- •1.Принципы Джона фон Неймана 1945г.
- •2. История эвм.
- •3. Маскирование прерываний.
- •1.Физическая организация пк фирмы ibm.
- •2. Концепция шины данных.
- •3.Принципы сопряжения устройств. Разъемы расширения.
- •1.Классификация компьютеров по областям применения.
- •2.Системы высокой готовности.
- •1.Системы прерываний.
- •2. Концепция шины данных.
- •3.Иерархия памяти.
- •1.Организации основной памяти.
- •2.Истрория эвм.
- •3.Режим вложенных прерываний.
- •1.Концепция виртуальной памяти.
- •2. Концепция шины данных.
- •3.Организация защиты основной памяти.
- •1.Организация ввода/вывода.
- •2 .Накопители на магнитных дисках.
- •3. Маскирование прерываний.
- •1.Многопроцессорные и многомашинные системы.
- •2.Системы прерываний.
- •1.Принципы Джона фон Неймана 1945г.
- •2. Конвейеризация.
- •1.Физическая организация пк фирмы ibm.
- •2. Иерархия памяти.
- •3.Главное устройство шины.
- •1. Переферийные устройства.
- •2.История эвм.
- •3.Вектор прерываний.
- •1.Физическая организация пк фирмы ibm.
- •1.Принципы Джона фон Неймана 1945г.
- •2.Классификация Флинна для параллельных эвм.
- •3.Модели связи и архитектуры памяти.
- •1.Физическая организация пк фирмы ibm.
- •3. Принципы сопряжения устройств.
- •1.Принципы Джона фон Неймана 1945г.
- •2.Системы повышения отказоустойчивотси (raid).
- •3. Конвейерная и векторная обработка.
- •2.Сегментная организация памяти.
- •1.Организации основной памяти.
- •2.Принцип локальности обращения.
- •3. Маскирование прерываний.
- •1. Виртуальная память.
- •2.История эвм.
- •1.Физическая организация пк фирмы ibm.
- •2.Иерархия памяти.
- •3.Классификация Флинна для параллельных эвм.
1.Организации основной памяти.
Основная память представляет собой следующий уровень иерархии памяти. Основная память удовлетворяет запросы кэш-памяти и служит в качестве интерфейса ввода/вывода, поскольку является местом назначения для ввода и источником для вывода. Для оценки производительности основной памяти используются два основных параметра: задержка и полоса пропускания. Традиционно задержка основной памяти имеет отношение к кэш-памяти, а полоса пропускания или пропускная способность относится к вводу/выводу. В связи с ростом популярности кэш-памяти второго уровня и увеличением размеров блоков у такой кэш-памяти, полоса пропускания основной памяти становится важной также и для кэш-памяти.
Задержка памяти традиционно оценивается двумя параметрами: временем доступа и длительностью цикла памяти.
Время доступа представляет собой промежуток времени между выдачей запроса на чтение и моментом поступления запрошенного слова из памяти.
Длительность цикла памяти определяется минимальным временем между двумя обращениями к памяти.
Полупроводниковая оперативная память в настоящее время делится на статическое ОЗУ (SRAM) и динамическое ОЗУ (DRAM). (RAM – запоминающее устройство с произвольной выборкой).Микросхемы (DRAM) характеризуются большей емкостью и меньшей стоимостью, но требуют схем регенерации и имеют значительно большее время доступа.
Триггером называют элемент на транзисторах, который может находиться в одном из двух устойчивых состояний (0 и 1), а по внешнему сигналу он способен менять состояние. Триггер может служить ячейкой памяти, хранящей один бит информации.
Память, основанная на триггерах, называется статической (SRAM).
Принцип устройства DRAM следующий: система металл-диэлектрик-полупроводник способна работать как конденсатор, т.е. способна некоторое время держать на себе электрический заряд. Обозначив заряженное состояние как 1 и незаряженное как 0, получим ячейку памяти емкостью 1 бит. Поскольку заряд на конденсаторе рассеивается через некоторый промежуток времени, то его необходимо периодически подзаряжать (регенерировать), считывая и вновь записывая в него данные. Из-за этого и возникло понятие «динамическая» для этого вида памяти.
Статическое ОЗУ – дорогой и неэкономичный вид ОЗУ, поэтому его используют в основном для кэш-памяти и в регистрах микропроцессорах.
2.Истрория эвм.
1-ое поколение ЭВМ (1948 — 1958гг.).Элементной базой машин этого поколения были электронные лампы – диоды и триоды. Машины предназначались для решения сравнительно несложных научно-технических задач.Они были значительных размеров, потребляли большую мощность, имели невысокую надежность работы и слабое программное обеспечение. В вычислительных машинах этого времени использовались электровакуумные лампы и внешняя память на магнитном барабане. Они были опутаны проводами.2-ое поколение ЭВМ (1959 — 1967 гг.).Элементной базой машин этого поколения были полупроводниковые приборы. Машины предназначались для решения различных трудоемких научно-технических задач, а также для управления технологическими процессами в производстве. Увеличилась емкость оперативной памяти, надежность и быстродействие ЭВМ. Уменьшились размеры, масса и потребляемая мощность.3-е поколение ЭВМ (1968 — 1973 гг.) Элементная база ЭВМ – малые интегральные схемы (МИС). Машины предназначались для широкого
использования в различных областях науки и техники. Благодаря интегральным схемам удалось существенно улучшить технико-эксплуатационные характеристики ЭВМ. Например, машины третьего поколения по сравнению с машинами второго поколения имеют больший объем оперативной памяти, увеличилось быстродействие, повысилась надежность, а потребляемая мощность, занимаемая площадь и масса уменьшились. Характерной чертой данного периода явилось резкое снижение цен на аппаратное обеспечение. Этого удалось добиться главным образом за счет использования интегральных схем.4-ое и 5-ое поколения ЭВМ (1974 — настоящее время) Элементная база ЭВМ – большие интегральные схемы (БИС). Машины предназначались для резкого повышения производительности труда в науке, производстве, управлении, здравоохранении, обслуживании и быту. Высокая степень интеграции способствует увеличению плотности компоновки электронной аппаратуры, повышению ее надежности, что ведет к увеличению быстродействия ЭВМ и снижению ее стоимости.