1. Коэффициент усиления по напряжению

2. входное напряжение смещения

3. разность входных токов

4. разность входных напряжений

5. разность частотных характеристик

6. входной ток смещения

$$$ На практике широко применяются следующие типы диодов:

А) выпрямительные

B) импульсные

С) тунельные

D) оптические

E) сверхвысокоскоростные

F) электронные

G) усилительные

H) дифференциальные

$$$ Для выпрямительных диодов характерно:

А) малые сопротивления и большие токи в прямом режиме

B) максимально допустимая частота входного напряжения

С) особенностью является высокое значение допустимого обратного движения (сотни В и выше)

D) диффузионная емкость из- за большой площади перехода достигает значений десятков пикофарад

E) особенностью является низкое значение допустимого обратного напряжения

F) большие сопротивления и малые токи в прямом режиме

G) малые сопротивления и малые токи в прямом режиме

H) большие сопротивления и большие токи в прямом режиме

$$$ Для стабилитронов характерно:

А) малая величина обратного тока

B) дифференциальное сопротивление на участке стабилизации равно 0,5÷200 Ом

С) рост температуры сопровождается ростом пробивного напряжения

D) рост температуры сопровождается уменьшением пробивного напряжения

E) большая величина обратного тока

F) увеличение температуры сопровождается уменьшением пробивного сопротивления

G) обратное сопротивление достигает сотен наноом

H) уменьшение температуры сопровождается ростом пробивного напряжения

$$$ Максимальный ток стабилитрона ограничивается:

А) Н_ст.мах ограничивается величиной максимальной мощности рассеяния Р_мах

B) минимальным током нагрузки и максимальным входным напряжением

С) ток, при котором стабилитрон будет греться и нужны дополнительные меры защиты

D) Н_ст.мах ограничивается величиной минимальной мощности рассеяния Р_мах

E) максимальным током нагрузки и минимальным входным напряжением

F) большей мощностью

G) минимальной емкостью

H) максимальным сопротивлением

$$$ Электрический переход (переход, ElectrHscher Ubergang- SperrchHcht, JunctHon)- это:

А) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом)

B) электрический переход (n_n⁺ переход, n_n⁺_Ubergang, N_N⁺ junctHon) между двумя областями полупроводника n_типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

С) электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n_типа, а другая р_типа

D) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом)

E) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или одинаковыми значениями удельной электрической проводимости

F) переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с одинаковыми типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (обе области может быть металлом)

G) электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно больше толщины области пространственного заряда

H) диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

$$$ Пробой p-n перехода (Durchbruch des pn- Uberganges, Breakdown of a P-N junctHon)- это:

А) лавинообразный процесс

B) тепловой пробой

С) электрический пробой

D) диффузионный пробой

E) область полупроводника, в которой имеет место непосредственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной р

F) явление фотоэффекта

G) явление оптоэффекта

H) импульсный пробой

$$$ Зависимость тока стока I_пр от одного из напряжений U_пр при фиксированной величине второго- это:

А) идеальная вольт- амперная характеристика

B) реальная вольт- амперная характеристика

С) линеаризованная вольт- амперная характеристика

D) выходная характеристика

E) входная характеристика

F) амплитудно- частотная характеристика

G) фазо- частотная характеристика

H) стокозатворная характеристика

$$$ Резкое изменение режима работы диода называется:

А) лавинным пробоем

B) туннельным пробоем

С) электрическим или тепловым пробоем

D) пробелом

E) передаточным пробоем

F) застоем

G) перерывом

H) непрерывным пробоем

$$$ Допустимый выпрямленный ток диода зависит:

А) от температуры окружающей среды

B) от подаваемого напряжения

С) от напряжения p-n перехода

D) от емкости p-n перехода

E) от температуры омических контактов

F) от точности энергии источника питания

G) от степени коэффициента инжекции

H) от индуктивности p-n перехода

$$$ Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения в источниках питания- это:

