gurtov
.pdf3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в МДП-структурах
Рассмотрев зависимость величины среднеквадратичной флуктуации σψ от параметров МДП-структуры применительно к переносу заряда в инверсионном канале, Брюс получил аналогичную зависимость в виде:
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|||||||||
|
q |
Nox |
2 |
(εs + εox )ε0 |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
σψ (λ,dox ) = |
|
|
|
|
|
ln |
+ |
|
|
|
, (3.147) |
|||||
|
(εs |
+ εox )ε0 |
4π |
|
|
|
(Cox + Css + Csc )λ |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где Cox, Css, Csc – удельные емкости окисла, поверхностных состояний и полупроводника, λ – среднее расстояние носителей в инверсионном слое до поверхности.
Выражение (3.147) для σψ было получено Брюсом из решения уравнения Пуассона с использованием функций Грина. Для областей слабой инверсии выражение (3.147) принимает вид:
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
q |
Nox |
2 |
εs + εox |
|
dox |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
σψ (λ,dox ) = |
|
|
|
|
|
ln |
+ |
|
|
|
|
|
. |
(3.148) |
|||
|
(εs |
+ εox )ε0 |
4π |
|
|
|
εox |
|
λ |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для случая λ >> dox выражения (3.148) и (3.146) дают одинаковое функциональное поведение зависимости σψ ~ λ–1 и отличаются по величине в 2 раз. В области малых величин λ ~ dox зависимости σψ(λ) также несколько отличаются.
3.7.8.Пространственный масштаб статистических флуктуаций
Рассмотрим, какой характерный пространственный масштаб имеют статистические флуктуации поверхностного потенциала в МДП-структурах. Пусть на границе раздела полупроводник – диэлектрик находятся точечные заряженные центры с поверхностной плотностью Nox. В силу случайного характера их расположения в плоскости границы раздела распределение зарядов задается уравнением Пуассона. Если мы разобьем плоскость границы раздела на произвольные площадки с размером L, то на одних площадках зарядов будет больше, на других — меньше. Это эквивалентно тому, что наряду с плоскостью, заряженной равномерно, имеется дополнительный набор положительно и отрицательно заряженных площадок. Ситуация будет чем-то напоминать шахматную доску с чередующимися белыми и черными полями. Необходимо рассмотреть, как будет вести себя потенциал такой знакопеременной системы зарядов.
Будем считать за плотность заряда σ на таких площадках избыточную, по сравнению со средней, плотность заряда, обусловленную случайным распределением заряженных центров на поверхности.
Величина σ будет равна:
σ = |
Qox |
= |
qNox |
. |
(3.149) |
S |
|
||||
|
|
S |
|
При пуассоновском распределении точечных зарядов на плоскости величина
среднеквадратичного отклонения |
N равна: |
|
||||
N = |
|
|
|
|
|
|
N = N |
ox S = L Nox , |
(3.150) |
где N — среднее число зарядов на площадке S с размерами L; Nox — средняя плотность зарядов на единицу площади.
Рассмотрим, чему равен потенциал заряженной плоскости с линейным размером L. Элементарное интегрирование даст, что потенциал U, создаваемый заряженной
Gurtov.indd 113 |
17.11.2005 12:28:01 |
Глава 3. Физика поверхности и МДП-структуры
плоскостью на расстоянии λ вглубь полупроводника на нормали, проходящей через ее центр, будет:
|
σL |
|
λ |
|
|
λ 2 |
|
||
U = |
|
|
|
|
− |
1− |
|
. |
(3.151) |
* |
|
|
|||||||
|
2ε |
ε0 L |
|
|
L |
|
|
Величина потенциала U0 на плоскости при λ = 0 будет:
U |
|
= |
σL |
. |
(3.152) |
|
0 |
|
|||||
|
|
2ε*ε |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Как следует из уравнений (3.151) и (3.152), величина потенциала U0 на границе раздела полупроводник – диэлектрик пропорциональна U0 ~ σL. Тогда с учетом (3.149) и (3.150) имеем для статистических флуктуаций:
U |
|
= |
q Nox |
. |
(3.153) |
|
0 |
|
|||||
|
|
2ε*ε |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Из соотношения (3.153) видно, что при пуассоновском распределении заряда в плоскости границы раздела полупроводник – диэлектрик величина флуктуации потенциала на поверхности U0 не зависит от масштаба флуктуаций L, а определяется только средней плотностью заряда Nox.
