1.3.1.2. Индуктивные ип
1. Базовый вариант индуктивного ИП
Рис. 10. Индуктивный преобразователь: а) - базовая идея; б) х-ка
(6)
(7)
(8)
Рис.11. Соленоидный индуктивный ИП
2. Магнитоупругие ИП
Рис. 12. Примеры агнитоупругих ИП: а), б), в)
3. Индуктивные ИП с реактивным магнитным сопротивлением
Рис. 13. Примеры …
Рис. 14.
4. Трансформаторные ИП
Рис. 15. Трансформаторный ИП углового перемещения
1.3.1.3. Ёмкостные ИП
Рис. 16. Плоскостные ИП перемещения: а), б), в)
Рис. 17. а), б), в) ?(Цилиндрич., угл., толщины) ?
Рис.18. Диф.
Рис. 19. Плоскопаралл.
1.3.2. Генераторные ип
1.3.2.1. Термоэлектрические ИП
Лекция 5 _Бабошин_ON
1.3.2. Индуктивные ип
1. Для работы используются электромагнитные явления. Выходной величиной является изменение индуктивности L .
Выходными величинами могут быть:
-
Перемещение (угловое и линейное)
-
Изменение магнитной проницаемости μ , оно вызывается изменением внешних условий : t , давления и т.п.
-
Изменение реактивной составляющей магнитного сопротивления.
Рис. 13 Базовая идея(схема) индуктивного преобразователя
ω- число витков
Z-полное магнитное сопротивление цепи
Rm и Xm-активное и реактивное составляющие магнитного сопротивления магнитопровода
Rδ-магнитное сопротивление воздушного зазора
lm-средняя длина магнитопровода
Pm-потеря мощности в магнитопроводе
Sm и Sδ-площадь поперечного сечения магнитопровода и воздушного зазора
µ и µ0 -магнитная проницаемость магнитопровода и воздуха
ω -угловые частоты питающего напряжения
2. Изменение взаимоиндуктивности на магнитопроводе –две обмотки.
Такие ИП называются трансформаторными:
Вариант 1. В нем используется переменное активное сопротивление магнитной цепи
Рис. Изменение δ (воздушный зазор)
Когда перемещается Z- линейные характеристики.
Рис. 15- индуктивный преобразователь соленоидного типа
Каркас с обмоткой индуктивности
Характеристика линейна, и малые и большие перемещены, технологичен, хорошая заготовка для исполнительной заготовки, реле.
Магнитоупругие Рис. 16 – конструктивные варианты магнитоупругих ИП
а) П
б) Т
в) соленоидный магнитоупругий. 1-соленоид. 2- провод.
Под напряжением меняется μ .
Вариант 2. Индуктивные ИП с реактивным сопротивлением Рис. 17
Рис. 18 Трансформаторный ИП углового перемещения
1.3.3 Емкостные ип
Изменение электро емкости под воздействием преобразуемой электрической величины Рис. 19
а) плоскостной ИП, перемещение
б) изменение площади перекрытия
в) плоскостное премещение с измением диэлектрической проницаемости
Рис. 20 Цилиндрический емкостной ИП
а) цилиндрический ИП
d1-диаметр внутреннего цилиндра
δ- зазор между цилиндрами
Lm- высота погружения
εm- диэлектрическая проницаемость
б) плоскостной датчик (угловой)
Рис. 21 Примеры деформируемых плоскостных ИП.
а) Ип перемещения
б) ИП с изменением толщины материала
в) плоскостной
Генераторные ИП. Преобразование входной величины в РДС. Используют для своей работы энергию входной величины , т.е. не требуют дополнительного источника питания. Наиболее распространенными являются термоэлектрические, фотоэлектрические .