А) стабилитрон

B) стабистор

С) опорный диод

D) усилитель

E) диод Шотки

F) детекторный диод

G) варикап

H) лавинный диод

$$$ Инерционные свойства транзисторов обусловлены:

А) конечным временем «пролета» носителей заряда через область базы

B) конечным временем диффузии носителей тока в тело базы

С) процессами накопления и рекомбинации заряда в базе при коммутации ключа

D) временем дрейфа в эмиттере

E) временем неосновных носителей заряда в коллекторе

F) временем неосновных носителей заряда в стоке

G) длительностью рекомбинации в эмиттере

H) длительностью рекомбинации в истоке

$$$ База- это:

А) электрод, подключенный к центральному слою

B) электрод, занимающий самое меньшее место в структуре транзистора

С) электрод, управляющий значением тока, проходящего через транзистор

D) электрод, имеющий самое большое тело полупроводника

E) электрод, подключенный к внешнему слою

F) электрод, в области которого сосредоточено самое большое количество носителей заряда

G) место, где нет носителей заряда

H) место, где хранится важная информация

$$$ Главное отличие коллектора от эмиттера:

А) большая площадь p-n перехода

B) в области коллектора происходит экстракция носителей из базы

С) на нем рассеивается самая большая мощность

D) малая площадь p-n перехода

E) в коллекторе происходит рекомбинация носителей заряда

F) в коллекторе самая большое выходное сопротивление в режиме усиления

G) в коллекторе не выделяется тепло

H) коллектор не управляется в отличие от эмиттера

$$$ Прибор, имеющий 2 взаимодействующих p-n перехода называется:

А) биполярный транзистор

B) преобразователь сопротивления

С) усилитель

D) полевой транзистор

E) диод

F) варикап

G) стабилитрон

H) синхронизатор

$$$ В каком режиме транзистор используется для усиления сигнала с малыми искажениями:

А) усилительном

B) в нормальном режиме

С) активном

D) отсечки

E) насыщения

F) в неуправляемом режиме

G) в переключательном режиме

H) в ключевом режиме

$$$ Достоинство схемы с общим коллектором- это:

А) малое выходное сопротивление

B) возможность использования в выходных каскадах усиления

С) усиление тока

D) усиления напряжения

E) большое выходное сопротивление

F) малое входное сопротивление

G) большое передаточное сопротивление

H) усиления мощности

$$$ Режимы в которых может работать биполярные транзисторы:

А) отсечки

B) активном

С) насыщения

D) лавинном и тепловом

E) дырочном и пробойном

F) пассивном и активном

G) обеднения

H) обогащения

$$$ Схема включения транзистора, при которой обеспечивается максимальный коэффициент усиления по току и по напряжению:

А) схема с общим эмиттером

B) дифференциальный усилитель

С) усилитель

D) схема с общим коллектором

E) эмиттерный повторитель

F) повторитель тока

G) схема с общей базой

H) схема с общим заземлением

$$$ Модуляция толщины базы коллекторным напряжением- это:

А) изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

B) то, что при увеличении обратного напряжения U_кб коллекторный переход расширяется

С) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе, т.е. увеличение допустимого напряжения на коллекторном переходе

D) влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

E) изменение толщины базы из- за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

F) изменение толщины базы из- за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

G) изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе, т.е. уменьшение допустимого напряжения на коллекторном переходе

H) то, что уменьшение обратного напряжения U_кб коллекторный переход расширяется

$$$ Носители заряда, которыми обусловлен ток коллектора:

А) неосновными носителями заряда в области базы в области базы

B) неосновными носителями заряда в области коллекторного перехода

С) основными носителями в области коллектора

D) основными носителями в области базы

E) основными носителями в области эмиттера

F) только основными носителями в области базы

G) основными носителями заряда в области эмиттера и базы

H) неосновными носителями в области эмиттерного перехода

$$$ Температурные свойства полевых транзисторов обусловлены:

А) перемещением носителей заряда канала

B) потоком основных носителей протекающим через проводящий канал и упрвляемым электрическим полем

