- •Ассемблер
- •Фортран
- •Пролог и Пролог
- •Теория искусственного интеллекта
- •Тест Тьюринга
- •2. Классификация эвм по этапам создания.
- •3. Классификация эвм по назначению
- •4 . Классификация эвм по размерам и функциональным возможностям
- •СуперЭвм
- •4.2.Большие эвм
- •.МикроЭвм
- •4.4.1.Универсальные
- •4.4.2.Специализированные
- •4.4.2.1.Серверы
- •1 Принцип модульности
- •2 Принцип функциональной избирательности
- •3 Принцип генерируемости ос
- •4 Принцип функциональной избыточности
- •5 Принцип виртуализации
- •6 Принцип независимости программ от внешних устройств
- •7 Принцип совместимости
- •8 Принцип открытой и наращиваемой ос
- •9 Принцип мобильности (переносимости)
- •10 Принцип обеспечения безопасности вычислений
- •Тема 5. Память в реальном режиме
- •Тема 6. Память в защищенном режиме
- •Тема 7. Аппаратные irq
- •Тема 8 Видеопамять, видеокарты, мониторы
- •4)Основные характеристики мониторов
- •5)Виды мониторов
- •8)Перспективные конструкции и технологии мониторов Технология e-Ink
- •Технология Electro Wetting
- •Технология микродисплеев
- •Электромеханические панели
- •Тема 9 Модемы
- •1. Типовая система передачи данных
- •2) Каналы связи
- •1. 2. 1. Аналоговые и цифровые каналы
- •1. 2. 2. Коммутируемые и выделенные каналы
- •1. 2. 3. Двух- и четырехпроводные каналы
- •3) 3. Семиуровневая модель osi
- •1. 3. 1. Физический уровень
- •1. 3. 2. Канальный уровень
- •4) Факсимильная связь
- •1. 4. 1. Передача факсимильного изображения
- •1. 4. 2. Стандарты факсимильной связи
- •5) Классификация модемов
- •1. 6. 1. По области применения
- •1. 6. 2. По методу передачи
- •1. 6. 3. По интеллектуальным возможностям
- •1. 6. 4. По конструкции
- •1. 6. 5. По поддержке международных и фирменных протоколов
- •6)Устройство современных модемов
- •2. 1. Общие сведения
- •2. 2. Состав модема для ктсоп
- •2. 3. Скремблирование
- •2. 5. Устройство цифрового модема
- •2. 6. Линейное кодирование
- •1) Аналоговая модуляция
- •2) Дискретная модуляция аналоговых сигналов
- •8.2. Методы Шеннона-фано и Хаффмена
- •8.3. Алгоритм lzw
- •8.4. Сжатие данных в протоколах mnp
- •8.4.1. Протокол mnp5
- •8.4.2. Протокол mnp7
- •8.5. Сжатие данных по стандарту V.42bis
- •9.1 Протокол xModem
- •9.2. Протокол xModem-crc
- •9.3. Протокол xModem-ik
- •9.4. Протокол yModem
- •9.5. Протокол yModem-g
- •9.6. Протокол zModem
- •9.6.1. Требования протокола zModem
- •9.6.2. Формат кадров протокола zModem
- •9.6.3. Типы кадров zModem
- •9.6.4. Информация о файле в кадре zfile
- •9.6.5. Работа протокола zModem
- •Тема 10. Назначение чипсетов
- •Тема 11. Современные процессоры. Их архитектура
- •Характерные особенности risc-процессоров
- •3) Классы процессоров
- •4) Структура базового микропроцессора
- •Характеристики микропроцессоров фирмы Intel
- •Тема 12. Современные виды памяти. Их характеристики
- •1) Классификация ram(Random Access Memory):
- •2) Разновидности ram:
- •3)Виды ram и их характеристики:
- •Fpm ram (Быстрая страничная память)
- •Edo ram (память с усовершенствованным выходом)
- •Bedo dram (Пакетная edo ram)
- •Sdr sdram — синхронная dram
- •4)Новые перспективные виды памяти будущих компьютеров
- •Тема 13. Объединение компьютеров между собой
- •Естественные среды
- •Искусственные среды
- •Тема 14. Интернет
- •[Править]Каталоги
- •Тема 15. Жесткие диски и типы файловых систем
- •Название «Винчестер»
- •[Править]Характеристики
- •[Править]Уровень шума
- •[Править]Производители
- •[Править]Устройство
- •[Править]Гермозона
- •[Править]Устройство позиционирования
- •[Править]Блок электроники
- •[Править]Низкоуровневое форматирование
- •[Править]Геометрия магнитного диска
- •[Править]Особенности геометрии жёстких дисков со встроенными контроллерами [править]Зонирование
- •[Править]Резервные секторы
- •[Править]Логическая геометрия
- •[Править]Адресация данных
- •[Править]chs
- •[Править]lba
- •[Править]Технологии записи данных
- •[Править]Метод продольной записи
- •[Править]Метод перпендикулярной записи
- •[Править]Метод тепловой магнитной записи
- •[Править]Структурированные носители данных
- •[Править]Сравнение интерфейсов
- •[Править]raid 1
- •[Править]raid 2
- •[Править]raid 3
- •[Править]raid 4
- •[Править]raid 5
- •[Править]raid 5ee
- •[Править]raid 6
- •[Править]raid 7
- •[Править]raid 10
- •[Править]Комбинированные уровни
- •[Править]Сравнение стандартных уровней
- •[Править]Matrix raid
- •[Править]Программный (англ. Software) raid
- •[Править]Дальнейшее развитие идеи raid
- •Иерархия каталогов в Microsoft Windows
- •Классификация файловых систем
- •[Править]Задачи файловой системы
Тема 12. Современные виды памяти. Их характеристики
1) Классификация ram(Random Access Memory):
SRAM - Статическая оперативная память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние сигнала без постоянной перезаписи, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее, сохранять данные без перезаписи SRAM может только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (тритов) (чаще байтов (трайтов), зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM — sequental access memory).
