- •1. Электрический заряд. Электризация тел. Закон Кулона
- •2. Эликтрическое поле. Изображение полей. Напряженность поля
- •3. Работа сил электрического поля по перемещеностью заряда
- •4. Потенциал поля и напряженение. Связь между напряжением и потенциалом...
- •5. Проводники в электрическом поле
- •6. Диэлектрики в электрическом поле.
- •7. Понятие электроемкости. Кондецаторы и их типы.
- •9. Виды соединений конецаторов и расчет общей емкости.
- •10. Электрический ток. Условия его существования.
- •11. Сила тока. Плотность тока
- •12. Закон ома для участка цепи. Сопротивление проводников.
- •13. Зависимость сопротивления проводников от его размеров, материала и температуры.
- •14. Последовательное соединение проводников.
- •15. Параллельное соединение проводников.
- •16.Электродвижущая сила источника тока. Закон ома для полной цепи.
- •17. Работа и мощность электрического тока.
- •18. Тепловое движение электрического тока. Закон Джоуля Ленца
- •19. Электрический ток в электро плитах. Закон Фарадея
- •20. Применение электролиза в технике.
- •21. Электрический ток в газах. Виды разрядов.
- •22. Электрический ток в вакууме. Двухэлектродная электронная лампа.
- •23. Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимость полупроводников.
- •24. Свойства п-н перехода. Полупроводниковый диод
- •25. Выпрямление переменного тока с помощью полупроводников
- •26. Транзистор. Его основные области. Назначения
- •27. Коэффициент усиления транзистора. Генератор на транзисторах.
- •28. Магнитное взаимодействие. Магнитное поле. Сила ампера.
- •29. Действие магнитного поля на проводник с током и его практическое применение.
- •30. Напряжённость магнитного поля. Магнитный поток.
- •31. Энергия магнитного поля. Магнитное поле в веществе. Ферромагнетизм.
- •32. Эдс в проводнике, движущемся в магнитном поле. Электромагнитная индукция.
- •33. Закон электромагнитной индукции.
- •34. Явление само индукции. Вихревые токи.
- •35. Практическое использование электромагнитной индукции. Генерирование переменного электрического тока. Передача электроэнергии на расстояние.
- •36. Принцип действия, устройство и работа трансформатора. Режимы работы трансформатора.
- •37. Векторные диаграммы для описания переменных токов и напряжений.
- •38. Резистор, конденсатор и катушка индуктивности в цепи переменного тока.
- •39. Закон ома для цепи переменного тока.
- •40. Колебательный контур в цепи переменного тока.
- •41. Понятия о трехфазном токе. Получение и применение.
- •42. Преимущества и недостатки трехфазных цепей переменного тока.
- •43. Электромагнитные колебания. Формула Томсона для описания электромагнитных колебаний.
- •44. Колебательный контур. Токи высокой частоты.
- •45. Токи низкой частоты. Переменный ток.
- •46. Электромагнитный волны, опыты Герца
- •47. Принцип радиосвязи. Изобретение радио а.С.Поповым. Модулирование и демодулирование.
- •48. Радиолокация. Понятие о телевидение. Развитие средств связи в России
- •49. Развитие взглядов на природу света. Скорость света и ее определение.
- •50. Принцип Гюйгенса. Законы отражения и преломления света.
- •51. Полное внутреннее отражение и его применение.
- •52. Интерференция света. Применение интерференции.
- •53. Дифракция света. Дифракционная решетка и ее применение.
- •54. Поперечность световых волн. Поляризация света. Электромагнитная природа света.
- •55. Элементы теории относительности. Постулаты теории относительности.
- •56. Относительность одновременности
- •57. Зависимость массы от скорости. Связь между массой и энергией.
- •58. Виды излучений. Источник света.
- •59. Спектры и спектральный анализ.
- •60. Инфракрасное, ультрафиолетовое и рентгеновское излучение.
- •61. Шкала электромагнитных волн.
- •62. Тепловое излучение. Явление фотоэффекта. Законы Столетства для фотоэффекта.
- •63. Применение фотоэффекта.
- •64. Давление света. Химическое действие света
- •65. Корпускулярно волновой дуализм. Волновое свойства света.
- •66. Строение атома. Опыт резерфорда.
- •67. Квантовые постулаты Бора. Модель атома по бору.
- •68. Поглощение и излучение света атомом. Лазер и его применение.
- •69. Состав атомного ядра. Энергия связи нуклонов в ядре
- •70. Естественная радиоактивность. Открытие радиоактивности.
- •71. Альфа, бета и гамма излучение и их биологическое воздействие.
- •72. Закон радиоактивного распада. Искусственная радиоактивность
- •73. Использование энергии деления ядер. Ядерная энергетика
- •74. Термоядерный синтез. Ядерное оружие.
- •75. Получение радиоактивных изотопов и их применение
24. Свойства п-н перехода. Полупроводниковый диод
Границу в кристалле полупроводника между областями n-типа и p-типа называют электронно-дырочным переходом или р — n-переходом.
Обедненный подвижными носителями заряда переходный слой, толщина которого всего порядка 1 мкм (10-6 м), обладает очень большим сопротивлением по сравнению с другими частями кристалла; поэтому, когда кристалл с р — n-переходом включают в цепь, практически все подведенное к кристаллу напряжение сосредоточивается на р — n-переходе.
Полупроводниковый диод.
Включим кристалл в цепь так, чтобы внешнее поле было направлено противоположно полю перехода. Поле в p-n- переходе будет ослаблено и диффузионные потоки основных носителей устремятся через переход. Встречные же потоки неосновных носителей почти не изменятся. В результате через переход потечет большой ток. Приложенное напряжение и ток в этом случае называются прямыми. Сила тока при увеличении напряжения* возрастает очень быстро, и закон Ома здесь совершенно неприменим.
Если подать на кристалл напряжение обратной полярности. В этом случае внешнее напряжение совпадает по знаку с контактной разностью потенциалов. Внешнее поле усиливает р — n -перехода и диффузионные потоки основных носителей через переход значительно уменьшаются. Потоки неосновных носителей, примерно такие же, как и при отсутствии внешнего поля, создают слабый ток через переход. Приложенное напряжение и ток в этом случае называют обратными.
25. Выпрямление переменного тока с помощью полупроводников
При прямом напряжении ток через р — n-переход в миллионы раз больше, чем при обратном, поэтому кристалл пропускает ток в одном направлении (переход открыт) и не пропускает его в обратном направлении (переход закрыт). Следовательно, если включить кристалл с р — n-переходом в цепь переменного тока последовательно с нагрузочным сопротивлением R (рис. 21.8), то ток в этом сопротивлении практически будет постоянным по направлению. Поэтому кристалл с р — n-переходом называют полупроводниковым выпрямителем или полупроводниковым диодом.
Полупроводниковые диоды имеют высокий к. п. д. (до 98%), маленькие размеры и большой срок службы. К недостаткам полупроводниковых диодов относится ухудшение их работы при повышении температуры.
26. Транзистор. Его основные области. Назначения
Полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления изменений напряжения и тока, называют полупроводниковыми триодами или транзисторами.
Узкая n-область (порядка 1 мкм) разделяет две p-области кристалла. Эти области кристалла имеют самостоятельные выводы э, б и к для включения и цепь. На схеме видно, что в транзисторе имеются два р-n-перехода. Соединим выводы э и б с внешней цепью, можно подать напряжение на левый p-n переход, и через выводы б и к на правый.
В левой p-области транзистора примеси р-типа содержится в сотни риз больше, чем примеси n-типа в n-области. Соответственно и дырок в p-области в сотни раз больше, чем электронов в n-области. Поэтому, когда левый переход включен в прямом направлении, прямой ток через переход состоит в основном (около 99%) из диффузионного потока дырок из p-области.
Транзисторы имеют большой срок службы, очень экономичны и отличаются миниатюрными размерами. Они широко используются в радиоэлектронике: в усилителях, радиоприемниках и телевизорах, в электронных вычислительных машинах (ЭВМ) и других устройствах. Особенно важны преимущества транзисторов для бортовой аппаратуры самолетов и ракет.