С) определением концентрации основных носителей

D) перемещение неосновных носителей заряда

E) перемещение неосновных носителей заряда в базе

F) перемещение неосновных носителей заряда в коллекторе

G) определением концентрации неосновных носителей в коллекторе

H) определением концентрации неосновных носителей в канале

$$$ Управление током в униполярном транзисторе:

А) на изменении сопротивлений канала вследствие изменения концентрации инжекторных носителей

B) управлении большими токами при затрате небольших мощностей

С) управление движением носителей заряда одного знака

D) на увеличение ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения

E) на изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения

F) на изменении емкости перехода

G) на изменении сопротивлении затвора и источника питания

H) на изменении индуктивности затвора и источника питания

$$$ Напряжение отсечки полевого транзистора- это:

А) это напряжение затвор- исток для транзисторов с управляющим p- n переходом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА

B) это напряжение затвор- исток для транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного значения, обычно 10 мкА

С) это- напряжение, в режиме которого ток через канал полевого транзистора не протекает

D) это- - напряжение, в режиме которого ток через канал полевого транзистора максимальный

E) это- напряжение, в режиме которого напряжение через канал полевого транзистора нет

F) напряжение U_зи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения тока стока

G) напряжение U_зи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения сопротивления стока

H) напряжение U_зи, при котором ток стока достигает заданного высокого значения тока истока

$$$ Напряжение смещения полевого транзистора:

А) служит для задания рабочего режима полевого транзистора

B) достигается коллекторным источником

С) достигается уменьшением тока стока

D) достигается эмиттерным источником

E) достигается базовым источником

F) достигается увеличением тока стока

G) изменением тока канала

H) увеличением сопротивлением базы

$$$ Начальный ток стока полевого транзистора- это:

А) напряжение равно нулю на стоке

B) ток стока в области насыщения U_зи=0 и при заданном напряжении U_си

С) ток в цепи стока при нулевом напряжении на затворе транзистора

D) это начальный ток стока при высоком напряжении на затворе и напряжение отсечки, которое нужно подать на затвор для запирания канала

E) ток стока в режиме обеднения

F) ток истока в режиме обогащения

G) сопротивление на стоке максимально

H) при нулевом напряжении на затворе и напряжение отсечки, которое нужно подать на затвор для запирания канала

$$$ Условное графическое изображение полевого транзистора изображено на рисунке:

С

З И

А) с управляющим p- n переходом и каналом n- типа

B) ПТУП с отрицательными носителями заряда в канале

С) ПТУП с электронами в канале

D) с управляющим p- n переходом и каналом p- типа

E) с изолированным затвором и встроенным каналом n- типа

F) с изолированным затвором и встроенным каналом p- типа

G) с изолированным затвором c индуцированным каналом n- типа

H) с изолированным затвором с индуцированным каналом p- типа

$$$ Условное графическое изображение полевого транзистора изображенного на рисунке:

С

З И

А) с изолированным затвором с встроенным каналом p- типа

B) ПТИЗ с положительными носителями заряда в канале

С) ПТИЗ с дырками в канале

D) с управляющим p- n переходом и каналом n- типа

E) с управляющим p- n переходом и каналом p - типа

F) с изолированным затвором и встроенным каналом n- типа

G) с изолированным затвором с индуцированным каналом n- типа

H) с изолированным затвором с индуцированным каналом p- типа

$$$ Выберите основные режимы работы полевых транзисторов ПТУП и ПТИЗ:

А) обогащения

B) обеднения

С) усилительный

D) накопительный

E) ограничительный

F) фазовый

G) увеличительный

H) уменьшительный

$$$ Основные параметры полевых транзисторов это:

А) коэффициент усиления µ

B) внутреннее сопротивление R_н

С) крутизна S

D) коэффициент трансформации k

E) коэффициент гармоник f

F) полное сопротивление z

G) коэффициент надежности n

H) h параметр

$$$ Выберите основные характеристики полевых транзисторов:

А) стоковая

B) передаточная

С) стоко- затворная

D) вольт- фарадная

E) гистерезисная

F) амплитудно- частотная

G) фазо- частотная

H) амплитудная

$$$ Напряжение на управляющем электроде тиристора служит для:

