Завдання до лабораторної роботи

1. Ознайомитися з конструктивно-технологічними властивостями мікросхем К2УС 371 і К1УТ 221.

2. Вивчити принципові електричні схеми названих мікросхем.

3. За допомогою оптичного мікроскопа вивчити топологію мікросхем. В заданому масштабі на міліметровому папері скласти для них топологічні креслення.

4. Виміряти значення опору п’яти резисторів в емітерних ланцюгах транзисторів ГІС К2УС 371. Занести дані у таблицю 1.

Таблиця 1

Резистори Параметри
Опір , Ом Довжина , мм Ширина , мм Площа , мм^2

Параметри , , в таблиці 1 визначаються при виконанні п. 3.

5. Перевірити функціонування ГІС шляхом вимірювання вихідного сигналу у номінальному режимі роботи та зіставлення результатів вимірювань з довідковими даними.

6. Перевірити функціонування напівпровідникових ІС в режимі диференційного підсилювача, подаючи на входи два сингали відомої амплітуди та знаку і перевіряючи сигнал на виході.

Контрольні питання

1. Визначте функціональне призначення мікросхем К2УС 371 і К1УТ 221.

2. Перелічіть конструктивні особливості мікросхем (корпус, контактування). Порівняйте їх за технологією виготовлення (підкладки, спосіб виготовлення пасивних, активних і сполучних елементів).

3. Дайте зображення і поясніть структуру резисторів обох мікросхем.

4. Дайте зображення і поясніть структуру транзисторів обох мікросхем.

5. Перелічіть фактори, що приводять до відхилень параметрів елементів від заданих значень для кожної мікросхеми. Як ці відхилення скажуться на функціонуванні кожної з них?

Додатки до лабораторної роботи Опис гібридної мікросхеми типу к2ус 371

Мікросхема типу К2УС 371 виготовлена по тонкоплівковій технології і конструктивно оформлена в прямокутний полімерний корпус з 14 виводами. Пасивні елементи (резистори) виконані із тонких плівок танталу, сполучені доріжки і контактні площадки – із нікелю. Тонкоплівкові елементи нанесені на сіталову підкладку розмірами (20х6) мм шляхом електронно-променевого розпилення металів. Задана топологія елементів забезпечена фотолітографією тонких плівок. Виділення резисторів і сполучених доріжок легко здійснюється при вивчені розкритої мікросхеми під мікроскопом і її мікрофотографії.

В якості активних навісних компонентів в даній мікросхемі використані безкорпусні транзистори типу КТ 317 з розмірами кристалу (1,1х1,1х0,8) мм.

Взаємозв’язок і роль елементів мікросхеми встановлюються по топологічному кресленню, занесеному в лабораторний журнал, і по принциповій електричній схемі (рис. 1). Вона представляє собою підсилювач низької частоти, до складу якої входять 5 транзисторів і 15 резисторів. Правильне функціонування мікросхеми забезпечується включенням її по визначеній схемі, що припускає використання додаткових навісних компонентів поза її корпусу (рис. 2).

Номінальне значення параметрів режиму схеми представлено в таблиці 2.

Рис. 1. Принципова електрична схема ГІС типу К2УС 371.

Рис. 2. Схема включення ГІС.

Таблиця 2

Uн..п. , В	Рпот ,Вт (не більше)	Uвих , В (Rн=6,5 Ом)	Uвх.ном , мВ	КТ, % (не більше) f=1 кГц, Uвих=1,88В	Uвих .макс, В (не менше)	fH, Гц	FБ, кГц
+1,0 +9,0 -3,4	50	1,8	15-30	0,3	2,2	60	10