Преимущества
Быстрый доступ. SRAM — это действительно память произвольного доступа, доступ к любой ячейке памяти в любой момент занимает одно и то же время.
Простая схемотехника — SRAM не требуются сложные контроллеры.
Возможны очень низкие частоты синхронизации, вплоть до полной остановки синхроимпульсов.
Недостатки
Высокое энергопотребление.
Невысокая плотность записи (шесть-восемь элементов на бит[4], вместо двух у DRAM).
Вследствие чего — дороговизна килобайта памяти.
Тем не менее, высокое энергопотребление не является принципиальной особенностью SRAM, оно обусловлено высокими скоростями обмена с данным видом внутренней памяти процессора. Энергия потребляется только в момент изменения информации в ячейке SRAM.
Применение
SRAM применяется в микроконтроллерах и ПЛИС, в которых объём ОЗУ невелик (единицы килобайт), зато нужны низкое энергопотребление (за счёт отсутствия сложного контроллера динамической памяти), предсказываемое с точностью до такта время работы подпрограмм и отладка прямо на устройстве.
В устройствах с большим объёмом ОЗУ рабочая память выполняется как DRAM. SRAM’ом же делают регистры и кеш-память.
DRAM
DRAM, англ. dynamic random access memory (Динамическое ОЗУ) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом; также ОЗУ широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров.
Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, строку от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.
Как запоминающее устройство, DRAM представляет собой модуль памяти различных конструктивов, состоящий из электрической платы, на которой расположены микросхемы памяти и разъёма, необходимого для подключения модуля к материнской плате.
принцип действия
Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковых микросхем памяти[1].
При отсутствии подачи электроэнергии к памяти этого типа происходит разряд конденсаторов, и память опустошается (обнуляется). Для поддержания необходимого напряжения на обкладках конденсаторов ячеек и сохранения их содержимого, их необходимо периодически подзаряжать, прилагая к ним напряжения через коммутирующие транзисторные ключи. Такое динамическое поддержание заряда конденсатора является основополагающим принципом работы памяти типа DRAM. Конденсаторы заряжают в случае, когда в «ячейку» записывается единичный бит, и разряжают в случае, когда в «ячейку» необходимо записать нулевой бит.
Важным элементом памяти этого типа является чувствительный усилитель-компаратор (англ. sense amp), подключенный к каждому из столбцов «прямоугольника». Он, реагируя на слабый поток электронов, устремившихся через открытые транзисторы с обкладок конденсаторов, считывает всю строку целиком. Именно строка является минимальной порцией обмена с динамической памятью, поэтому обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен.
Регенерация
В отличие от быстрой, но дорогой статической памяти типа SRAM (англ. static random access memory), которая является конструктивно более сложным и более дорогим типом памяти и используется в основном в кэш-памяти, медленная, но дешёвая память DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерацией памяти. Он реализуется специальным контроллером, установленным на материнской плате или же на кристалле центрального процессора. На протяжении времени, называемого шагом регенерации, в DRAM перезаписывается целая строка ячеек, и через 8–64 мс обновляются все строки памяти.
Процесс регенерации памяти в классическом варианте существенно тормозит работу системы, поскольку в это время обмен данными с памятью невозможен. Регенерация, основанная на обычном переборе строк, в современных типах DRAM не применяется. Существует несколько более экономичных вариантов этого процесса — расширенный, пакетный, распределённый; наиболее экономичной является скрытая (теневая) регенерация.
Среди новых технологий регенерации — PASR (англ. Partial Array Self Refresh), применяемый компанией Samsung в чипах памяти SDRAM с низким уровнем энергопотребления. Регенерация ячеек выполняется только в период ожидания в тех банках памяти, в которых имеются данные.
Параллельно с этой технологией реализуется метод TCSR (англ. Temperature Compensated Self Refresh), который предназначен для регулировки скорости процесса регенерации в зависимости от рабочей температуры
Характеристики памяти DRAM
Основными характеристиками DRAM являются рабочая частота и тайминги.
При обращении к ячейке памяти контроллер памяти задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца и на все эти запросы тратится время, помимо этого довольно большой период уходит на открытие и закрытие банка после самой операции. На каждое действие требуется время, называемое таймингом.
Основными таймингами DRAM являются: задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (англ. RAS to CAS delay), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (англ. CAS delay), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (англ. RAS precharge). Тайминги измеряются в наносекундах или тактах, и чем меньше величина этих таймингов, тем быстрее работает оперативная память.
VRAM
VRAM (англ. Video Random Access Memory) — ОЗУ для видеоизображений.
Оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на монитор. Является двухпортовой памятью — может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране.