4) Расчет радиальных размеров обмоток
W11 – число витков первичной обмотки в одном слое.
Здесь ε1 – расстояние между обмотками и ярмом магнитопровода. Рекомендуемая величина 2-5 мм;
W11 округляется до меньшего целого числа.
Принимаем W11= 95 витков одном слое обмотки ВН
m1 - число слоёв первичной обмотки.
m округляется до большего целого числа.
Принимаем m1 = 7 слоёв обмотки ВН
δ1 – толщина обмотки ВН
W12 – число витков вторичной обмотки в одном слое
W12 = 51 витка в одном слое обмотки НН (округляется до меньшего целого числа)
m2 = 2 слоя обмотки НН (округляется до большего целого числа)
δ2 – толщина обмотки НН
Расчетная ширина магнитопровода
Здесь:
Кр – коэффициент разбухания слоёв обмоток. (Кр=1,2 – 1,3)
ε 2 = (1-2) мм, расстояние между первичной обмоткой и средним стержнем;
ε 3 = (1-4) мм, расстояние между обмотками и правым стержнем;
δ1,2 = (0.5-1) мм, толщина изоляции между обмотками (лакоткань)
Должно выполняться условие Срасч < C
17,368 мм < 24 мм
Следовательно, обмотки поместятся на магнитопроводе.
Схема источника питания ±15 В
Спецификация (перечень элементов)
|
Поз. обозначение |
Наименование |
Кол-во |
Примечание |
|
Т |
Трансформатор на магнитопроводе типа ПЛМ 25х40х73 W1 = 630; D1=0.72 мм W2 = 100; D2=1,33 мм |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Транзисторы |
|
|
|
VT , VT |
КТ 829 А |
2 |
|
|
VT , VT |
КТ 315 B |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Диоды |
|
|
|
V1, V2, V3, V4 ,V6, V7, V8, V9 |
Д 303 |
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Стабилитроны |
|
|
|
V5, V10 |
KC 512 A |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Резисторы |
|
|
|
R1, R |
МЛТ-0,125 2кОм |
2 |
|
|
R2, R |
МЛТ – 0.125 560 Ом |
2 |
|
|
R3, R |
МЛТ-0.125 10 Ом |
2 |
|
|
R , R |
МЛТ-0.25 43 Ом |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Конденсаторы |
|
|
|
С1, С2 |
К50-60 25В, 4000мкФ |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Дроссели |
|
|
|
L1, L2 |
Д 271, 0,01Гн |
2 |
|