- •31) Логический элемент и-не
- •32) Логический элемент или-не
- •33) Логический элемент исключающее или
- •37) Сведениями о параметрах и характеристиках транзисторов.
- •38) Сведениями о принципиальных электрических схемах усилителей.
- •7)Электронный полупроводник «n»-типа
- •8) Электронный полупроводник «p»-типа
- •9)Электронно-дырочный переход
- •14) Сведениями о меза-диоде
- •15) Сведениями об импульсных диодах.
- •21) Сведениями об импульсном режиме транзисторов.
- •2)Внутренняя структура полупроводника
- •3)Ковалентные связи атомов в кристалле полупроводника
- •13) Прохождение тока через электронно-дырочный переход
- •14) Вольтамперная характеристика «p-n» перехода
- •15) Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •10) Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •11) Электронно-дырочный переход при действии прямого напряжения
- •12) Электронно-дырочный переход при действии обратного напряжения
- •Характеристика
- •25) Сведениями о фототранзисторе
- •27) Сведениями об униполярных транзисторах
- •36) Сведениями об электронных усилителях.
- •25) Униполярные транзисторы
- •26) Схемы включения полевых транзисторов
- •27) Диодный и триодный тиристоры
Характеристика
17 ШОТТКИ ДИОД – полупроводниковый диод ,действие которого основано на использовании свойств контакта металл - полупроводник; названного по имени немецкогофизика В. Шоттки (W. Schottky; 1886-1976), создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. Применяется для преобразования электрических сигналов на частотах до 50 ГГц и как
свехбыстродействующий переключатель. При прохождении электрического тока через такой переход избыток электронов будет распределяться по приконтактной области металлического вывода создавая своего рода барьер (его назвали барьер Шоттки) и за счет этого образуются выпрямительные свойства. Причем высоту барьера можно еще и изменять меняя тем самым свойства диода.
18 Туннельный диод - имеющий на вольт-амперной характеристики с отрицательнымдифференциальным сопротивлением. При низких напряжениях (доли вольт) за счет туннельного эффекта ток через диод сначала растет, затем падает и при дальнейшем повышении напряжения (единицы вольт) ток снова растет, как и у обычного диода.
Вольт-амперная характеристика туннельного диода
Обращенный диод имеет при малых напряжениях (десятки мВ) проводимость в обратном направлении больше, чем в прямом. При напряжениях в неск. вольт прямая характеристика обращенного диода не отличается от характеристики обычного. Обращенные диоды используются для выпрямления малых переменых напряжений и детектирования сигналов с частотами до сотен МГц. Включаются в цепь диоды в обратном направлении.
25) Сведениями о фототранзисторе
Фототранзистором называют оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который отличается от обычного биполярного транзистора тем, что область базы доступна для светового облучения и за счет этого возникает возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения.
Выход фототранзистора зависит от длины волны падающего света, а так же от площади открытой переходной коллектор-базы и постоянного тока усиления транзистора.
Современными аналогами являются фотодиоды, в сравнении с ними, фототранзисторы могу производить больший ток, но при этом они очень чувствительны к перепадам напряжения в сети.
p-n-p фототранзистор:
27) Сведениями об униполярных транзисторах
Работа униполярных (полевых) транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа носителей заряда: инжекция носителей одного знака сопровождается компенсацией образующегося заряда носителями другого знака.
Униполярные транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором, так называемые МДП («металл-диэлектрик-полупроводник»)-транзисторы.
Отличия полевого транзистора от биполярного следующие: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем; полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления,что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов; полевые транзисторы могут обладать низким уровнем шума (особенно на низких частотах).
///дальше бла бла бла почему низкий шум, объяснение в Wiki, мелким шрифтом написал, что на мой взгляд можно не упоминать. Но кто его знает, будет ли он задавать вопросы «почему?» и «как?» что-то происходит.