Модель igbt-транзистора.
IGBT-транзистор представляется в виде идеального ключа, активно-индуктивной цепочки и источника постоянного напряжения Vf.
Управление ключом осуществляется в зависимости от значения тока через прибор Ic и приложенного к нему напряжения.
IGBT-транзистор включается, когда напряжение «коллектор-эмиттер» положительное и больше Vf, а также положительный сигнал присутствует на управляющем электроде g.
IGBT-транзистор не может быть включен, если напряжение «коллектор-эмиттер» отрицательное.
Модель mosfet-транзистора.
В английской технической литературе МОП=транзистор называют MOSFET - metal-oxide semiconductor field-effect transistor .
MOSFET-транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый сигналом управления g.
MOSFET-транзистор соединен со встречно-параллельным диодом, выполняющим защиту прибора при появлении на нем обратного напряжения.
Схема замещения транзистора состоит из идеального ключа со встречно-параллельным диодом.
MOSFET-транзистор включается сигналом управления g независимо от знака напряжения между истоком и стоком. Если сигнал управления отсутствует, то проводимость прибора обуславливается внутренней цепью с обратным диодом.
Независимо от величины и знака тока через транзистор, он закрывается, если снимается управляющий сигнал g.
Напряжение на транзисторе вычисляется как
Vds = Ron·I, при наличии управляющего сигнала, g>0
Vds = Rd·I – Vf+Lon·dI/dt, при g=0, работает встречно-параллельный диод.
Для большинства практических случаев допустимо пренебречь действием этой индуктивности и принять Lon·= 0.
Параллельно идеальному ключу в модели транзистора включается демпферная цепь (snubber circuit) – это RC-цепочка, моделирующая утечки через закрытый прибор.