Для выявления особенностей экранировки потенциала знакопеременной системы зарядов рассмотрим модельную задачу. Пусть на границе раздела полупроводник – диэлектрик распределен заряд с плотностью σ(x, y), изменяющейся по гармоническому закону:
|
πx |
|
πy |
|
σ(x, y) = σ0 sin |
sin |
. |
(3.154) |
|
|
L |
|
L |
|
Для нахождения потенциала, создаваемого в полупроводнике такой системой зарядов, запишем уравнение Пуассона в виде:
Δϕ(x, y,z) = − |
ρ(x, y,z) |
, |
(3.155) |
||
ε |
ε* |
||||
|
|
|
|||
|
0 |
|
|
|
где ρ(x, y, z) — объемная плотность заряда.
Решение уравнения Пуассона приводит к следующему значению потенциала φ(x, y, z):
ϕ(x, y,z) = |
2σ(x, y)L |
|
− |
λ |
π |
|
|
|
|
|
|
exp |
L |
2 |
, |
(3.156) |
|||
* |
ε0 |
||||||||
|
4πε |
|
|
|
|
|
|
где L — линейный масштаб одной ячейки;
λ — расстояние от границы раздела вглубь полупроводника до точки, в которой рассчитывается потенциал.
Вследствие экранировки заряда, находящегося на границе раздела полупроводник – диэлектрик металлическим затвором МДП-структуры, за счет сил зеркального отражения в затворе возникает потенциал Uотр, описываемый в полупроводнике соотношением:
Uотр = − |
2σ(x, y)L |
|
− |
(λ + 2dox ) |
π |
|
|
|
|
|
exp |
|
2 |
. |
|||
* |
ε0 |
L |
||||||
|
4πε |
|
|
|
|
|
Gurtov.indd 114 |
17.11.2005 12:28:01 |
3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в МДП-структурах |
||||||||||||||
Суммарный потенциал в полупроводнике с учетом экранировки, как показано |
||||||||||||||
на рис. 3.32, будет равен: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U(x, y,z) = |
2σ(x, y)L |
|
− |
λ |
π |
|
|
− |
λ + 2dox |
|
(3.157) |
|||
* |
ε0 |
exp |
L |
2 |
− exp |
L |
π 2 . |
|||||||
|
|
4πε |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
На рис. 3.32 приведена зависимость потенциала U (x, y, z) от расстояния λ вглубь |
||||||||||||||
полупроводника, рассчитанная по уравнению (3.157). |
|
|
|
|
||||||||||
|
1,0 |
U/U0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
2 |
|
Uпр |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2dox |
|
Uпр |
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
λ, Å |
|
|
|||
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Uобр |
|
|
|
100 |
|
|
|
200 |
|
|
300 |
|
|
|
–0,2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
dox = 50 Å |
|
|
|||
–0,4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
–0,6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
L1 = 200 Å |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L2 = 1000 Å |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
–0,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
–1,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 3.32. Зависимость потенциала U/U0 |
знакопеременной системы |
|
||||||||||||
зарядов типа «шахматная доска» от расстояния λ вглубь полу- |
|
|||||||||||||
проводника с учетом экранировки затвором МДП-структуры |
|
На рис. 3.33 приведен закон спада потенциала вглубь полупроводника в зависи- |
|||
мости от масштаба L. Как следует из этого рисунка, мелкомасштабные флуктуации |
|||
на больших расстояниях экранируются эффективнее, чем крупномасштабные. |
|||
1,0 |
|
|
|
U/U0 |
|
|
|
|
|
|
6 |
|
4 |
5 |
|
0,1 |
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
|
||
0,01 |
|
|
λ, Å |
102 |
|
|
|
101 |
103 |
104 |
|
Рис. 3.33. Потенциал U/U0 системы зарядов типа «шахматная доска» |
|||
|
в зависимости от расстояния λ вглубь полупроводника: |
dox = 50 Å: 1 – L = 100 Å; 2 – L = 1000 Å; 3 – L = 10 000 Å;
dox = 1000 Å: 4 – L = 100 Å; 5 – L = 1000 Å; 6 – L = 10 000 Å
Gurtov.indd 115 |
17.11.2005 12:28:02 |
Глава 3. Физика поверхности и МДП-структуры
На рис. 3.34 показан характер экранировки потенциала в зависимости от масштаба L при разных толщинах подзатворного диэлектрика dox и различных расстояниях λ.
1,0
U/U0
1000 Å
|
λ = 50 Å |
|
200 Å |
|
0,1 |
|
|
|
|
|
100 Å |
|
dox = 50 Å |
|
|
200 Å |
|
|
|
0,01 |
100 |
101 |
102 |
L, Å |
|
Рис. 3.34. Зависимость потенциала U/U0 системы зарядов типа «шахматная доска» от размера L при различных толщинах окисла dox и расстояниях λ вглубь полупроводника
Видно, что зависимость потенциала U от масштаба L имеет выраженный максимум. Исследование соотношения (3.157) на экстремум показывает, что оптимальная величина масштаба Lопт, соответствующая максимальному значению потенциала (U/U0)max, будет равна:
Lопт = |
2 2πdox |
|
. |
(3.158) |
|
|
λ + 2dox |
||||
|
ln |
λ |
|
|
|
|
|
|
|
На рис. 3.35 приведена зависимость масштаба Lопт, рассчитанная по соотношению (3.158) от толщины диэлектрика при разных расстояниях вглубь полупроводника.
При больших значениях толщины диэлектрика оптимальный масштаб имеет размеры порядка толщины диэлектрика Lопт ~ dox, при малых толщинах диэлектрика величина оптимального масштаба существенно больше толщины диэлектрика Lопт >> dox.
104
Lопт, Å
λ = 200 Å
103
100 Å
50 Å
20 Å
102 |
102 |
103 dox, Å |
101 |
Рис. 3.35. Зависимость оптимального масштаба Lопт, соответствующего максимальному значению относительного потенциала U/U0, от толщины подзатворного диэлектрика dox
Gurtov.indd 116 |
17.11.2005 12:28:02 |
3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в МДП-структурах
3.7.9.Сравнительный анализ зависимости
среднеквадратичной флуктуации σψ и потенциала оптимальной флуктуации
Представляет определенный интерес сравнение спада потенциала U (λ), рассчитанного по соотношению (3.157) для флуктуаций различного масштаба L, со спадом величины среднеквадратичной флуктуации σψ(λ). Воспользуемся тем фактом, что для различных масштабов L величина потенциала на поверхности U0 будет одинакова, как было показано в уравнении (3.123). Будем также учитывать для каждого значения расстояния λ только оптимальные флуктуации, дающие максимальное значение потенциала, то есть флуктуации размером L = Lопт, рассчитанным по (3.158). Величину U0 выберем для всех случаев такую, чтобы для одной из толщин диэлектрика значения σψ и потенциала U совпали при больших значениях λ → ∞.
При других значениях толщины диэлектрика такое совпадение наблюдалось автоматически.
На рис. 3.36 приведен график потенциала оптимальной флуктуации, рассчитанный подобным образом. Из графика видно, что при больших λ наблюдается совпадение характера зависимости среднеквадратичной флуктуации σψ и потенциала оптимальной флуктуации U от расстояния λ вглубь полупроводника.
30 |
U, σu, мВ |
|
|
|
|
25 |
|
|
20 |
|
|
15 |
|
1000 Å |
|
|
|
10 |
200 Å |
|
|
|
|
5 |
dox= 50 Å |
λ, Å |
|
|
|
0 |
102 |
103 |
101 |
Рис. 3.36. Зависимость потенциала оптимальной флуктуации U0 и величины среднеквадратичной флуктуации σU от расстояния λ вглубь полупроводника для системы случайно распределенных точечных зарядов на границе раздела окисел – полупроводник
Расхождение наблюдается при малых значениях λ, причем с уменьшением толщины диэлектрика dox область значения λ, где наблюдается это расхождение, также уменьшается. При значениях λ → 0, то есть при приближении к границе раздела полупроводник – диэлектрик, величина среднеквадратичной флуктуации σψ логарифмически расходится, в то время как потенциал оптимальной флуктуации имеет конечное значение, равное U0.
