- •Содержание
- •Пояснительная записка
- •Тематический план
- •Вопросы для самоконтроля
- •Указания к решению задачи №1
- •Задача № 2
- •Алгоритм и пример решения задачи №2
- •Указания к решению задачи №2
- •Задача № 3 Указания к решению задачи № 3
- •Задача № 4 Алгоритм и примеры решения задачи №4
- •Рис 5 Рис 6
- •Задания для контрольной работы
- •Задача №1 Варианты 1 – 6
- •Варианты 7 – 13
- •Варианты 14 -20
- •Варианты 21-27
- •Варианты 28-35
- •Задача №2
- •Варианты 11-20
- •Варианты 21-30
- •Варианты 31-35
- •Задача №4 Варианты 1-10
- •Варианты 11-20
- •Варианты 21-30
- •Варианты 31-35
- •Вопросы контрольной работы
- •Вопросы для подготовки к экзамену
- •Список рекомендуемой литературы
Задача № 3 Указания к решению задачи № 3
При включении транзистора с общим эмиттером управляющим является ток базы Iб, а при включении с общей базой – ток эмиттера Iэ.
В схеме с общей базой связь между приращениями тока эмиттера ΔIэ и тока коллектора Δ Iк характеризуется коэффициентом передачи тока h21б
h21б =ΔIк / ΔIэ при UКб = const,
где Uкб – напряжение между коллектором и базой.
Коэффициент передачи всегда меньше единицы. Для современных биполярных транзисторов h21б = 0,9 -:- 0,995.
При включении с общей базой ток коллектора Iк = h21б Iэ.
Коэффициент усилия по току h21э в схеме включения транзистора с общим эмиттером определяется как отношение приращения тока коллектора ΔIк к приращению тока базы Δ Iб.
Для современных транзисторов h21э имеет значение 20 – 200.
h21э = ΔIк / ΔIб при Uкэ = const,
где Uкэ – напряжение между коллектором и эмиттером.
Ток коллектора при включении с общим эмиттером Iк = h21эIб. Между коэффициентами h21б и h21э существует следующая связь:
h21б = h21э / (1+ h21э) или h21э = h21б / (1- h21б).
Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора, определяется по формуле Pк = UкэIк.
Задача № 4 Алгоритм и примеры решения задачи №4
Пример 1.
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить коэффициент усиления h21э по его входной характеристике (см. рис. 5 и выходным характеристикам (см. рис. 6), если Uбэ = 0,4 В; Uкэ = 25 Подсчитать также коэффициент передачи по току h21б и мощность Pк на коллекторе.
Алгоритм и пример решения.
По входной характеристике определить при Uбэ = 0,4 В ток базы
Iб = 500мкА.
По выходным характеристикам для Uкэ = 25 В и Iб = 500 мкА определить ток коллектора
Iк = 36мА.
На выходных характеристиках построить отрезок АВ, из которого найти:
ΔIк = АВ = Iк1 – Iк2 = 36 – 28 = 8мА;
Δ Iб = АВ = Iб1 – Iб2 = 500 – 400 = 100мкА = 0,1мК.
Определить коэффициент усиления:
h21э = ΔIк / ΔIб = 8/0,1 = 80.
Определить коэффициент передачи по току
h21б = h21э/ (h21э +1) = 80/ (80+1) = 0,98.
Определить мощность на коллекторе
Pк = Uкэ Iк = 25*36 = 900мВт = 0,9 Вт.
Рис 5 Рис 6
Пример 2.
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, найти ток базы Iб, ток коллектора Iк и напряжение на коллекторе Uкэ, если напряжение Uбэ = 0,3 В; напряжение питания Eк = 20 В; сопротивление нагрузки в цепи коллектора Rк = 0,8 кОм. Входная и выходные характеристики транзистора приведены на рис. 7 и 8.
Пояснение
Для коллекторной цепи усилительного каскада в соответствии со вторым законом Кирхгофа можно написать уравнение
Eк = Uкэ + Iк Rк,
т.е. сумма напряжений на резисторе Rк и коллекторного напряжения Uкэ всегда равна Eк – э.д.с. источника питания.
Расчет такой нелинейной цепи, т.е. определение Iк и Uкэ для различных значений токов базы Iб и сопротивления резистора Rк можно произвести графически. Для этого на семействе выходных характеристик необходимо повести из точки Ек на оси абсцисс вольтамперную характеристику резистора Rк, удовлетворяющую уравнению Uкэ = Eк - Iк Rк.
Эту характеристику удобно строит по двум точкам: Uкэ = Eк при Iк = 0 на оси абсцисс и Iк = Eк / Rк при Uкэ = 0 на оси ординат.
Построенную таким образом вольтамперную характеристику коллекторного резистора Rк называют линией нагрузки. Точки ее пересечения с коллекторными выходными характеристиками дают графическое решение уравнения для данного резистора Rк и различных значений тока базы Тб.
Алгоритм и пример решения
Отложить на оси абсцисс точку Uкэ = Eк = 20 В, а на оси ординат – точку, соответствующую Iк = Eк / Rк = 20/800 = 0,025 А = 25мА.
Здесь Rк = 0,8 кОм, кОм = 800 Ом.
Соединить эти точки прямой – получается линия нагрузки.
Найти на входной характеристике для Uбэ = 0,3 В ток базы Iб = 250 мкА.
Найти на выходных характеристиках точку А при пересечении линии нагрузки с характеристикой, соответствующей Iб = 250 мкА.
Определить для точки А ток коллектора Iк = 17 мА и напряжение Uкэ =7В
Рис 7 Рис 8
Пример 3.
Мощность на коллекторе транзистора Pк = 6 Вт, напряжение на коллекторе Uкэ = 30 В напряжение питания Eк = 40 В. Используя выходные характеристики рис. 9, определить ток базы Iб, ток коллектора Iк, коэффициент усиления h21э и сопротивление нагрузки Rк.
Алгоритм и пример решения
Определить ток коллектора Iк:
Iк = Рк / Uкэ = 6/30 = 0,2 А.
Найти на выходных характеристиках точку А, соответствующую Iк = 0,2 А и Uкэ = 30 В.
Из рисунка видно, что точка А лежит на характеристике для Iб =2 мА.
Соединить прямой точку А и точку на оси абсцисс, соответствующую Eк = 40 В.
На пересечении прямой с осью ординат получается точка Iк1 = 0,8 А.
Определить Rк:
Rк = Eк/ Iк1 = 40/0,8 = 50 Ом.
На выходных характеристиках построить отрезок АВ, из которого можно найти:
ΔIк = АВ = 0,4 – 0,2 = 0,2 А = 200 мА;
Δ Iб = АВ = 4 – 2 = 2 мА.
Определить коэффициент усиления транзистора:
Рис 9
h21э = ΔIк / ΔIб = 200/2 = 100.
Примечание. Обратите внимание, что в таблицах вариантов контрольной работы не указана размерность токов базы Iб и токов коллектора Iк, так как на рис. 119 – 138, где изображены входные и выходные характеристики транзисторов, эти токи имеют различную размерность: амперы – А, миллиамперы – мА и микроамперы – мкА.