А) уменьшение мощности рассеяния

B) изменение его состояния

С) включение тиристора

D) увеличение мощности рассеяния

E) перехода в режим диода

F) перехода в режим варикапа

G) отключения симистора

H) выключения источника питания

$$$ Определите общее у туннельного диода и тиристора, ВАХ которого представлена на рисунке в рабочей точке С:

А) дифференциальное сопротивление

B) участок переходного процесса

С) и диод и тиристор уже не закрыты, но и не открыты

D) пиковое значение мощноти

E) участок минимальных значений тока и напряжения

F) участок открытого состояния диода и тиристора

G) пиковое значение емкости

H) пиковое значение индуктивности

$$$ Выберите график тиристора, полупроводникового диода и выходную характеристику транзистора:

1) 2) 3) 4)

5) 6) 7) 8)

А) 3

B) 4

С) 8

D) 1

E) 2

F) 6

G) 7

H) 5

$$$ Анодом тиристора называют электрод присоединенный к:

p

n

p

n

А) внешнему p- слою

B) внешнему слою с дырками

С) внешнему с положительными носителями слою

D) к внутреннему p- слою

E) внутреннему с положительными носителями

F) внешнему n- слою

G) внутреннему n- слою

H) среднему слою

$$$ КПД современных тиристоров достигает:

А) 99%

B) почти 100%

С) очень высок

D) 50%

E) 70%

F) 40%

G) очень мал

H) низкий

$$$ Существует четыре типа четырехслойных приборов, выберите их:

А) динисторы

B) тиристоры

С) симисторы

D) диоды

E) транзисторы

F) оптроны

G) стабилитроны

H) варикапы

$$$ Тиристор- полупроводниковый прибор с:

А) двумя устойчивыми состояниями, имеющий три (и более) p- n перехода

B) переключением из закрытого состояния в открытое и наоборот

С) четыремя чередующимися слоями p- и n- типа проводимости (p- n- p- n), образующих три электронно- дырочных перехода

D) одним устойчивым состоянием

E) с одним переходом

F) с одним взаимодействующим переходом

G) тремя участками с дифференциальным сопротивлением

H) энергии тока с заземленной нагрузкой

$$$ Динистор (диодный тиристор)- это:

А) имеет два вывода (нет управляющего электрода)

B) он включается в проводящее состояние при подаче на них прямого напряжения, большего «напряжения включения»

С) он остается в проводящем состояний до тех пор, пока ток через него не уменьшить до уровня «тока выключения» или не снять анодное напряжение

D) имеет два вывода (есть управляющий электрод)

E) имеет три вывода (нет управляющего электрода)

F) это стабилизатор

G) это преобразователи сопротивлений

H) это генераторы сигналов

$$$ Существенные отличия тиристоров от транзисторов заключаются в следующем:

А) открываются и закрываются при кратковременной подаче существующих сигналов

B) имеют свойство «запоминать» заданное им внешним сигналом электрическое состояние

С) применяются как переключатели, реле времени, регуляторы напряжений, импульсные генераторы, управляемые выпрямители, инверторы

D) применяются как усилители

E) имеют свойство бесконечного сопротивления

F) применяются как стабилизаторы

G) применяются как источники питания

H) применяются как диоды

$$$ Отличия фототиристора- это:

А) фототиристор так же, как фототранзистор обладает большим внутренним усилением фототока

B) четырехслойную структуру p- n- p- n

С) основная часть излучения входного диода направлена на высокоомную базовую область n- фоторезистора

D) фототиристор так же, как и фототранзистор обладает малым внутренним усилением фототока

E) имеет однослойную структуру

F) применяется как преобразователь энергии

G) применяется как широкополосный усилитель

H) применяется как избирательный фильтр

$$$ По функциональному назначению усилители делятся на:

А) усилители тока

В) усилители напряжение

С) усилители мощности

D) усилители емкости

H) усилители индуктивности

F) усилители угла

G) усилители сопротивление

$$$ Чему равен коэффициент усиление?

