Отклоняющие системы
-
Электростатические:
2h – полное отклонение луча
Ua – напряжение на последнем
ускоряющем электроде
Однократно изогнутые пластины
Параметры:
-
– чувствительность к отклонению [мм/В]
-
Предельная частота сигнала: fпр [Гц] (частота Uпл)
(напряжение не должно меняться, пока эл-н между пластин)
fпр=15 [МГц]
Достоинства: большие fпр, мал.габариты и вес
Недостатки: мальенькое альфа и фи
-
Электромагнитные системы отклонения
h== – отклонение эл.луча
R=mv/qB
к - коэф. качества катушки
м=h/(I*n) – чувствительность к отклонению
Достоинства: большой угол отклонения(Фи=110о)
Недостатки: не могут работать на больших частотах, большие габариты, вес энергопотребление
ЭКРАН
1. Требования к люминофорам:
1)Высокое эффективное преобразование
энергии электронов в световую энергию
2)определенный цвет свечения
3)высокие физико-технические св-ва
4)термостойкость
2. Параметры экрана:
1)Световая отдача Ϧ (КПД экрана) (показывает отношение силы света, испускаемого к наблюдателю, к к мощности эл.луча)
Jc – сила света [КД]
Pэл – мощность эл.луча [Вт]
Ϧ=Jc/Pэл [КД/Вт] = 30-40%
2)Яркость свечения – В [КД/м2](показывает силу света с единицы площади экрана)
B=A*J(Ua-Uл)n, A и n – коэф. люминофора, J – плотность тока эл.луча, Ua – напряжение на последнем ускор.аноде, Uл – min ускоряющее напряжение при котором начинает светиться люм-р
3)Разрешающая способность – количество черных и белых точек на единице площади экрана, зависит от эл.луча и от зерна люм-ра (чем меньше, тем больше разрешение)
4)Время после свечения – свет люм-ра после прекращения воздействия на него эл.луча
5)Потенциал экрана
6)Разрушение люминофора (процесс катодного разрушения)
Решение: алюминированные экраны
(эл-ны с мал.размером проходят через
Al, а большие ионы стекают в виде тока)
Осцилографическая электронно-лучевая трубка
-
К –катод
М – модулятор
УЭ – ускоряющий
электрод
А1-А3 – ускоряющие
аноды
«У» - система вертикал.
отклонения луча, «Х» - система горизонт. отклонения луча
M-УЭ-А1-А2 – электронный прожектор
-
К-М-УЭ – триодный промежуток (Uк=0, Uм<0, +Uуэ)
Iл – ток луча, Iл=f(Uм) – модуляционная хар-ка
Uуэ>Uуэ’
Напряжение запирания – Uмзап=-D*Uуэ
D – проницаемость модулятора
-
Закон степени 3/2:
к, – зависят от режима работы
-
Действующее напряжение в центре модулятора
Uд=Uм+D*Uуэ
-
Крутизна модуляционной характеристики:
[мА/В]
-
В осцил.трубке имеются 2 линзы:
-
К, М, УЭ – имерсионная линза ( образует кроссовер пучка)
-
УЭ, А1, А2 – одиночная линза
Изменяя напряжение на М с помощью
резисторов меняем ЯРКОСТЬ, а напряже-
нием К-А1 фокусируем
-
Системы отклонения: только электростатическая
На «y» подается исследуемый сигнал
На «х» подается напряжение развертки
пилообразной формы.
Если на «у» и «х» нет напряжения, то луч в середине экрана.
-
А3 – последний ускоряющий анод.
