Резистор металлопленочный mf-25

Металлооксидные (металлодиэлектрические) постоянные резисторы являются аналогами отечественной серии сопротивлений С2-23. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока.

Металлоксидные пленочные резисторы отличает:  - высокая надежность и стабильность, - широкий температурный диапазон, - низкий уровень шумов, - огнеупорное покрытие (для мощностей выше 0.5 Вт), - цветная кодировка номинала, - луженые выводы.

Таблица - Технические параметры

Тип	2-23
Номинальное сопротивлнние	10
Единица измерения	кОм
Точность,%	1
Номинальная мощность,Вт	0,25
Максимальное рабочее напряжение,В	250
Рабочая температура,˚С	55….155
Длина корпуса,L.мм	6,3
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	2,3

3,9 КОм 0,25Вт 1% Резистор металлопленочный (с2-33)

Тип	2-23
Номинальное сопротивлнние	3,9
Единица измерения	кОм
Точность,%	1
Номинальная мощность,Вт	0,25
Максимальное рабочее напряжение,В	250
Длина корпуса,L.мм	6,8
Ширина (диаметр) корпуса W(D),мм	2,3

Резистор металлопленочный MF-25 (С2-23)

Металлооксидные (металлодиэлектрические) постоянные резисторы являются аналогами отечественной серии сопротивлений С2-23. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока.

Металлоксидные пленочные резисторы отличает:  - высокая надежность и стабильность, - широкий температурный диапазон, - низкий уровень шумов, - огнеупорное покрытие (для мощностей выше 0.5 Вт),

- цветная кодировка номинала, - луженые выводы.

Технические параметры

Тип	2-23
Номинальное сопротивление	10
Единица измерения	кОм
Точность, %	1
Номинальная мощность, Вт	0,125
Максимальное рабочее напряжение,В	250
Рабочая температура, ˚С	-55…150
Длина корпуса,L мм	6,3
Ширина корпуса, мм	2,3

Резистор металлопленочный (С2-33)

Сопротивление	1 кОм
Допустимое отклонение	0,5%
Номинальная мощность	0,25 Вт
Размеры	2,5*6,8 мм
Температурный коэффициент	±25 ppm/°C
Макс. рабочее напряжение	250В
Серия	MFR

Резистор металлопленочный (С2-33)

Сопротивление	30 кОм
Допустимое отклонение	5%
Номинальная мощность:	0,25 Вт
Размеры	1,85*3,5 мм
Температурный коэффициент	±200 ppm/°C
Макс. рабочее напряжение	200В
Серия	MFR

Резистор металлопленочный (С2-33)

Сопротивление	3,9 кОм
Допустимое отклонение	1%
Размеры	2,5*6,8 мм
Температурный коэффициент	: ±50 ppm/°C
Макс. рабочее напряжение	250 В
Серия	MFR

Резистор металлопленочный (с2-33)

Сопротивление	100 Ом
Допустимое отклонение	1%
Номинальная мощность	0,25 Вт
Размеры	2,5*6,8 мм
Температурный коэффициент	±50 ppm/°C
Макс. рабочее напряжение	250 В
Серия	MFR

2.3.3 Резистор переменный СП3-4АМ

2.3.3.1В качестве переменного резистора выбран резистор модели СП3-4АМ.

Резисторы регулировочные однооборотные с круговым перемещением подвижной системы предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного тока. На рисунке изображен корпус переменного резистора СП3-4АМ. На таблице 2.3 приведены технические характеристики переменного резистора СП3-4АМ

Таблица 2.3 - Технические характеристики переменного резистора СП3-4АМ

Тип	переменный
Модель	СП3-4ам
Тип проводника	углерод
Номин.сопротивление	4.7
Единица измерения	кОм
Точность,%	20
Номин.мощность,Вт	0.125
Макс.рабочее напряжение,В	150
Рабочая температура,С	-45…65
Количество оборотов	Менее 1
Угол поворота движка	270
Способ монтажа	навесной
Длина движка	20
Особенности	одинарный

2.8 Транзисторы

2.8.1Транзистор— трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник) - транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) - транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.

