- •1.1 Характеристика диапазона электромагнитных волн для оптической связи
- •1.2 Характеристика физических сред для передачи оптических сигналов
- •Устранение “водяного” пика
- •1.3 Характеристики материалов для изготовления источников и приемников оптического излучения и волноводов
- •1.4 Структурная схема оптической системы передачи
- •2.1 Мультиплексирование плезиохронное pdh
- •2.2 Мультиплексирование синхронное sdh
- •2.3 Мультиплексирование асинхронное atm
- •2.4 Мультиплексирование отн
- •2.5 Мультиплексирование Ethernet
- •2.5.1 Ethernet стандарта EoT itu-t g.8010 в оптической системе передачи
- •2.5.2 Схемы мультиплексирования Ethernet
- •3.1 Требования к излучателям
- •3.2 Светоизлучающие диоды. Конструкции, принцип действия, основные электрические и оптические характеристики
- •3.2.1 Конструкции светодиодов для оптической связи
- •3.2.2 Принцип действия светодиодов
- •3.2.3 Основные характеристики светодиодов
- •3.3 Лазеры. Конструкции, принцип действия, основные электрические и оптические характеристики
- •3.3.1 Определение лазера
- •3.3.2 Определение резонатора для лазера
- •3.3.3 Конструкции и принцип действия полупроводниковых лазеров
- •3.3.4 Классы лазерных устройств для систем оптической связи
- •3.4 Согласование источников оптического излучения с физическими средами
- •3.4.1 Соединение источника с волокном
- •3.4.2 Линзовые соединения
- •3.4.3 Вывод излучения в атмосферу
- •3.4.4 Перестройка частоты излучения лазера
- •4.1. Определение модуляции и классификация видов
- •4.2. Прямая модуляция
- •4.2.1 Модуляционные характеристики светоизлучающего диода
- •4.2.2 Модуляционные характеристики полупроводникового лазера
- •4.2.3 Шумы модуляции лазера
- •4.2.4 Схемотехнические решения для прямой модуляции излучения сид и ппл
- •4.2.5 Светодиодные, лазерные и интегральные передающие оптические модули
- •4.3. Внешняя модуляция оптического излучения
- •4.3.1 Электрооптическая модуляция
- •4.3.2 Электроабсорбционная модуляция
- •4.3.3 Модулятор Маха – Зендера
- •4.3.4 Акустооптическая модуляция
- •4.4. Сравнительная характеристика прямой и внешней модуляции
- •5.1 Определение фотодетектора. Виды фотодетекторов. Требования к фотодетекторам
- •5.2 Фотодиоды конструкции p-I-n. Принцип действия, основные характеристики
- •5.3 Лавинный фотодиод. Конструкция, принцип действия, основные характеристики. Преимущества лфд
- •5.4 Фотодиоды конструкции tap
- •5.5 Шумы фотодиодов. Эквивалентная шумовая схема фотодиода
- •6.1 Методы фотодетектирования (прямое детектирование и детектирование с преобразованем). Требования к фотоприемным устройствам
- •6.2 Фотоприемные устройства с прямым детектированием
- •6.3 Фотоприемные устройства детектирования с преобразованием
- •6.4 Усилители фотоприемных устройств. Электрическая и оптическая полоса пропускания
- •6.5 Оценка соотношения сигнал/шум на выходе фотоприемного устройства
- •6.6 Особенности построения фотоприёмных устройств при использовании модуляции nrz-dpsk
- •7.1 Принцип оптического усиления. Классификация и назначение усилителей
- •7.2. Полупроводниковые оптические усилители. Конструкции, принцип действия, основные характеристики
- •7.3 Волоконно-оптические усилители на основе редкоземельных элементов. Конструкция, принцип действия, основные характеристики
- •7.4 Оптические усилители на основе эффекта рассеяния
- •8.1 Способы построения линейных трактов оптических систем передачи
- •8.2 Требования к линейным сигналам одноволновых оптических систем передачи
- •8.3 Линейные коды оптических систем передачи. Классификация кодов и их характеристики
- •8.4 Алгоритмы формирования сигналов в линейных кодах восп
- •8.4.1 Алгоритм формирования скремблированного линейного сигнала
- •8.4.2 Алгоритмы формирования линейных сигналов в классе кодов 1в2в
- •8.4.3.Алгоритмы формирования линейных сигналов в классе кодов nBmB
- •8.5 Проектирование линейных одноволновых трактов восп. Ограничения длины регенерационного участка
- •8.6 Требования к линейным трактам систем с многоволновой передачей
- •8.7 Проектирование линейных трактов многоволновой передачи. Ограничение длины участка регенерации и ретрансляции
- •8.9 Упреждающая коррекция ошибок в оптических системах передачи
- •9.1 Оптические разъемные соединители (коннекторы)
- •9.2 Соединительные розетки и адаптеры
- •9.3 Оптические аттенюаторы
- •9.4 Оптические кроссы
- •9.5 Оптические ответвители (разветвители)
- •9.6 Оптические изоляторы (вентили)
- •9.7 Оптические фильтры, мультиплексоры и демультиплексоры
- •9.8 Оптические циркуляторы
- •9.9 Компенсаторы дисперсии
- •9.10 Преобразователи длин волн
- •9.11 Оптические коммутаторы и маршрутизаторы
- •9.12 Фотонные кристаллы
- •10.1 Определение оптического солитона
- •10.2 Нелинейные оптические эффекты в стекловолокне и существование солитонов
- •10.3 Принципы построения солитонных волоконно-оптических систем передачи
6.4 Усилители фотоприемных устройств. Электрическая и оптическая полоса пропускания
В сборках фотоприемных устройств в качестве предварительных усилителей (ПУс) применяются в основном два типа усилителей: интегрирующие и трансимпедансные.
