- •Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины
- •Введение
- •1. Лабораторная работа № 1 Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
- •1.1. Цель работы
- •1.2. Указания по подготовке к лабораторной работе
- •1.3. Основные теоретические сведения
- •1.3.1. Транзистор
- •1.3.2. Эквивалентные схемы биполярного транзистора
- •1.3.3. Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы оэ
- •1.4. Описание лабораторной установки. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •1.4.1. Описание лабораторной установки
- •1.4.2. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •1.5. Порядок проведения работы
- •1.6. Обработка экспериментальных данных
- •1.7. Выводы по работе
- •1.8. Указания по оформлению отчёта
- •1.9. Вопросы для самопроверки
- •2. Лабораторная работа № 2
- •2.1. Цель работы
- •2.2. Указания по подготовке к лабораторной работе
- •2.3. Основные теоретические сведения
- •2.3.1. Выпрямительные диоды и стабилитроны
- •2.4. Порядок проведения работы
- •2.4.1. Установка прибора в нуль
- •2.4.2. Проведение измерений
- •2.4.2.1. Измерение параметров транзисторов
- •2.4.2.1.2. Измерение выходной проводимости транзистора:
- •2.4.2.1.3. Измерение коэффициента передачи тока транзистора:
- •2.4.2.1.4. Измерение обратного тока коллектора транзистора:
- •2.4.2.2. Измерение параметров диодов
- •2.4.2.2.1. Измерение обратного тока диода ir:
- •2.4.2.2.2. Измерение прямого напряжения диода:
- •2.4.2.3. Измерение параметров стабилитрона
- •2.4.2.3.1. Измерение напряжения стабилизации:
- •2.4.3. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •2.5. Вопросы для самопроверки
- •3. Лабораторная работа № 3
- •3.3.2. Каскад с общим эмиттером
- •3.3.3. Каскад с общим коллектором
- •3.4. Описание лабораторной установки
- •3.5. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •3.6. Порядок проведения работы
- •3.6.1. Каскад с общим эмиттером
- •3.6.2. Каскад с общим коллектором
- •3.7. Вопросы для самопроверки
- •4. Лабораторная работа № 4
- •4.3.2. Каскад на полевом транзисторе
- •4.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Общее задание на выполнение лабораторной работы
- •4.6. Порядок проведения работы
- •4.6.1. Каскад с общей базой
- •4.6.2. Каскад с общим истоком
- •4.6.3. Каскад с общим стоком
- •4.7. Вопросы для самопроверки
- •Список литературы
- •Содержание
1.3.3. Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы оэ
Реально измеренными величинами являются статические характеристики транзистора. Примерный вид входных и выходных характеристик исследуемого транзистора показан на рис. 1.4 и 1.5.
|
|
Рис. 1.4. Входные характеристики транзистора |
Рис. 1.5. Выходные характеристики транзистора |
Задаёмся режимом работы транзистора, например: ,. Данному режиму на входных характеристиках соответствует точка, а на выходных – точка. Через точкупроводим касательную к воображаемой характеристикепри. Это выполнить несложно, так как приведенные характеристики приипочти совпадают, а кривая придолжна лежать между ними. Затем произвольно проводим две прямые параллельно осям координат и получаем прямоугольный треугольник АВС. Его катеты соответственно равны:
; .
Находим Ом.
На выходных характеристиках проводим касательную через точку (касательная совпадает с характеристикойпри) и также произвольно проводим две прямые параллельно осям координат. Образуется треугольник, из которого имеем:
.
Определяем Cм.
Затем через точку проводим прямую, параллельную оси ординат, до пересечения с соседними характеристиками, построенными прии. Отрезок. Ему соответствует изменение тока базы
.
Находим .
Далее вычисляем физические параметры транзистора. Сопротивление эмиттера для выбранного режима равно:
Ом,
где и– токи коллектора и базы, соответствующие точкена выходных характеристиках транзистора (рис. 1.5).
Сопротивление базы равно:
Ом.
Сопротивление коллектора равно:
.
После расчёта физических параметров можно составить эквивалентную схему исследуемого транзистора.
1.4. Описание лабораторной установки. Общее задание на выполнение лабораторной работы
1.4.1. Описание лабораторной установки
Принципиальная схема для получения входных и выходных характеристик биполярного транзистора представлена на рис. 1.6. Лабораторная установка позволяет снимать статические характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ. Изменение токов и напряжений в цепи базы осуществляется с помощью регулируемого резистора R1, а в цепи коллектора – с помощью резистора R2.
|
Рис. 1.6. Схема лабораторной установки |
1.4.2. Общее задание на выполнение лабораторной работы
1. Снять входные статические характеристики биполярного транзистора при, включенного по схеме ОЭ.
2. Снять выходные статические характеристики транзистора при.
3. Построить графики статических характеристик транзистора.
4. Определить h-параметры для заданного режима транзистора по графикам его статических характеристик.
5. Вычислить физические параметры и составить эквивалентную схему транзистора.
Примечания:
1. Значения напряжения коллектор-эмиттер для снятия входных характеристик и значения тока базы для снятия выходных характеристик задаёт преподаватель.
2. Значения токов и напряжений, при которых следует рассчитать h-параметры транзистора, указаны в индивидуальных заданиях.