- •Министерство образования и науки российской федерации
- •Теоретическое введение к лабораторным работам по физике твёрдого тела
- •1. Образование энергетических зон в кристалле
- •2. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •3. Собственная и примесная проводимость полупроводников
- •4. Примесная проводимость полупроводников
- •Вопросы к теоретическому введению
- •6. Литература
- •Лабораторная работа №7-1 Исследование температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников
- •1. Постановка задачи
- •1.1. Сопротивление, концентрация носителей заряда, подвижность.
- •1.2. Электропроводность металлов
- •1.3. Электропроводность полупроводников
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Обработка результатов измерений
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Лабораторная работа №7-2 Исследование электронно-дырочных переходов в полупроводниках
- •1. Постановка задачи
- •1.1. Проводимость полупроводников
- •1.2. Электронно-дырочный переход
- •1.3. Вольт-амперная характеристика
- •1.4. Применение полупроводниковых диодов
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •3.1. Исследование вольт-амперной характеристикиp-n-перехода при комнатной температуре.
- •3.2. Измерение температурной зависимости обратного токаp-n-перехода
- •4. Обработка результатов
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Дополнительное задание к лабораторной работе №7-2
- •Оглавление
- •625036, Г.Тюмень, ул. Володарского, 38.
- •625039, Г.Тюмень, ул. Киевская, 52
Министерство образования и науки российской федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЕГАЗОВЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Технологический институт
Кафедра физики, методов контроля и диагностики
ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА, часть 1
Методические указания
к лабораторным работам по дисциплине «Физика»
(лабораторные работы №№ 7-1 7-2)
для студентов технических направлений подготовки
очной и заочной форм обучения
Тюмень
2012
Утверждено редакционно-издательским советом
Тюменского государственного нефтегазового университета
Поставили лабораторные работы и составили методические указания преподаватели кафедры ФМД Тюменского государственного нефтегазового университета:
теоретическое введение |
- |
Т.Н.Строганова, к.ф-м.н., доцент, |
лабораторную работу № 7-1 |
- |
О.С. Агеева, к.т.н., доцент В.А. Антипьева, к.х.н., доцент В.Ф.Новиков, д.ф-м.н., профессор, |
лабораторную работу № 7-2 |
- |
О.С. Агеева, к.т.н., доцент, |
Редакторы: О.С.Агеева, Т.Н.Строганова
Тюменский государственный нефтегазовый университет, 2012
Теоретическое введение к лабораторным работам по физике твёрдого тела
1. Образование энергетических зон в кристалле
Согласно квантовой механике энергетический спектр изолированного атома представляет собой систему узких уровней энергии (рис.1)
| ||
Рис.1. Энергетические уровни изолированного атома |
|
Рис.2. Образование энергетических зон в кристалле - расстояние между атомами - период кристаллической решётки |
Вследствие электромагнитного взаимодействия между Nатомами кристаллической решётки верхние энергетические уровни электронов расщепляются, образуя энергетические зоны порядка электрон-вольта. Внутри расположеныN энергетических уровней, на которых могут располагаться по два электрона с антипараллельными спинами. Эти уровни внутри зон часто называют подуровнями. В кристалле размеров 1 см3содержится приблизительно 1022атомов, следовательно, расстояние между уровнями внутри зоны порядка 10-22эВ. Это расстояние столь мало по сравнению с энергией теплового движения (имеющей величину порядкаkT0,025 эВ при комнатной температуре), что зоны можно считать практически непрерывными (рис.3). Поэтому требуется ничтожная энергия, чтобы перевести электрон в пределах зоны с одного уровня на соседний свободный уровень.
Рис.3. Расположение уровней внутри разрешенной зоны
Таким образом, при объединении атомов в кристалл вместо отдельных энергетических уровней атома образуются зоны разрешённых значений энергии (Р ), состоящие из близко расположенных уровней. Эти зоны разрешённых значений энергии отделены друг от друга запрещёнными интервалами энергии – запрещёнными зонами (З ). Энергия электрона не может принимать значений, лежащих в переделах таких интервалов (рис.2 и 3).
Различные энергетические уровни атома расщепляются в электромагнитном поле кристалла неодинаково. Уровни внутренних электронов, сильно взаимодействующих с ядром испытывают настолько слабое расщепление, что им можно пренебречь. Энергия же взаимодействия внешних электронов с ядром меньше, а влияние поля решётки больше, поэтому наиболее сильное расщепление испытывают уровни внешних валентных электронов.
Так как электрические, оптические и другие свойства кристаллов определяются состояниями валентных электронов, то на энергетических диаграммах принято изображать энергетическую зону валентных электронов и ближайшую к ней свободную зону.