Полученный результат в Tecplot sv
Без
сетки
Увеличенная
область канала
|
С сеткой
|
|
|
Вывод:
В ходе этой работе освоили методики
сквозного моделирования ВАХ и
электрофизических параметров кремниевых
полупроводниковых структур на основе
последовательного использования
вычислительных потоков, содержащих
приложения SProcess и SDevice
с последующим анализом данных в
графических оболочках.
Получены
первые навыки в SSE
(приложение отвечает за постройку
структуру), а так же были изучены способы
изменения шага сетки для более лучшего
просчёта (в данном случаи канальную
область).