Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:14-70(нет 4 вопросов).docx
X
- •14. Технологический процесс изготовления моп-транзистора.
- •15. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.
- •16. Динамические параметры логических микросхем.
- •17. Вольтамперная характеристика р-п перехода.
- •18. Туннельный диод. Принцип работы.
- •19. Классификация интегральных микросхем и транзисторов.
- •20. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.
- •22. Основные этапы технологического процесса изготовления биполярных интегральных схем.
- •23. Простейший ттл (ттлш) вентиль. Принцип работы.
- •24. Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.
- •25. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.
- •26. Диод Шоттки. Принцип работы. Технология изготовления.
- •27. Вертикальная структура транзистора Шоттки.
- •28. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме
- •29. 0Сновные схемы включения биполярного транзистора.
- •30. .Конструкция конденсатора в интегральном исполнении.
- •31. Структура интегрального резистора
- •32. 3Акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем.
- •33. 3Акон Мура…
- •34.Многослойные полупроводниковые структуры
- •35.Технологический маршрут изготовления моп - транзистора.
- •36.Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы.
- •37.Инжекционный вентиль. Принцип работы.
- •38. Зависимость коэффициента биполярного транзистора от коллекторного тока.
- •39.Технология изготовления и основные параметры полевого транзистора.
- •40.Высоколомехоустойчивая логика. Принцип работы.
- •41.Ттл (ттлш) - вентиль. Принцип работы.
- •42.0Собснности обратной характеристики р-n перехода.
- •43.Принцип работы транзистора в инверсном режиме и его конструкция.
- •44.Классификация полупроводниковых диодов.
- •45.Технологический процесс изготовления биполярного транзистора с диодом Шоттки.
- •46.Модель Эберса - Молла.
- •47.Классификация интегральных микросхем и дискретных приборов.
- •52.Эквивалентная схема интегрального резистора.
- •53.Система параметров светоизлучающего диода.
- •54.Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.
- •55.Вольтамперная характеристика р-n перехода и диода Шоттки.
- •56.Способы включения биполярного транзистора.
- •57.Расчет параметров интегрального резистора.
- •58.Система электрических параметров логических схем.
- •59.Технологический процесс изготовления полевого транзистора.
- •60.Система статических и динамических параметров интегральных схем.
- •61 .Зависимость параметров биполярного транзистора от температуры.
- •62.Первый и второй закон Мура.
- •63 .Зависимость параметров полевого транзистора от температуры.
- •64.Способы включения полевого транзистора.
- •65.Структура интегрального конденсатора, изготовленного по биполярному технологическому процессу и его параметры.
- •66.Структура интегрального конденсатора, изготовленного в моп - техпроцессе и его параметры.
- •67.Основные параметры моп - транзисторов.
- •69.Классификация моп - транзисторов.
- •70. Понятие «жизненного» цикла полупроводниковых изделий.
- •Структура жизненного цикла изделия
- •Границы стадий жизненного цикла изделия
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]