А) К_U=20lg(U₂/U₁)

В) К_P=20lg(P₂/P₁)

С) К_I=20lg(I₂/I₁)

D) К_ДБ=20lg(U_выхmax/U_выхHn)

E) К_ДБ=20ln(U_вых/U_выхHn)

H) К_ДБ=20ln(H_вых/H_BX)

F) К_ДБ=20ln(U_вых/U_BX)

G) К_ДБ=20ln(P_вых/P_BX)

$$$ Что оценивает коэффициент гармоник?

А) статические (нелинейные) искажения;

В) динамические (амплитудные) искажения

С) динамические (фазовые) искажения

D) вибрации

Е) сопротивление

H) ослабление синфазного сигнала

F) влияние обратной связи

G) индуктивные искажения

$$$ Характерная особенность усиления класса А-

А) наличие смещения, низкий К_Н и низкий кпд

В) выполнение условия ∆Н<Нкп

С) напряжения смещения Uсм должно быть положительным и превосходить максимальную амплитуду напряжение Uс

D) высокий К_н и низкий кпд

Е) наличие смещение, низкий К_н и высокий кпд

H) наличие смещение, высокий К_н и высокий кпд

F) наличие смещение, высокий К_н и высокий кпд и коэффициент усиления

G) наличие смещение, высокий К_н и высокий кпд и низкий коэффициент усиления

$$$ Характерная особенность усиления класса В-

А) отсутствие смещение, высокий К_Н и высокий кпд, Q=90⁰

В) ток в выходной цепи транзистора протекает только в течении пловины периода изменения напряжения входного сигнала

С) рассеиваемая мощность в каскаде при условии U_c=0

D) наличие смещения, , высокий К_Н и высокий кпд, Q>90⁰

Е) отсутствие смещение, низкий К_Н и высокий кпд, Q<90⁰

H) отсутствие смещение, высокий К_Н и низкий кпд, Q=90⁰

F) емкость в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины перида изменения напряжения входного сигнала

G) сопротивление в выходной цепи транзистора протекает только в течении половины периода изменения напряжения входного сигнала

$$$ Характерная особенность усиления класса АВ-

А) наличие смещения, К_нА< К_нАВ < К_нВ, η_А< η_АВ< η_В и Q>90⁰

В) в классе АВ Uсм=UБЭ=0

С) в классе АВ Uсм=U_БЭ>0

D) отсутствие смещения, К_нА< К_нАВ < К_нВ, η_А< η_АВ< η_В и Q<90⁰

Е) наличие смещения, К_нАВ > К_нВ, η_АВ> η_В и Q<90⁰

H) наличие смещения, К_нАВ > К_нВ, η_АВ< η_В и Q>90⁰

F) ток в выходной цепи транзистора протекает больше половины периода изменения напряжения входного сигнала

G) в классе АВ Uсм=U_БЭ<0

$$$ Характерная особенность усиления класса Д-

А) ключевой режим и очень высокий кпд

В) η близок к 1

С) неключевой режим и низкий кпд

D) наличие смещение, высокий К_Н и низкий кпд

Е) ключевой режим, но низкий кпд

H) наличие смещения, низкий К_Н и высокий кпд

F) транзистор находиться либо в состоянии включено или выключено

G) в выходной цепи в классе D: Hk max Hk mHn

$$$ Процесс передачи сигналов в усилительных трактах в направлении, обратном основному, т.е.с выхода на вход, называется…

А) обратной связью, которая повышает входное и выходные сопротивление

В) обратной связью, которая снижает коэффициент усиления каскада

С) обратной связью, которая расширяет полосу усиливаемых частот

D) передаточной функцией

Е) демпфированием

H) стабилизацией

F) обратной связью, которая расширяет коэффициент усиления

G) обратной связью, которая расширяет полосу усиливаемых частот

$$$ Устройство сравнения аналоговых сигналов это

А) компаратор

В) устройство выполняющее функции сравнения двух выходных сигналов между собой

С) устройство для сравнения двух напряжений и выдачи результата сравнения в логорифном форме

