5.6. Мдп-транзиторы с встроенным проводящим каналом

Устройство полевого МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным п-каналом показано на рис. 5.7. а.

Рис. 5.7. Устройство полевого транзистора с изолированным

затвором и встроенным проводящим каналом.

В этом случае в структуре МДП-транзистора при изготовлении методом диффузии формируется канал типа «п». При подаче на затвор отрицательного потенциала в канале индуцируются положительные заряды и формируется обедненный слой, который увеличивает удельное сопротивление канала. Этот процесс иллюстрирует рис. 5.7.б. При этом таком состоя­нии вольтамперные характеристики транзистора аналогичны характеристикам полевого транзистора с управляющим р-п переходом при отрицательном потенциале на затворе между истоком и стоком.

При подаче на затвор транзистора со встроенным каналом типа п положительного потенциала, то индуцированные отрицатель­ные заряды в канале приведут к снижению удельного сопротивле­ния канала, и прибор станет работать как МДП-транзистор с индуцированным каналом.

Выходная (а) и переходная (б) статические вольтамперные характеристики транзистора с встроенным «п» проводящем каналом приведены на рис.5.8.

Рис. 5.8. Статические вольтамперные характеристики МДП-транзистора

с изолированным затвором и со встроенным «п» проводящем каналом.

На рис.5.9. приведены условные обозначения полевых транзисторов на электрических схемах.

Рис. 5.9. Условные обозначения полевых транзисторов :

а) и б) – полевые канальные транзисторы с управляющим р-п переходом;

в) и г) – МДП-транзисторы с изолированным затвором и встроенными п и р проводяшими каналами;

д) и е) – МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированными п и р каналами.

5.7. Усилители сигналов на мдп -транзисторах

Интегральные усилители, а также логические схемы, используемые в устройствах автоматизации технологических процессов, в настоящее, как правило, стоятся на МДП-транзисторах. В интегральных схемах на МДП-транзисторах имеется возможность в качестве сопротивления нагрузки использовать те же транзисторы.

На рис.5.10.а приведена принципиальная схема усилителя импульсных сигналов на двух МДП-транзисторах с проводящими каналами р-типа.

Рис. 5.10. Принципиальные схемы усилителей (инверторов) на МДП-транзисторах с р-каналом (а) и на комплементарных (дополняющих)

КМДП-транзисторах (б).

Рассмотрим процессы в усилителе на МДП-транзисторах с р–проводящими каналами (рис.5.10а). Транзистор Т₁, на вход которого подается отрицательный импульсный сигнал, выполняет роль усилительного элемента. Транзистор Т₂создает сопротивление нагрузки. С истока этого транзистора снимается выходное усиленное напряжение. На сток транзистора Т₂подается отрицательное напряжение от источника постоянного напряжения -Ес. Вывод источника питания, находящийся под положительным потенциалом соединяется с истоком транзистора Т₁. На затвор транзистора Т₂подается отрицательное напряжение - Ес, открывающее транзистор Т₂. При подаче на затвор транзистора Т₁отрицательного импульса через транзисторы Т₁и Т₂протекает ток и выходе усилителя формируется усиленный положительный импульс. Рассмотренная схема выполняет также роль инвертора, изменяющего знак входного сигнала, и может быть использована в качестве логической схемы «НЕ».