- •1. Общая характеристика микроэлектроники .
- •2. Основные направления развития микроэлектроники
- •3. Современная микроэлектроника и перспективы ее развития
- •1.Термическое вакуумноенапыление.
- •3) Метод
- •4) Метод
- •8.Изложите физические основы процесса диффузии
- •9. Опишите законы диффузии
- •Второй закон Фика
- •10. Опишите распределение примеси при диффузии из источника бесконечной мощности
- •11. Приведите пример распределения примеси при диффузии из источника ограниченной мощности
- •12. Перечислите физические основы метода ионного легирования
- •13. Поясните распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях
- •14. Приведите физические основы процессов эпитаксии
- •Механизм формирования слоев
- •Силановый метод
- •4. Методы удаления загрязнений.
- •2. Трудно воспроизводимы глубокие легированные области;
- •3. Сложное оборудование;
- •Силановый метод
- •22. Приведите примеры классификации полупроводниковых имс по конструктивно-технологическому исполнению
- •23. Поясните этапы формирования структуры имс по планарно-эпитаксиальной технологии
- •Транзисторы с барьером Шоттки
- •Имс на мдп структуре
- •26. Объясните сущность метода очистки поверхности полупроводниковых пластин и понятия «технологически чистая поверхность»
- •27. Приведите примеры методов получения тонких пленок в микроэлектронной технологии
- •28. Приведите примеры методов литографии с высоким разрешением
- •29 Билет
- •30 Билет
- •35 Билет
- •36. Поясните структуру имс по epic-технологии
- •37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии
- •38. Проанализируйте требования, предъявляемые к контактным системам для интегральных микросхем
- •39. Сравните достоинства и недостатки однослойных и многослойных контактных систем
- •40. Поясните методы формирования омических контактов и контактных систем
- •41. Проанализируйте дефекты контактных систем и методы их контроля
- •42. Опишите конструктивно-технологические особенности мдп имс
- •43. Поясните особенности изготовления тонкооксидных р-канальных мдп имс.
- •44.Проанализируйте технологию изготовления структур мдп имс с фиксированными затворами.
- •45.Приведите пример изготовления мдп имс с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.
- •46.Проанализируйте технологию изготовления структур кмдп имс.
- •47.Сравните методы улучшения качества мдп имс.
- •48.Приведите пример расчета однородности пленок при напылении.
- •49.Проанализируйте понятия наноэлектроника и нанотехнологии
- •50. Опишите особенности физических процессов в квантово-размерных структурах
- •51. Проанализируйте условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •52. Сравните квантовые нити и квантовые точки
- •53 Проанализируйте физические и технические основы работы растровых электронных микроскопов
- •54.Проанализируйте методы формирование квантовых точек
- •55 Проанализируйте принцип действия атомно-силового микроскопа
1. Общая характеристика микроэлектроники .
Микроэлектроника – это раздел электроники, охватывающий исследования и разработку качественно нового типа электронных приборов – интегральных микросхем и принципов их применения.
Основной задачей микроэлектроники является комплексная микроминиатюризация электронной аппаратуры – вычислительной техники, аппаратуры связи, устройств автоматики. Микроэлектронная технология позволяет резко расширить масштабы производства микро-электронной аппаратуры, создать мощную индустрию информатики, удовлетворить потребности общества в информационном обеспечении.
Интегральные микросхемы (ИС), являющиеся элементной базой микроэлектроники, предназначены для реализации подавляющего большинства аппаратурных функций. Их элементы, аналогичные обычным радиодеталям и приборам, выполнены и объединены внутри или на поверхности общей подложки, электрически соединены между собой и заключены в общий корпус. Все элементы или их часть создаются в едином технологическом процессе с использованием групповых методов изготовления.
Элементы полупроводниковой интегральной микросхемы – транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы – представляют собой совокупность различных полупроводниковых структур.
К таким полупроводниковым структурам относятся контакты металл-полупроводник, электронно-дырочные переходы, структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Физические явления и процессы в таких полупроводниковых структурах хорошо изучены и детально рассмотрены в научной и учебной литературе.
2. Основные направления развития микроэлектроники
На современном этапе электроника ускоренными темпами развивается в обоих традиционных направлениях: приборном и аппаратурном. С одной стороны, идет развитие самой электронной техники: совершенствуются приборы, такие как диоды, транзисторы, другие электронные приборы и создаются их новые классы. С другой стороны, на базе новых электронных приборов разрабатываются и выпускаются новые виды электронной аппаратуры для разнообразных областей применения.
