Спецификация транзистора 2n7002

Производитель: NXP

Категория продукта: МОП-транзистор

RoHS: Соответствует RoHS Подробности

Торговая марка: NXP Semiconductors

Id - непрерывный ток утечки: 300 mA

Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.8 Ohms

Полярность транзистора: N-Channel

Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 30 V

Максимальная рабочая температура: + 150 C

Pd - рассеивание мощности: 830 mW

Вид монтажа: SMD/SMT

Упаковка / блок: SOT-23-3

Упаковка: Reel

Канальный режим: Enhancement

Конфигурация: Single

Минимальная рабочая температура: - 65 C

Размер фабричной упаковки: 3000

Другие названия товара №: 2N7002 T/R

Спецификация транзистора 2N706

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
360mW	25V	20V	3V	200mA	200°C	200MHz	6	20MIN

Производитель: STE Сфера применения: Low Power, Switching, High Frecvency Популярность: 1389

Общий вид транзистора 2N706.	Цоколевка транзистора 2N706.

Обозначение контактов: Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер. Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.