D) дифферентатор

Е) интегратор

H) сумматор

F) устройство выполняющее функции сравнения двух выходных сигналов между собой

G) устройство выполняющее функции суммирование одного выходного сигнала с некоторым вперед заданным эталонным уровнем

$$$ В реальных усилительных устройствах коэффициент усиления (передачи) сильно зависит от…

А) параметров используемых элементов

В) от условии эксплуатации, изменения Т⁰С

С) от изменения напряжения питания

D) от местных характеристик

Е) от внутренной ВАХ

H) от комбинированных приборов

F) от увеличения напряжение

G) от уменьшения напряжения питания

$$$ Если ОС снимается с R_H или с RHHR_H и U_OC изменяется пропорционально выходному напряжению, то это ОС…

А) по напряжение

В)по разности птенциалов

С) по U

D) по току

Е) параллельная

H) последовательная

F) по Q

G) по U

$$$ Если ОС снимается с сопротивления, последовательного R_H и изменение напряжения обратной связи пропорционально изменению тока, то это ОС…

А) по току

В) по Н

С) по величине обратной сопротивлению

D) по напряжению

Е) последовательная

H) параллельная

F) по Р

G) по Q

$$$ Преимущества схемы с ОБ по сравнению с ОЭ

А) шире частотной диапазон

В) малое R_ВХ

С) большое R_ВЫХ

D) K_H=1<<K_U

Е) малые нелинейные искажения

H) никаких преимуществ нет

F) R=∞

G) R=0

$$$ Тип ОС, который предусмотрен в схеме эмиттерного повторителя

А) 100% последовательная ООС но напряжению

В) 100% последовательная ООС по разности потенциалов

С) 100% последовательная ООС по U= φ₁- φ₂

D) 100% параллельная ПОС по току

Е) 100% последовательная ООС по току

H) 100% параллельная ПОС по напряжению

F) 100% последовательная ООС по сопротивлению

G) 100% последовательная ООС по мщности

$$$ Рассчитайте выходное напряжение U_вых в схеме эмиттерного повторителя

А) входному напряжению U_вх

В) выходной сигнал повторяет входной сигнал

С) K_U=1

D) зависит от частоты входного сигнала

Е) половина входного напряжения U_вх

H) зависит от коэффициента делителя напряжения

F) K_U<1

G) K_U>1

$$$ Для согласования схем с высоким выходным сопротивлением со схемами с низким входным сопротивлением необходимо применить

А) эмиттерный повторитель

В) схему с общим коллектором

С) схему биполярного транзистора с внешней максимальной площадью

D) усилитель с ОБ

Е) усилитель мощности

H) ГСТ

F) схему биполярного транзистора с внешней минимальной площадью

G) схему с общим эмиттером

$$$ Наличие ложного выходного сигнала при закороченном входе (U_вх=) УПТ называется….

А) дрейфом нуля

В) самопроизвольном отклонением напряжения или тока на выходе усилителя от начального значения

С) компонентом широкополосного шума

D) синфазной помехой

Е) чувствительностью усилителя

H) дрейфом выходного напряжения

F) парафазной помехой

G)шумом

$$$ Основное достоинство ДУ в режиме покоя

А) отсутствие дрейфа нуля

В) отсутствие самопроизвольного отклонения напряжения на выходе усилителя от начального значения

С) отсутствие самопроизвольного отклонения тока на выходе усилителя от начального значения

D) простота конструкции

Е) наличие только одного источника

H) стабильность тока эмиттера

F) наличие двух источников питания

G) наличие трех источников питания

$$$ Основным недостатки в простейшей схеме усилителя мощности

А) очень высокий коэффициент нелинейных искажений К_Н

В) мал коэффициент К_р

С) высокий уровень шумов

D) трудность согласования с предыдущим каскадом

Е) мал коэффициент по напряжению К_U

H) малый коэффициент по току

F) низкий уровень шумов

G) малый коэффициент по мощности

$$$ Представленная на рисунке схема, служит для:

