11. Что такое режим Trim?

TRIM - это команда, позволяющая операционной системе сообщить SSD-диску о том, какие блоки данных больше не используются и могут быть очищены накопителем самостоятельно. Так как на внутреннем уровне реализация операций в SSD существенно отличаются от тех же операций в традиционных механических жёстких дисках, обычные методы ОС таких операций, как удаление файлов и форматирование диска, приводит к прогрессирующему ухудшению производительности операций записи на SSD.

Применение TRIM позволяет устройству SSD уменьшить влияние сборки мусора, которая в противном случае в дальнейшем выразится падением производительности операций записи в затронутые сектора. И тем самым значительно продлить срок эксплуатации SSD накопителя.

12. Как распределяется адресное пространство первого мегабайта памяти? Что такое барьер 640 к?

Операционная система MS-DOS создает сложную логическую структуру оперативной памяти: • основная (conventional) память занимает адресное пространство от 0 до 640 Кб, в нее загружаются операционная система, программы и данные;  • верхняя память (UMB — Upper Memory Blocks) занимает адресное пространство от 640 Кб до 1 Мб, в нее могут быть загружены драйверы устройств;  • высокая (high) память начинается после 1 Мб и имеет объем 64 Кб, в нее может быть частично загружена операционная система;

•память, которая располагается в адресном пространстве «выше» высокой памяти, может использоваться в качестве расширенной памяти или дополнительной памяти; однако память остается недоступной для программ и данных.

Барьер в 640 Кбайт актуален только для 16-битных программ, работающих под DOS. На работу 32-и 64-битных операционных систем (Microsoft Windows 4.x, NT, GNU/Linux и т. п.) барьер 

в 640 Кбайт практически не оказывает влияния.

13. Какие способы построения интегральных схем оперативной памяти Вы знаете? Приведите примеры их использования. Конструкция микросхем озу. Статическая и динамическая память.

• Логический — логическая схема (логические инверторы, элементы ИЛИ-НЕ, И-НЕ и т. п.).

• Схемо- и системотехнический уровень — схемо- и системотехнические схемы (триггеры, компараторы,шифраторы, дешифраторы, АЛУ и т. п.).

• Электрический — принципиальная электрическая схема (транзисторы, конденсаторы, резисторы и т. п.).

• Физический — методы реализации одного транзистора (или небольшой группы) в виде легированных зон на кристалле.

• Топологический — топологические фотошаблоны для производства.

• Программный уровень — позволяет программисту программировать (для ПЛИС, микроконтроллеров и микропроцессоров) разрабатываемую модель используя виртуальную схему.

В настоящее время (2014 г.) большая часть интегральных схем проектируется при помощи специализированных САПР, которые позволяют автоматизировать и значительно ускорить производственные процессы, например, получение топологических фотошаблонов.

ОЗУ предназначено для оперативной записи, хранения и считывания информации (программ и данных), непосредственно участвующей в информационно-вычислительном процессе, выполняемом компьютером в текущий период времени. 

Память динамического типа

(англ. DRAM (Dynamic Random Access Memory)) Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два).

Плюсы: 1.Дешево (один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов) 2. Компактно (там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов).

Минусы:. 1. Память на основе конденсаторов работает медленнее 2. конденсаторы склонны к «стеканию» заряда; проще говоря, со временем конденсаторы разряжаются.

Память статического типа

(англ. SRAM (Static Random Access Memory)) ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Используется для сверхбыстрого ОЗУ

Плюсы : 1. Скорость. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро.

Минусы: 1. Группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке.

2.Группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи..