- •Обозначение резисторов на схемах
- •Классификация резисторов
- •2.Разновидности резисторов. Свойства резисторов.
- •3. Конденсаторы. Маркировка. Обозначение конденсаторов.
- •Свойства конденсатора
- •Обозначение конденсаторов на схемах
- •4. Разновидности конденсаторов. Свойства конденсаторов.
- •5. Катушки индуктивности. Разновидность обозначения на схемах.
- •Разновидности катушек индуктивности
- •6. Свойства катушки индуктивности.
- •7. Реле. Виды реле. Обозначения на смехах.
- •Обозначение на схемах
- •8. Электропроводность полупроводников. Примесные и безпримесные полупроводники.
- •9. Электропроводность классов кристаллических тел
- •10.Электронная и дырочная проводимость полупроводников
- •11.Носители заряда в примесных полупроводниках.
- •12. Полупроводниковый диоды. Виды диодов. Свойства диодов. Обозначения на схемах.
- •13. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении. Прямая ветвь вах диода.
- •14. Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в обратном направлении. Обратная ветвь вах диода.
- •15. Параллельное соединение диодов
- •16.Последовательное соединение диодов
- •17. Кремниевые стабилитроны. Назначение. Вах стабилитроны.
- •18.Биполярные транзисторы. Типы транзисторов. Обозначения на схемах.
- •19.Принцип действия транзистора в отсутстивие внешних напрежений и при наличии внешних напрежений.
- •20.Основные параметры транзисторов.
- •21.Статические вольт-амперные характеристики транзистора при включении вместе с базой и с общим эмитором.
- •22.Схема каскада единичного транзисторного усиления
- •23.Свойства каскадов при различных включениях транзистора
- •24.Стабилизация работы транзистора. Назначение. Схема коллекторной стабилизации режима.
- •26. Стабилизация работы транзистора. Назначение. Схема эмиторной стабилизации режима.
- •27. Стабилизация работы транзистора. Назначение. Схема комбинированной стабилизации режима.
19.Принцип действия транзистора в отсутстивие внешних напрежений и при наличии внешних напрежений.
20.Основные параметры транзисторов.
Коэффициент передачи по току
Входное сопротивление
Выходная проводимость
Обратный ток коллектор-эмиттер
Время включения
Предельная частота коэффициента передачи тока базы
Обратный ток коллектора
Максимально допустимый ток
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, не зависимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:
коэффициент усиления по току α;
сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб, которые представляют собой:
rэ — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
rк — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
rб — поперечное сопротивление базы.
21.Статические вольт-амперные характеристики транзистора при включении вместе с базой и с общим эмитором.
При включении транзистора в различных схемах представляют практический интерес графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт -амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.
Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характеристики для двух схем включения транзистора: с общей базой и общим эмиттером. Поскольку на практике схемы включения транзистора с ОЭ имеют преимущественное применение, дальнейшие рассуждения проведем только для этой схемы включения транзистора.
Статической входной характеристикой транзистора для схемы с ОЭ является график зависимости тока базы от напряжения база–эмиттер входной цепи при постоянном значении напряжения выходной цепи
при .
Выходные (коллекторные) характеристики транзистора в схеме с ОЭ представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения коллектор–эмиттер выходной цепи при постоянном токе базы во входной цепи
при .
Типичные входные и выходные характеристики транзистора см. на рис. 3.8.
Рис. 3.8. Вольт-амперная характеристика транзистора:
а – входная характеристика; б – выходная характеристика
При = 0 входная характеристика транзистора соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного p–n-перехода (рис. 3.8, а). С увеличением ток базы уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении растет напряжение, приложенное к коллекторному p–n-переходу в обратном направлении. Из-за этого уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как большинство носителей быстро втягиваются в коллектор
Характер выходных характеристик транзистора (рис. 3.8, б) определяется величиной напряжения , прикладываемого к коллекторному переходу . В схеме с ОЭ это напряжение определяется разностью напряжений выходной и входной цепи транзистора (рис. 3.9)
. (3.26)
При этом входное напряжение (см. рис. 3.3, б) прикладывается к коллекторному переходу в прямом, а напряжение выходной цепи – в обратном направлении. Поэтому при напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от до велика. |
При дальнейшем увеличении напряжения крутизна выходных характеристик уменьшается, они располагаются почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит главным образом от величины тока базы .
Если эмиттерный переход транзистора перевести в непроводящее состояние, т. е. подать на эмиттерный переход напряжение отрицательной полярности , то ток коллектора снизится до величины и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающего по цепи база–коллектор. Область коллекторных характеристик, лежащих ниже характеристики, соответствующей , называют областью отсечки.