ЗАПОМИНАЮЩАЯ ОСЦИЛОГРАФИЧЕСКАЯ ТРУБКА
КВ – прямонакальный
катод воспроизведения
КОЛ – сетка-коллектор
вторичных эл-нов
Мишень – тонкая диэ-
лектрическая мишень
-
Стадии работы:
-
Подготовка мишени: Uмиш=Uк=0 (σ<1). Поверхность мишени - гладкая
-
Запись изображения: откл. КВ и вкл. записыв.прожектор. Луч образует рельеф
-
Воспроизведение сигнала(изображения)
Вкл. КВ, эл-ны в мишени ускоряются и вырываются на экран
-
Стирание изображения: аналогично 1-ой стадии
ИНДИКАТОРНАЯ (РАДИОЛОКАЦИОННАЯ) ТРУБКА
МФЛ – магн.фокусирующая линза
Линзы:
1)К,М,УЭ – имерсионный
объектив
2)УЭ, А1 – имерсионная линза(ко-
роткофокусная)
3)МФЛ – окончательная фокусировка
КИНЕСКОП
-
Изображение должно быть достаточно ярким, чтобы его можно было наблюдать при дневном освещении
-
Изображение должно быть достаточно контрастным, чтобы можно было отличать тона
-
Высокая разрешающая способность
-
Размер экрана по диагонали 30..40 см
Чтобы +ионы не портили катод -
-
Отказ от круглого экрана и переход к прямоугольному
1)К,М,1УЭ – имерсионный
объектив
2)1УЭ, 2УЭ – имерс.линза
3)2УЭ, А1, А2 – одиночная
линза
ЦВЕТНЫЕ КИНЕСКОПЫ
Поступающий сигнал делится
на 3 цвета и эти составляющие
поступают на свои модуляторы
При помощи люминофора:
лучи попадают на свои зерна
люминофора
1)дельтовидно расположение эл.прож. под углом 120гр., в маске круглые отверстия
2)планарное расположениеэл.прож. в ряд, в маске прорези
КИНЕСКОПЫ ТИПА ТРИНИТРОН
2 – модулятор; 3,4 –управляющие
электроды; 5,6 – ускоряющие катоды
6,7 – система сведения лучей;8 – метал
сетка, 9 – экран
ПЕРЕДАЮЩИЕ ЭЛТ
Преобразование изображения в сигнал
СУПЕРОРТИКОН
1 – п/п катод
2,5,6,7 – ускоряющие
электроды
8 – фокус.катушка
9 –отклоняющая
катушка
10 – корректирующая
катушка
11 – катод и модулятор электронной пушки
12 – анод эл.пушки
13 – диноды (электроды, покрытые составом с большим коэф. вторичной эмиссии)
14 – анод электронного умножителя
3 – сетка-коллектор вторичных эл-нов
4 – диэлектрическая мишень (обладает хорошей поперечной проводимостью и плохой продольной)
1)На фотокатоде преобладает свет в эл.изображении
2)U на 2, чтобы коэф.втор.эмиссии >1
3)Из эл.изображения преобразуется в потенциал.изображение
6)6 и 5 тормозят эл-н до определенной энергии (из катода к 4)
7)система динодов
ВИДИКОН
1 - термокатод
2 – модулятор
3,4 – ускоряющие аноды
5 – сетка-коллектор
6 – фотосопротивление
7 – прозрач.металл. пластина
8 – фокусирующая катушка
9 – подстроечная катушка
10 – отклоняющая катушка
-
5,6,7 – образуют много «С»-конденсаторов (пластина+диэл+пластина). Получаем
конденсаторное поле. Каждый С заряжается
в соответствии с падающем на него Ф.
2)При попадании эл.луча в промежуток между С, он разряж.
ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Преобразуют свет в эл.сигнал
ВАКУУМНЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ
-
А – тонкое металл. кольцо, ФК – фотокатод
P=(10-3..10-4)Тор, > d
Рабочий режим – режим
насыщения.
-
Ограничение: снизу от 0 до А
сверху от Б и выше
-
Основные параметры:
1)Коэф.интегральной чувст-и
2)Коэф.спектральной чувст-и
3)Темновой ток – Iтем (из-за терм.эл.эмиссии)
4. Нагрузочная прямая:
Ea = Uвых+Ua
Ea = Ia*Rн+Ua – уравнение нагрузочной прямой
Если Ua=0, то Ia=Ea/Rн
Если Ia=0, то Ua=Ea
-
Недостатки: малые значения коэф-та интегральной чувствительности k=I/Ф
ГАЗОРАЗРЯДНЫЙ (ИОННЫЙ) ФОТОЭЛЕМЕНТ
Газ – аргон, Par=(10..1)Па, <=d
Rб – баластное сопротивление
Из газа выбиваются дополнительные э-ны
I – режим ограничения тока
пространственным зарядом
II – режим насыщения
III – режим газового усиления (темновой
(тихий) разряд)
Ui – потенциал ионизации
Kгу = Iраб/Iэм – коэф.газового усиления
Rб – необходим для предотвращения
развития других форм разряда
ОДНОКАСКАДНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ (ФЭУ-1)
-
P = 10-2..10-3 Па, >>d(между катодом и дин.)
Ua > Uд(если нет, эл-н не полетит на A),
σ>1(коэф.втор.эмиссии)
σ = Ia/Iэм = М – коэф.усиления
к – коэф.интегральной чувствительности
к – коэф. спектральной чувствительности
Iт – темновой ток
-
ВАХ:
Ia = f (Ua) при Uд=const
Пока Ua < Uд тока не будет
Ia = f (Uд) при Ua = const
МНОГОКАСКАДНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ УМНОЖИТЕЛИ
-
Основные части
-
Входная камера
-
Система умножения (а – на дискретных динодах, б – на распределенном диноде)
-
Выходная камера (последний динод и анод)
Конструкция
1 – полупрозрачный
фотокатод
2 – кольцо
3 – диафрагма
4-7 – диноды
8 - анод
-
Входная камера состоит из: 1,2,3 – имерсионный объектив (фокусирующая линза).