Зависимость величины потенциала флуктуации U от масштаба L приведена ранее на рис. 3.34. При пуассоновском характере распределения точечных зарядов
Gurtov.indd 117 |
17.11.2005 12:28:03 |
Глава 3. Физика поверхности и МДП-структуры
очевидно, что должна наблюдаться минимальная величина масштаба флуктуации, определяемая средним расстоянием между заряженными точечными центрами.
1 |
|
Lmin ≈ a = Nox−2 . |
(3.159) |
Для Nox = 1010 см–2 величина Lmin будет порядка 1000 Å, для Nox = 1012 см–2 величина Lmin будет порядка 100 Å.
Таким образом, дискретность зарядов на границе раздела полупроводник – диэлектрик является физической причиной ограничения минимального масштаба флуктуации. Физическое ограничение максимального масштаба флуктуаций определяется размерами исследуемой МДП-структуры: Lmax ≈ Lобр.
Таким образом, на границе раздела окисел – полупроводник возможны все масштабы флуктуаций заряда от Lmin до Lmax. Но в силу экранировки затвором во флуктуации потенциала дают максимальный вклад такие масштабы, которые удовлетворяют соотношению (3.158). В данном случае МДП-структура выступает чем-то в виде RC-фильтра, который из набора сигналов всех гармоник выделяет преимущественно одну частоту.
При переходе от области слабой к области сильной инверсии начинает играть свою роль экранирование свободными носителями. В некотором смысле это эквивалентно установке и приближению к границе второго затвора со стороны полупроводниковой подложки. Учтем этот факт экранировки следующим образом. Введем расстояние dnn из условия равенства емкостей области пространственного заряда Csc и емкости конденсатора с диэлектрической проницаемостью εs и расстоянием между обкладками dnn. Получаем:
Csc |
= |
εsε |
. |
(3.160) |
|
||||
|
|
dnn |
|
Величина dnn для области сильной инверсии будет эквивалентна среднему расстоянию свободных носителей в области пространственного заряда до границы раздела полупроводник – диэлектрик. С ростом избытка свободных носителей в инверсионном канале Гp,n величина dnn будет уменьшаться и, как следует из рис. 3.36, будет происходить экранировка флуктуаций сначала больших масштабов. При этом будет уменьшаться и абсолютная величина флуктуаций потенциала, как видно из рис. 3.36, и потенциальный рельеф будет становиться все мелкомасштабнее.
Максимальная длина свободного пробега дырок в инверсионных каналах кремниевых МДП-структур, рассчитанная из значения подвижности в максимуме зависимости μ(Гp) при температурах T = (77÷350) К, составляет величину не более λ = (200÷300) Å.
Величина линейного масштаба оптимальной флуктуации, как видно из рис. 3.35, во всех случаях обычно больше длины свободного пробега, в том числе и в МДПструктурах со сверхтонким подзатворным диэлектриком. Этот факт позволяет рассматривать процесс переноса свободных носителей заряда в сложном потенциальном рельефе в инверсионных каналах МДП-структур как процесс «протекания» в случайном потенциальном поле, а не как процесс рассеяния.
Gurtov.indd 118 |
17.11.2005 12:28:03 |
Задачи
Задачи
3.1.Рассчитать дебаевскую длину экранирования в кремнии с удельным сопротивлением ρ = 15 Ом·см и сравнить с глубиной проникновения электрического поля, T = 300 К.
3.2.Рассчитать и сравнить дебаевские длины экранирования LD в собственных полупроводниках – кремнии Si, германии Ge, арсениде галлия GaAs, антимониде
индия InSb при комнатной температуре.
3.3.Рассчитать объемную концентрацию электронов и дырок на поверхности ns, ps для n-Si c ρ = 1 Ом·см при значениях поверхностного потенциала ψs = 0,3 В; –0,2 В, –0,5 В, –0,9 B. Определить состояние поверхности.
3.4.Найти величину заряда Qsc и емкости Csc ОПЗ кремния марки КДБ-10 при значениях поверхностного потенциала ψs, равных ψs = 0; φ0, 2φ0.
3.5.Найти в классическом случае среднее расстояние λc, на котором локализованы свободные электроны в инверсионном канале в p-Si с сопротивлением ρ = 0,1 Ом·см
при поверхностном потенциале |
ψs |
= 3 |
ϕ0 при температурах T = 300 К и T = 77 К. |
|
|
2 |
|
3.6. Оценить дебройлевскую длину волны электронов для кремния Si, германия
Ge, арсенида галлия GaAs и антимонида индия InSb при комнатной T = 300 К и азотной T = 77 К температурах.
3.7. Рассчитать энергию дна первых трех квантовых подзон в n-Si при значении ψs = 2φ0 иприNA = 1016 см–3.Найтисреднююобластьлокализацииlc электронаотповерхности на каждом из этих уровней и полное число электронов Ni в подзонах T = 77 К.
3.8. Рассчитать, чему равен заряд поверхностных состояний Qss при значениях поверхностного потенциала: ψs = 0; ψs = φ0; ψs = 2φ0 для кремния p-типа при T = 300 К с уровнем легирования NA = 1·1018 см–3. Поверхностные состояния распределены равномерно по зоне с плотностью Nss = 2·1012 см–2·эВ–1. Сравнить заряд Qss с соответствующим зарядом Qsc ОПЗ.
3.9. В запрещенной зоне n-Si с ρ = 7,5 Ом·см имеются моноэнергетические поверхностные состояния (ПС) с концентрацией Ns = 8.1012 см–2 и сечением захвата σt = 10–16 см2, расположенные на Et = 0,45 эВ выше середины запрещенной зоны. Рассчитать постоянную времени ПС τ, эквивалентную последовательную емкость Cs и сопротивление Rs при обогащающем изгибе зон ψs, когда уровень Ферми совпадает с положением уровня ПС, T = 300 К.
3.10. Чему равна плотность поверхностных состояний Nss в МДП-структуре p-Si – Si3N4 – Si (п/к) в состоянии плоских зон, если уровень легирования под-
ложки N |
A |
= 1,5·1015 |
см–3, площадь затвора S = 0,5 мм2, толщина нитрида кремния |
||
d |
n |
= 1,2·10–5 см, а наклон экспериментальной ВФХ равен = C/ V = 42 пФ/В? |
|||
|
|
|
|
|
3.11. Рассчитать плотность поверхностных состояний Nss, если максимум кривой зависимости нормированной проводимости Gp /ω от ω находится на частоте ω = 2·105 Гц и равен:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Gp |
= 2 10−9 Ф см2 |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ω max |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оценить тип ПС по величине сечения захвата σt, если поверхностная концент- |
||||||||||
рация электронов n |
s0 |
равна n |
s0 |
= 1·1012 |
см–3. |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
3.12. Рассчитать вольт-фарадную характеристику МДП-системы p-Si – SiO2 – Al, |
||||||||||
d |
ox |
= 150 нм, N |
A |
= 1,5·105 см3, T = 300 К при наличии отрицательного заряда в окисле |
||||||||||
N |
ox |
= –4·1011 см–2 и донорного моноуровня поверхностных состояний N |
s |
= 6·1011 см–2 |
на 0,1 эВ ниже середины запрещенной зоны кремния.
Gurtov.indd 119 |
17.11.2005 12:28:03 |
ГЛАВА 4
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ДИОДЫ
Введение
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды на основе p-n-перехода, стабилитроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.
4.1.Характеристики идеального диода на основе p-n-перехода
Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-дырочный переход. Как было показано в главе 2, вольт-амперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность, приведенную на рис. 4.1б, и описывается уравнением (4.1). В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю.
J = Js (eβVG −1), |
(4.1) |
jpE – jnD + jnE – jpD = 0. |
(4.2) |
Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными являются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления, характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора рабочей точки.
4.1.1. Выпрямление в диоде
Одним из главных свойств полупроводникового диода на основе p-n-перехода является резкая асимметрия вольт-амперной характеристики: высокая проводимость при прямом смещении и низкая при обратном. Это свойство диода используется в выпрямительных диодах. На рис. 4.2 приведена схема, иллюстрирующая выпрямление переменного тока в диоде.
Gurtov.indd 120 |
17.11.2005 12:28:03 |
4.1. Характеристики идеального диода на основе p-n-перехода
КД210
1,53
|
4 |
M5 |
|
14 |
|
|
|
|
|
ø2 |
|
11 |
|
11,5 |
2
ø8,8 |
ø5,35 |
10
20
а
J
J = JpD + JnD диффузионный ток
VG
J = JpE + JnE
дрейфовый ток
б |
в |
Рис. 4.1. Параметры полупроводникового диода:
а) конструкция прибора (с указанием размера в мм); б) вольт-амперная характеристика; в) схемотехническое обозначение
|
|
I |
|
|
|
Vвх |
+VG |
R |
V |
|
I, мА |
|
|
|
|
||
Vвх |
|
Vвых |
–3 |
–2 |
–1 |
|
|
|
tt
4
3
2
1
VG, В
0 1 2 3
Рис. 4.2. Схема, иллюстрирующая выпрямление переменного тока с помощью диода [60, 68]
Рассмотрим, каков будет коэффициент выпрямления идеального диода на основе p-n-перехода. Для этого рассчитаем по уравнению (4.1) коэффициент выпрямления K как отношение прямого тока к обратному току диода при значениях напряжения U = ± 0,01 В; 0,025 В; ±0,1 В; 0,25 В; ±1 B. Получаем:
K = |
J |
+ |
= |
eβVG −1 |
|
|
|
|
|
. |
(4.3) |
||
J |
|
|
||||
|
− |
|
e−βVG −1 |
|
Gurtov.indd 121 |
17.11.2005 12:28:03 |
Глава 4. Полупроводниковые диоды
Учтем, что величина β–1 при комнатной температуре составляет: β–1 = 0,025 В. Результаты расчета приведены в таблице.
VG, B |
±0,01 |
0,025 |
±0,1 |
0,25 |
±1 |
K, отн. ед. |
1,0 |
1,1 |
55 |
2,3·104 |
2,8·1020 |
Как следует из таблицы и соотношения (4.3), при значениях переменного напряжения, модуль которого VG меньше, чем тепловой потенциал kT/q, полупроводниковый диод не выпрямляет переменный ток. Коэффициент выпрямления достигает приемлемых величин при значениях VG, по крайней мере в 4 раза больших, чем тепловой потенциал kT/q, что при комнатной температуре T = 300 K соответствует значению напряжения VG = ± 0,1 В.
4.1.2. Характеристическое сопротивление
Различают два вида характеристического сопротивления диодов: дифференциальное сопротивление rD и сопротивление по постоянному току RD.
Дифференциальное сопротивление определяется как:
rD = |
dU |
= |
dI |
−1 |
= βjseβV + βjs |
−βjs |
−1 |
= β(I + Is |
) −1 |
= |
kT / q |
. (4.4) |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
dI |
|
|
|
|
|
|
I + Is |
|
||||
|
dU |
|
|
|
|
|
|
|
На прямом участке вольт-амперной характеристики диода дифференциальное сопротивление rD невелико и составляет значение несколько ом. Действительно, при значении прямого тока диода I = 25 мА и значении теплового потенциала kT/q = 25 мВ величина дифференциального сопротивления rD будет равна rD = 1 Ом. На обратном участке вольт-амперной характеристики диода дифференциальное сопротивление rD стремится к бесконечности, поскольку в идеальных диодах при обратном смещении ток не зависит от напряжения.
Сопротивление по постоянному току RD определяется как отношение приложенного напряжения VG к протекающему току I через диод:
RD |
= |
U |
= |
U |
. |
(4.5) |
|
I0 (eβU −1) |
|||||
|
|
I |
|
|
На прямом участке вольт-амперной характеристики сопротивление по постоянному току больше, чем дифференциальное сопротивление RD > rD, а на обратном участке — меньше RD < rD.
В точке вблизи нулевого значения напряжения VG << kT/q значения сопротивления по постоянному току и дифференциального сопротивления совпадают. Действительно, разложив экспоненту в ряд в соотношении (4.5), получаем:
RD |
= |
kT |
|
1 |
= rD . |
(4.6) |
|
|
|||||
|
|
q I0 |
|
Используя характерное значение для обратного тока диода I0 = 25 мкА, получаем величину сопротивления диода в нулевой точке RD0 = rD0 = 1 кОм. На рис. 4.3а приведена зависимость дифференциального сопротивления диода ГД402 от величины тока при прямом смещении.
Gurtov.indd 122 |
17.11.2005 12:28:04 |