А) сдвига уровня напряжения предыдущего каскада

В) сдвига уровня U=φ1-φ2 предыдущего каскада

С) выполнение той же функции, что и делитель напряжения

D) увеличения выходного сопротивления предыдущего каскада

Е) уменьшения выходного сопротивления предыдущего каскада

H) увеличения выходного сопротивления последущего каскада

F) сдвига уровня емкости предыдущего каскада

G) сдвига уровня индуктивности предыдущего каскада

$$$ Дана схема каскада с разделенной нагрузкой и R_К= R_Э. Чему будут равны U_вых1 и U_вых2?

А) равны по амплитуде

В) противоположны по фазе

С) равны по максимальному значению напряжении

D) равны по амплитуде и фазе

Е) не равны по амплитуде, но по фазе равны по величине и знаку

H) не равны по амплитуде и фазы

F) противоположны по амплитуде

G) равны по минимальному значению напряжения

$$$ ДУ представляет – два УПТ общей эмиттерной нагрузкой R_Э или…

А) сбалансированный мост

В) параллельно – балансный мост

С) дифференциальный усилитель

D) несбалансированный мост

Е) мост Вина

H) двухкаскадный усилитель

F) схема Дарлингтона

G) схема Шотки

$$$ Если выходной сигнал ДУ снимается между коллекторами, то выход называется …

А) симметричным

В) равным по напряжению

С) устойчивым

D) несимметричным

Е) дифференциальным

H) инвертирующим

F) неустойчивым

G) симмисторным

$$$ Если сигнал подается на один из входов ДУ, а другой вход заземляется, то входы называется…

А) дифференциальным

В) параллельно-балансным

С) разностным

D) симметричным

Е) несимметричным

H) неинвертирующими

F) переключательным

G) разностным

$$$ Если выходной сигнал ДУ снимается с одного из коллекторов, то выход называется…

А) несимметричным

В) неравным

С) балансным

D) симметричным

Е) дифференциальным

H) инвертирующим

F) мостовым

G) противоположным симметричным

$$$ Для уменьшения действия синфазного сигнала на нормальную работу ДУ необходимо стабилизировать …

А) ток I_Э

В) ток в процессе эмиттерной инжекции

С) ток общих эмиттеров

D) напряжение источника питания Е_к

Е) ток I_К

H) ток I_б

F) ток общих коллекторов

G) ток в процессе рекомбинации

5. ГСТ должен иметь сопротивление для постоянного тока и переменной составляющей-

А) минимальное по постоянному току и максимальное по переменной составляющей

В) большое по переменной составляющей

С) малое по постоянному току

D) большой по постоянному току и малое по переменной составляющей

Е) оба маленьких

H) оба больших

F) сопротивление он не имеет

$$$ Основной задачей при проектировании схем ДУ является …

А) увеличение входного сопротивление R_вх

В) получение минимальных искажении

С) увеличение коэффициента усиления усилителя

D) выходного сопротивление R_вых

Е) ↓ коэффициента нелинейных искажений K_H

H) ↑ коэффициента частотных искажений K_f

F) уменьшение выходной мощности

G) увеличение выходной мощности

$$$ Если на входах ДУ установить эмиттерные повторители, то выходное сопротивление..

А) увеличится

В)R→∞

С) R=max

D) уменьшится

Е) уменьшится вдвое

H) будет равно выходному

F) R=0

G) будет минимальным

$$$ Отражатель токов ДУ обеспечивает высокий К и сигнал по току на однотактном выходе будет…

А) увеличен в 2β раз

В) увеличен дважды на коэффициент усиления по току

С) увеличен в 2h₂₁ раз

D) увеличен в β раз

Е) уменьшен в 2β раз

H) уменьшен β раз

F) увеличен в 2h₁₂ раз

G) увеличен в 2h₂₂ раз

$$$ В ДУ используется динамическая нагрузка, т.е. вместо резисторов R_к1 и R_к2 ставятся транзисторы VT₂ и VT₃, которые имеют низкое сопротивление по постоянному току и высокое-по переменному…..