-
Система умножения: состоит из 4,5,6
-
Выходная камера: состоит из 7,8
-
Параметры:
M – коэф.усиления (может быть до 106), М = σnαn
σ – коэф.втор.эмиссии, n – число каскадов умножения
α – коэф. токопередачи от динода к диноду (0,6..0,8)
коэф. интегральной чувст-и: Ка – по аноду, Ка = Ia/Ф
Кк – по катоду, Кк = Iк/Ф
К – коэф.спектральной чувствительности
Iтем – темновой ток
M – Ка/Кк
МНОГОКАСКАДНЫЙ ФЭУ ЖАЛЮЗИЙНОГО ТИПА
Uc1 < Uc2 < Uc3 < Ua
Достоинства: компактность
Недостаток: маленький М
МНОГОКАСКАДНЫЕ ФЭУ НА РАСПРЕДЕЛЕННОМ ДИНОДЕ
-
Распределенный динод:
-
Напряжение на диноде возрастает
с расстоянием
Uб > Ua
МКП МИКРОКАНАЛЬНАЯ ПЛАСТИНА (МКП)
Al (алюминий) – перехватывает ионы. На внутренних стенках отверстий нанесен окись свинца
Недостаток: В некоторых каналах образуется пространственный заряд из-за большого количества эл-нов
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕКИЙ ПРЕОРАЗОВАТЕЛЬ
-
Двойное преобразование энергии (свет -> эл-н -> свет( с другой лямбда))
Здесь появляется обратный Ф
и засвечивает ФК
ФК, А1, А2 – имерсионный
объектив
Ua1 = 10 кВ
Ua2 = 20 кВ
здесь блокируется обратный Ф
ЭОП на МКП
Ренгеновский ЭОП
ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ (ИОННЫЕ) ПРИБОРЫ
-
Газовый разряд:
-
Темновой
-
Тлеющий
-
Дуговой
-
Параметры разряда
-
Ток разряда Ip
-
Напряжение зажигания разряда Uзаж
-
Напряжение горения заряда Uгор
-
Необходимое условие разряда – наличие хотя бы одного свободного эл-на
E – энергия электрона
E > Ui(потенциал ионизации) -> эл-н удов. в атом и выбьет еще 1 эл-н -> ионизация
α – первый коэф. Таундсенда, коэф объемной электронной ионизации ( эл-н выбивает из атомов эл-н)
β – второй коэф. Таундсенда, коэф. объемной ионной ионизации ( положительный ион выбивает эл-н из атомов)
γ – третий коэф. Таундсенда, коэф. вторич. ион-электронной эмиссии ( полож. ион выбивает эл-н из катода)
ТИРАТРОН ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА (ЭЛ.КЛЮЧИ)
С токовым управлением
<=d
Сетка нужна для зажигания подготовитель-
ного разряда (тлеющий, самостоятельный
разряд)
-
Зажигание подготовительного разряда
(Катод-Сетка) (тлеющ.разряд) Ес > Еа > Ui
-
Зажигание основного разряда (Катод-анод) Еа > Ec
-
Выключить
разряд : Uгор < Ui
.
.
ТИРАТРОН ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА С ПОТЕНЦИАЛЬНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ
-
Зажигательный подготовительный разряд
(К-С) – накапливает эл-ны, Еа < Ec2 < Ec1
-
Основной разряд (А-К), Ea > Ec2
*1 – длинный разряд (не нужен)
*2 – использ. эта часть
3
-
Ua < Uc – Выключить тиратрон
ИНДИКАТОРНЫЙ ТИРАТРОН
К2 – плазменный катод
Ua1 > Ui подготов. разряд *1
Ua2 > Uа1 подготов. разряд *2
Основ. разряд и люмин. светится *3
1 – разряда нет, 2 – горит разряд
ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ ИНДИКАТОРНЫЕ ПАНЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
P =10 Па запуск. в отверстиях связи
К каждой ячейке подкл. 3 источника: Uстр, Uстл, Еа
Еа + Uстр + Uстл >=Ui – условие зажиг. разряда в ячейке
А – рабочая точка
Rб – для каждой ячейки свое, т.к. для
каждой ячейки свое Uз
Недостатки - нестабильность зажигания
разряда и невозможность создания на
базе этой панели цветной панели
ГИП с самосканированием
обеспечивает устойчивое зажигание разряда от импульса к импульсу и сканирование его по строкам. В конструкцию ГИП введены, кроме электродов, показанных на рис. 12.4, дополнительные аноды сканирования, размещенные в канавках стеклянной пластины (см. рис. 12.6), в катодах выполнены отверстия связи и введены также дежурные электроды и катод сброса. Сканирование разряда происходит по принципу перебрасывания разряда в декатроне, когда роль подкатодов выполняют аноды и катоды сканирования. Для формирования изображения используется индикаторный разряд, возникающий в отверстиях диэлектрической матрицы при подаче на аноды положительных импульсов. Дежурные электроды и катод сброса введены, чтобы начать сканирование, когда разряд доходит до последнего катода сканирования.
Наиболее часто ГИП с самосканированием используются для отображения буквенно-цифровой информации.
1 — аноды сканирования; 2 — электроды дежурного разряда;3 — катод сброса; 4 — диэлектрическая матрица с отверстиями;5 — аноды индикации; 6 — переднее стекло;7 — отверстия связи; 8 — катоды сканирования;9 — стеклянная пластина; 10 — канавки