Микроэлектроника явилась качественным результатом непрерывной миниатюризации электронной аппаратуры, стандартизации и унификации ее отдельных частей. Еще в эпоху электровакуумной электроники предпринимались шаги для уменьшения габаритов элементов электронной аппаратуры и создания конструктивно законченных унифицированных фунциональных узлов. Под последними понимают группы электронных элементов, способных выполнять определенные функции обработки сигналов: усиление, формирование, преобразование, генерирование и т.п. Такие конструктивно законченные узлы приобрели наименование модулей Создание ИС привело не только к техническому развитию электронных устройств в направлении их миниатюризации и уменьшения веса, но и явилось началом тех больших социальных изменений, которые обусловили современную революцию в микроэлектронике.
3. Современная микроэлектроника и перспективы ее развития
Перед микроэлектроникой стоят задачи:
1. Повышать качество уже выпускаемых изделий – надежность, снижение стоимости, рост % выхода.
2. Совершенствовать параметры изделий.
Для этого нужно:
1) Увеличивать степень интеграции
2) Увеличивать быстродействие
3) Снижать рассеиваемую мощность
Это позволит увеличить объем обрабатываемой информации.
Важнейший вопрос – увеличение степени интеграции, что сводится к уменьшению размеров элементов конструкции ИС. Существует два вида ограничений :
а) физические
б) технологические.
Статистическая воспроизводимость технологического процесса.
Пусть l – размер конструктивного элемента.
При l >> a, a – атомный размер, постоянная решетки (а ≅ 3Å)дискретность атомов не проявляется, тогда размер l макроскопичен. Материал рассматривается, как непрерывная среда.
При l ≅ a размер микроскопичен. Каждый атом или небольшая группа атомов рассматривается как самостоятельный объект.
При l = (10 –100)a объект мезоскопичен. Свойства такого объекта статистически неустойчивы. Или, другими словами: мезоскопические эффекты связаны со статической неопределенностью свойств изучаемых объектов.
Перспективы развития технологии цифровых ИС.
ГОДЫ |
1992 |
1995 |
1998 |
2001 |
2004 |
2007 |
2010 |
Мин. размер, мкм |
0.50 |
0.35 |
0.25 |
0.18 |
0.13 |
0.10 |
0.07 |
Площадь ИС (логика), см2 |
2.5 |
4.0 |
6.0 |
8.0 |
10.0 |
12.5 |
16.2 |
Площадь ИС (память), см2 |
1.3 |
2.0 |
3.2 |
5.0 |
7.0 |
10.0 |
14.0 |
Плотность дефектов, 1/см2 |
0.1 |
0.06 |
0.03 |
0.01 |
<0.01 |
<0.01 |
<0.01 |
Стоимость обра-ботки, USD/ см2 |
4.0 |
3.9 |
3.8 |
3.7 |
3.6 |
3.5 |
<3.5 |
Стоимость лито-графии, USD/см2 |
1.4 |
1.4 |
1.3 |
1.3 |
1.3 |
1.2 |
<1.2 |
4. Технологический процесс изготовления ИС.
Производственный процесс изготовления ИС можно разделить на три участка: участок формирования структур на пластине, участок сборки и участок выходного контроля. Технологические процессы изготовления изделий в большинстве своем непрерывно- дискретные. Непрерывные технологические процессы не могут быть прерваны до их окончания. В случае их прерывания раньше окончание процесса в большинстве случаев изделие уходит в брак. Например, аварийное отключение печей при проведении диффузионных процессов практически приводит к браку всей партии пластин. Дискретные технологические процессы разделяются на отдельные операции. Эти процессы можно останавливать на определенное для каждого процесса время и после некоторого перерыва можно продолжать далее. Последствия такого перерыва в ходе процесса практически не отражаются на качестве изготовляемых изделий. Технологический процесс изготовления ИС также принадлежит к непрерывно- дискретному, так как состоит из двух самостоятельных непрерывно-дискретных процессов изготовления полупроводниковых кристаллов со структурой ИС и их сборки. Изготовление структуры на кристалле включает непрерывные и дискретные процессы химической обработки пластины, процессы диффузии, литографии, напыления алюминия, разделения пластин на кристаллы. Каждый из этих процессов включает ряд технологических и контрольных операций.
Последовательность технологических операций при изготовлении ИС на пластине кремния с диэлектрической изоляцией.
Современные технологические процессы изготовления ИС очень сложны. Анализ процессов изготовления показывает, что они проводятся при температурах, изменяющихся в диапазоне от – 100оС(криогенное травление) до +1100оС (окисление, диффузия, отжиг после ионной имплантации и др.), при давлении от атмосферного до 10-7 мм.рт.ст. Столь широкие диапазоны вызваны необходимостью проведения с исходными материалами различных физических и химических процессов для получения структур ИС с удовлетворяемыми.
5.Физические основы технологии получения тонких пленок