- •Введение
- •1. Общие сведения о датчиках физических величин
- •1.1. Основные характеристики датчиков
- •1.2. Классификация датчиков
- •2. Датчики деформации
- •2.1. Принцип действия
- •2.2. Конструкции тензодатчиков и их параметры
- •2.2.1. Конструкции металлических датчиков
- •2.2.2. Конструкции полупроводниковых датчиков
- •2.2.3. Основные параметры тензорезисторов
- •2.2.4. Тензодиоды и тензотранзисторы
- •2.3. Области применения и типы датчиков
- •Контрольные вопросы
- •3. Датчики температуры
- •3.1. Принцип действия
- •3.1.1. Термопары
- •3.1.2. Металлические термометры сопротивления
- •3.1.3. Термисторы
- •3.1.4. Позисторы
- •3.1.5. Измерение температуры с помощью диодов и транзисторов
- •3.2. Конструкции и параметры датчиков температуры
- •3.2.1. Термопары
- •3.2.2. Металлические термометры сопротивления
- •3.2.3. Термисторы
- •3.2.4. Позисторы
- •3.3. Области применения и типы датчиков
- •3.4. Термоанемометрический метод измерения скоростей потока газов и жидкостей
- •Контрольные вопросы
- •4. Твердотельные датчики газов
- •4.1. Принцип действия твердотельных датчиков газов
- •4.1.1. Термокондуктометрические датчики
- •4.1.2. Термохимические (каталитические) ячейки
- •4.1.3. Электрохимическая (топливная) ячейка
- •4.1.4. Полупроводниковые датчики газов
- •4.2. Конструкции и параметры датчиков
- •4.2.1. Термокондуктометрическая измерительная ячейка
- •4.2.2. Термохимическая (каталитическая) ячейка
- •4.2.3. Конструкция и параметры топливных элементов
- •4.2.4. Конструктивные и технологические особенности твердотельных датчиков газов
- •Контрольные вопросы
- •5. Датчики магнитного поля
- •5.1. Принцип действия
- •5.2. Преобразователи Холла
- •5.2.1. Технология изготовления и конструкции
- •5.2.2. Основные параметры и свойства
- •5.2.3. Применение преобразователей Холла
- •5.3. Полупроводниковые магниторезисторы
- •5.4. Магниторезисторы из ферромагнетиков
- •5.5. Магнитодиоды
- •5.6. Биполярные магнитотранзисторы
- •Контрольные вопросы
- •6. Оптические датчики
- •6.1. Принцип действия полупроводниковых приемников излучения
- •6.2. Основные характеристики фотоприемников
- •6.3. Фоторезисторы
- •6.3.1. Технология изготовления и конструкция
- •6.3.2. Характеристики и параметры
- •6.4. Фотодиоды
- •6.5. Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.6. Фототранзисторы
- •6.7. Датчики ик-излучения
- •Контрольные вопросы
- •7. Датчики влажности
- •7.1. Единицы измерения влажности
- •7.2. Методы измерения влажности
- •7.3. Конденсационные датчики
- •7.4. Психрометрические датчики
- •7.5. Сорбционные датчики влажности
- •7.5.1. Кулонометрические датчики
- •7.5.2. Пьезосорбционные датчики
- •7.5.3. Импедансные датчики
- •Контрольные вопросы
- •8. Датчики микроэлектромеханических систем
- •Контрольные вопросы
- •Заключение
- •Библиографический список
6.7. Датчики ик-излучения
Для ИК-диапазона 0,8 – 12 мкм существует множество датчиков на основе PbSe, PbS, InAs, InSb, Ge, а также пироэлектрические детекторы. Важная область использования таких датчиков – обнаружение людей (например, при защите от взлома и др.). В спектральном составе ИК-излучения человеческого тела при температуре около 36 °С (рис. 6.8) максимум излучения соответствует длине волны 10 мкм.
Рис. 6.8. Распределение интенсивности ИК-излучения,
испускаемого лампой накаливания и человеческим телом
.
Для этого спектрального диапазона могут быть использованы только широкополосные ИК-датчики типа пироэлектрических детекторов. При резком воздействии ИК-излу-чения на пироэлектрический детектор, вызывающем его нагрев, напряжение (или ток в зависимости от схемы) изменяется лишь кратковременно, а затем спадает до нуля даже при сохранившемся действии облучения.
Природа пироэлектрического эффекта связана со спонтанной поляризацией Р, являющейся функцией температуры. Спонтанная поляризация – результат несовпадения центров положительных и отрицательных зарядов. Обычно измеряется не сама спонтанная поляризация (она компенсируется полями свободных электрических зарядов, натекающих на поверхность изнутри и извне), а ее изменение ∆Р при быстром изменении температуры ∆Т. Изменение поляризации с температурой определяется пироэлектрическим коэффициентом:
p = dP/dT. (6.6)
Если материал может свободно расширяться, что наблюдается в приемниках излучения, влияние расширения на поляризацию (вторичный пироэлектрический эффект) включается в величину Р.
Пироэлектрический эффект проявляется в материалах, кристаллическая решетка которых не обладает центральной симметрией, направление поляризации определяет некая полярная ось. Это явление наблюдается в кристаллах турмалина, CdS, CdSe, ZnO, ZnS. Например, в турмалине при изменении температуры на 1 К возникает электрическое поле Е ≈ 400 В/см. Изменение поляризации в пироэлектриках может происходить и под действием механических напряжений (пьезоэлектрический эффект), но не наоборот – рис. 6.9. Важную группу пироэлектриков составляют сегнетоэлектрики. Поляризация сегнетоэлектриков исчезает выше их точки Кюри. Характеристики пироэлектрических материалов приведены в табл. 6.3. Метрологические параметры пироэлектрических приемников излучения: токовая чувствительность – 0,1 – 10 мкА/Вт; чувствительность по напряжению – до 105 В/Вт; постоянная времени (время нарастания сигнала) – 10-9 – 10-7 с; полоса пропускания – 103 Гц – 102 МГц.
Рис. 6.9. Классификация диэлектриков
Таблица 6.3
Характеристики пироэлектриков
Материал |
Пироэлектрический коэффициент при 25 °С р, Кл∙м-2∙К-1 |
Точка Кюри, °С |
Триглицинсульфат (NH2CH2CO2H)3∙H2SO4 |
3∙10-4 |
49 |
Титанат бария BaTiO3 |
7∙10-4 |
120 |
Керамика циркониевый титанат свинца |
(3 – 17)∙10-4 |
215 – 365 |
Танталат лития |
1,8∙10-4 |
650 |