Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Laba1.doc
Скачиваний:
38
Добавлен:
17.03.2016
Размер:
275.97 Кб
Скачать

Нелінійні елементи

Запобіжник

Запобіжник розриває ланцюг, якщо струм у ньому перевищує максимальний струм lmax. Значення Іmaх може мати величину в діапазоні від мА до кА. У схемах, де використовуються джерела змінного струму, значення lmax є максимальним миттєвим, а не діючим значенням струму.

Діод

Струм через діод може протікати тільки в одному напрямку — від анода А до катода К. Стан діода

(провідний чи непровідний) визначається полярністю нап­руги, що прикладена до діода.

Стабілітрон

Для стабілітрона (діода Зенера) працюючою - є негативна напруга. Зазвичай цей елемент використовують для стабілізації напруги.

Світловипромінюючий діод (світлодіод)

Світловипромінюючий діод випромінює видиме світло тоді, коли струм, що проходить через нього перевищує граничну величину.

Мостовий випрямляч

Мостовий випрямляч призначений для випрямлення змінної напруги. При подачі на випрямляч синусоїдальної напруги середнє значення випрямленої напруги Vdc можна приблизно обчислити по формулі:

,

де Vp – амплітуда вхідної синусоїдальної напруги.

Тиристор (керований вентиль)

У тиристора крім анодного і катодного виводів є додатковий вивід керуючого електрода. Він дозволяє керувати моментом переходу приладу в провідний стан.

Вентиль вимкнеться, коли струм керуючого електрода перевищить граничне значення, а до анодного виводу не буде прикладений позитивний перепад. Тиристор залишається у відкритому стані, доки до анодного виводу не буде прикладена негативна напруга.

Операційний підсилювач

Операційний підсилювач (ОП) — підсилювач, призначений для роботи зі зворотним зв'язком. Він має дуже високий коефіцієнт підсилення по напрузі, високий вхідний і низький вихідний опір. Вхід "+" є неінвертуючим, а вхід "-" інвертуючим. Модель операційного підсилювача дозволяє задавати параметри: коефіцієнт підсилення, напруга зміщення, вхідні струми, вхідні і вихідні опори.

Вхідні і вихідні сигнали ОП повинні бути задані відносно землі.

Біполярні транзистори

Біполярні транзистори є підсилювальними пристроями, що керуються струмом. Вони бувають двох типів: P-N-P і N-P-N.

Букви означають тип провідності напівпровідникового матеріалу, з якого виготовлений транзистор. У транзисторах обох типів стрілкою відзначається емітер, напрямок стрілки вказує напрямок протікання струму.

N-P-N транзистор має дві n-області (колектор С й емітер Е) і одну р-область (базу В).

P-N-P транзистор має дві р-області (колектор С й емітер Е) і одна n-область (базу В).

Польові транзистори (FET)

Польові транзистори керуються напругою на затворі, тобто струм, що протікає через транзистор, залежить від напруги на затворі. Польові транзистори містять у собі протяжну область напівпровідника п-типа чи р-типа, яку називають каналом. Канал закінчується двома електродами, що називаються джерелом і стоком. Крім каналу п чи р-типа, польовий транзистор містить у собі область із протилежним каналу типом провідності. Електрод, з'єднаний з цією областю, називають затвором. Для польових транзисторів у Electronics Workbench виділене спеціальне поле компонентів FET. У програмі є моделі польових транзисторів трьох типів: транзисторів з керуючим р-n переходом (JFET) і двох типів транзисторів на основі металлооксидной плівки (МОП-транзистори чи MOSFET): МОП-транзистори з убудованим каналом (Depletion MOSFETs) і МОП-транзистори з індукованим каналом (Enhancement MOSFETs).

Польові транзистори з керуючим р-n переходом (JFET)

Польовий транзистор з керуючим р-n переходом (JFET) — уніполярний транзистор, керований напругою, у якому для керування струмом використовується наведене електричне поле, що залежить від напруги затвора.

Для n-канального польового транзистора з керуючим р-n переходом: чим більш негативною буде напруга, що прикладається до затвора, тим менше буде струм

Польові транзистори з керуючим р-n переходом

У полі компонентів мається два типи таких транзисторів: n-канальний і р-канальний

У n-канальному польовому транзисторі затвор складається з р-області, яка оточена п-каналом.

У р-канальному польовому транзисторі затвор складається з п-області, яка оточена р-каналом.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]