Классификация транзисторов - Кремниевые 

- Арсенид-галлиевые  - Биполярные транзисторы  - Полевые транзисторы 

- Специальные типы транзисторов  - Комбинированные транзисторы  - Однопереходные транзисторы 

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа.

По типу используемого полупроводника транзисторы классифицируются на кремниевые, германиевые и арсенид-галлиевые. Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок. По мощности различают маломощные транзисторы (рассеиваемая мощность измеряется в мВт), транзисторы средней мощности (от 0,1 до 1 Вт рассеиваемой мощности) и мощные транзисторы (больше 1 Вт). По исполнению различают дискретные транзисторы (корпусные и бескорпусные) и транзисторы в составе интегральных схем.

2.8.1 Транзистор 2N5769

2.8.1.1В качестве транзистора был выбран биполярный высокочастотный зарубежный аналоговый транзистор 2N5769.

В таблице приведены технические характеристики транзистора 2N5769

Таблица 2.8– технические характеристики транзистора 2N5769

Материал p-n перехода	Кремний (Si)
Структура	NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора транзистора	0,625Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора	15В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база	4В
Предельный постоянный ток коллектора транзистора	0,5А
Предельная температура p-n перехода	150^0С
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора	500Мгц
Емкость коллекторного перехода	4пФ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	40
Корпус	ТО92

Конденсатор 0,1мкФ

Конденсаторы!!!!подсроечник

Конденсатор 85 пФ

2.9 Диоды

2.9.1 Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода.

К противоположным областям выпрямляющего электрического перехода привариваются или припаиваются металлические выводы, и вся система заключается в металлический, металлокерамический, стеклянный или пластмассовый корпус. Область полупроводникового кристалла диода, имеющая более высокую концентрацию примесей (следовательно, и основных носителей заряда), называется эмиттером, а другая, с меньшей концентрацией, — базой. Ту сторону диода, к которой при прямом включении подключается отрицательный полюс источника питания, часто называют катодом, а другую — анодом.

В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:

- выпрямительные;

- универсальные;

- импульсные;

- сверхвысокочастотные;

- стабилитроны;

- варикапы;

- туннельные;

- обращенные;

- фотодиоды;

- светоизлучающие диоды;

- генераторы шума;

- магнитодиоды.

По конструктивному исполнению полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные (следует понимать, что существует множество разных подвидов этих технологий). В плоскостных диодах электрический переход имеет линейные размеры значительно большие толщины самого перехода. К точечным относят диоды, у которых размеры электрического перехода, определяющие его площадь, меньше толщины области объемного заряда. Такой диод образуется, например, в месте контакта небольшой пластины полупроводника и острия металлической пружины (точечно-контактные диоды).

В технологии изготовления диодов определяющей является методика внесения примесей в полупроводник, а также способ соединения кристалла полупроводника с металлическими контактами. Существует большое количество возможных форм исполнения самых разнообразных переходов, которые обладают множеством разнообразных свойств. Эти свойства могут использоваться для создания полупроводниковых диодов различного принципа действия и конструкции. Многие из таких диодов имеют свои исторически-сложившиеся названия, которые могут характеризовать конструкцию диода, физический эффект, определяющий характеристики диода, и т.д. (лавинно-пролетные диоды туннельные диоды, диоды Шоттки, диоды Ганна, варакторы, диоды с накоплением заряда, ...).Часто эти группы диодов отличаются областью применения и/или маркировкой.

2.9.1 Выбор диода

2.9.1.1В качестве диода для схемы детектора был выбран Диод Шоттки BAT64-02W SOT-23, так как он имеет очень малое падение напряжения и обладает повышенным быстродействием по сравнению с обычными диодами.

На рисунке изображен корпус Диода Шоттки.

Рисунок 2.9 –Корпус Диода Шоттки

В таблице приведены технические характеристики Диода Шоттки.

Таблица 2.9Технические характеристики Диода Шоттки [3]

Тип	BAT 64
Напряжение обратное мин.	40В
Емкость макс	6 пф
Прямое напряжение	350мВ
Прямой ток	0,75-100 мОм
Максимальный ток	250мА
Корпус	SOT-23