диффузия

образование

 

 

 

 

Последовательность заполнения разных граней растущего кристалла

1

 

2

 

3

...

i

const (Правило Гиббса Вульфа)

 

h1

 

h2

 

h3

 

hi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В.А. Горбунов, Омск 2014

26

Особенности роста кристаллических частиц

Отклонения от идеального сценария

Большие пересыщения (образование новых 2D зародышей до завершения роста уже начатых плоскостей)

Примеси

Различие структурных характеристик «гостя» и «хозяина» (природы и размеров составляющих их атомов или ионов, тип упаковки)

 

 

 

 

 

 

 

D/F

 

D/F

 

 

 

 

 

 

Кинетика

Термодинамика

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диффузионный режим

Молекулярная самоорганизация

 

 

 

В.А. Горбунов, Омск 2014

27

Механизмы роста плёнок

Франка-Ван-дер-Мерве

Фольмера-Вебера

Странского-Крастанова

В.А. Горбунов, Омск 2014

28

Кристаллизация в аморфной фазе

Число центров кристаллизации

Скорость роста кристаллов

 

nkT

 

G

 

 

 

 

J

exp

diffusion

exp

G*

 

 

 

 

 

h

 

kT

 

 

RT

 

Рост вязкости Кинетические затруднения

Тпл

Степень переохлаждения

В.А. Горбунов, Омск 2014

29

СПК (Bi2Sr2CaCu2O8) и магнитный нанокомпозит

(SrO-Fe2O3-B2O3-Bi2O3)

В.А. Горбунов, Омск 2014

30