Схема интегрирующего усилителя приведена на рисунке 5.6.
Рисунок 6.6 Упрощенная схема интегрирующего усилителя ФПУ
Входная цепь интегрирующего усилителя (ИУ) выполняется с использованием затвора полевого транзистора (рисунок 6.7).
Элементы входной цепи ФПУ представлены на рисунке 6.6 как эквивалентные (RЭ, СЭ). Эквивалентное сопротивление определяется
(6.6)
где RТ – сопротивление "затвор – исток", RД - сопротивление фотодиода, R1 - сопротивление смещения фотодиода, R2 - сопротивление смещения транзистора.
Рисунок 6.7 Принципиальная схема входной цепи ФПУ с высоким сопротивлением усилителя
Эквивалентная емкость определяется:
(6.7)
где СД – емкость фотодиода, СТ – входная емкость транзистора, СП – паразитная емкость соединений. Разделительная емкость СР (или СР1 и СР2) во внимание не принимается, т.к. имеет очень большую величину (СР >> СЭ) и на частотных свойствах входной цепи для информационных сигналов не играют роли.
Напряжение на входе усилителя без учета СЭ
(6.8)
где IФ – фототок, G – коэффициент усиления фотодиода (ЛФД).
Напряжение на входе усилителя с учетом СЭ
(6.9)
Напряжение на выходе усилителя
(6.10)
где К – коэффициент усиления усилителя.
Совмещение усилителя с корректором может расширить до требуемой величину полосы пропускания входной цепи ФПУ
(6.11)
Такой корректор может быть включен после усилителя и обеспечить условие
(6.12)
Кроме того, между фотодиодом и транзистором могут быть включены дополнительные устройства противошумовой коррекции (рисунок 6.8) [11].
Рисунок 6.8 Схема противошумового корректора
Достоинства схемы ФПУ с интегрирующим (еще называемым высокоимпедансным) усилителем состоят в следующем:
-
может быть получена благодаря коррекции любая полоса пропускания;
-
малые шумы;
-
простота схемы для реализации;
-
интегрируемость схемы фотодиода и усилителя.
Недостатки этой схемы связаны с ограниченным динамическим диапазоном сигнала и необходимостью индивидуального корректирования полосы частот усиления.
Схема трансимпедансного усилителя отличается от рассмотренной наличием отрицательной обратной связи (рисунок 6.9).
На рисунке 6.10 представлена принципиальная схема входной цепи ФПУ с трансимпедансным усилителем (ТИУ).
Рисунок 6.9 Упрощенная схема трансимпедансного усилителя ФПУ
Рисунок 6.10 Принципиальная схема ТИУ
Полоса частот пропускания ФПУ с ТИУ определяется из простого соотношения [8, 11, 15, 28]:
(6.13)
при условии, что ROC << RЭ.
Таким образом, выбором значений К и RОС может быть достигнута требуемая полоса частот усиления.
Достоинствами ФПУ с ТИУ являются:
-
большой динамический диапазон входных сигналов;
-
простота регулировки полосы частот усиления без дополнительных корректоров;
-
простота настройки схемы.
Недостатками следует считать:
-
возможную неустойчивость работы усилителя при разной глубине обратной связи в широкой полосе частот;
-
уменьшенное соотношение сигнал/шум на выходе усилителя из-за дополнительно шумящего сопротивления RОС.
Необходимо заметить, что в случае применения p-i-n ФД порог чувствительности определяется шумами схемы усилителя. При этом шум полевого транзистора существенно меньше шума биполярного транзистора, однако биполярный транзистор обеспечивает лучшую передачу энергии высоких частот. В случае использования ЛФД шум схемы усилителя имеет меньшее значение, а при больших коэффициентах G (лавинного умножения) совсем не влияет на порог чувствительности ФПУ.
Рассмотренным схемам ФПУ с ИУ и ТИУ можно поставить в соответствие эквивалентную электрическую схему (рисунок 6.11) и амплитудную частотную характеристику, по которой оценивается полоса пропускания (рисунок 6.12).
Рисунок 6.11 Эквивалентная электрическая схема ФПУ
Завалы АЧХ на нижних и верхних частотах обусловлены наличием в схеме разделительной емкости СР и емкостей СВХ УС, СВ, СД.
Со значением эквивалентной индуктивности LВ обычно не считаются, т.к. значение j LВ << 1/(j CЭ).
Рисунок 6.12 Амплитудно-частотная характеристика входной цепи ФПУ
С точки зрения согласования волоконно-оптической линии с фотоприемным устройством важно знать о соотношении полосы пропускания линии и ФПУ, т.е. оптической и электрической полос.
Полоса пропускания оптическая оценивается по уменьшению входной мощности на 3 дБ:
(6.14)
Полоса пропускания электрическая оценивается по уменьшению величины фототока на 3 дБ:
(6.15)
Таким образом, можно сравнить:
(6.16)
Уменьшение величины фототока в два раза соответствует 6 дБ, а уменьшение величины мощности составит 3 дБ. На рисунке 6.13 соотношение между полосами пропускания показано графически. При этом влияние разделительной емкости не учитывается.
Рисунок 6.13 Электрическая и оптическая полосы пропускания ФПУ
Установлено, что для импульсных сигналов, передаваемых в ВОСП, имеется следующее соотношение между скоростью передачи, электрической и оптической полосами пропускания [8, 82]:
(6.17)
(6.18)
где FЭ – электрическая полоса пропускания, FО – оптическая полоса пропускания, а соотношения (6.17) и (6.18) соответственно относятся к форме импульсов прямоугольной и гауссовской (колоколообразной).