А) для увеличения К_U

В) для увеличения коэффициента усиления по напряжению

С) для уменьшения отношения Uвых/Uвх

D) для увеличения К_Н

Е) для стабилизации I_Э

H) для увеличения R_вх

F) для увеличения коэффициента усиления по мощности

G) для увеличения отношения Uвых/Uвх

$$$Универсальный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и однотактным выходом это

А) операционный усилитель

В) УПТ

С) аналоговое устройство для усиления электрических сигналов

D) дифференциальный усилитель

Е) усилитель мощности

H) УНЧ

F) аналоговое устройство для уменьшение электрических сигналов

G) аналоговое устройство

$$$ Идеальный ОУ имеет следующей параметры:

А) K_U=∞

В) R_вх→∞

С) R_вых→0

D) K_U=∞, R_вх→0, R_вых→∞

Е) K_U=∞, R_вх→0, R_вых→0

H) K_U=0, R_вх→0, R_вых→∞

F) K_P=0

G) K_H=0

$$$ Назначение данной схемы защиты ОУ

А) от неправильной полярности включения питания

В) от ошибок полярности включения

С) от ошибок подедючания

D) от перенапряжения источника питания

Е) от короткого замыкания на выходе

H) от пробоя на входе при высоком входном напряжении

F) от увеличения тока

G) от холостого хода

$$$ Назначение данной схемы защиты ОУ

А) от перенапряжения источника питания

В) от критического увеличения напряжения

С) от ↑ Uист. питания

D) от неправильной полярности включения питания

Е) от пробоя на входе при высоком входном напряжении

H) от критического увеличения напряжения

F) от уменьшения токов

G) от уменьшения напряжения

$$$ Назначение данной схемы защиты ОУ

А) от пробоя на входе при высоким входном напряжении

В) от пробоя на входе при ↑ Uвх

С) от пробоя на входе при высоком Uвх

D) от неправильной полярности включения питания

Е) от перенапряжения источника питания

H) от короткого замыкания на входе

F) от перепадов токов

G) от перепадов напряжения

$$$ Функции выполняемые транзисторами VT₃ и VT₄ в схеме трех каскадного ОУ

А) отражателя тока

В) динамическая нагрузка

С) генераторов стабильного тока

D) согласующего усилителя

Е) для баланса моста

H) стабилизации напряжения выхода

F) для уменьшения отношения Uвых/Uвх

G) статическая нагрузка

$$$ Функции выполняемые составными транзисторами VT₅ и VT₆ в схеме трех каскадного ОУ

А) усилитель амплитуд (β=β₅*β₆)

В)двухтактное усиление амплитуд

С) усиление выходного сигнала

D) делителя напряжения

Е) отражателя тока

H) уменьшения дрейфа напряжения

F) для увеличения коэффициента усиления по емкости

G) для увеличения отношения Uвых/Uвх

$$$ Функции выполняемые С_к для составного транзистора VT₅ и VT₆ в схеме трех каскадного ОУ

А) частотной коррекции

В) регулировка частоты

С) управление частоты

D) увеличения К_f

Е) стабилизации Н_Э

H) увеличения К_Н

F) стабилизация сопротивления

G) стабилизация источника питания

$$$ Функции выполняемые транзисторами VT₇ и VT₈ в схеме трехкаскадного ОУ

А) для двухтактного усиления мощности

В) усиления мощности в классе АВ

С) поочередного усиления в классе АВ

D) для двухтактного усиления мощности в класса В

Е) для двухтактного усиления мощности в класса А

H) для двухтактного усиления мощности в класса Д

F) увеличения емкости

G) уменьшения коэффициента усиления

$$$ По виду амплитудой характеристики ОУ определите его тип

А) неинвертирующий ОУ

В) ОУ с разбалансом

С) ОУ со смещением

D) инвертирующий ОУ с разбалансом

Е) инвертирующий ОУ

H) ОУ равный Uвых=0

F) ОУ равный Uвх=0