- •1.Биполярные транзисторы. Основные характеристики: входные, выходные, проходные. Электрические и экспоненциальные параметры.
- •2.Каскад с оэ: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение.
- •3. Каскад с ок: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства и применение. (эмитерный повторитель).
- •4. Каскад сОб: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства, недостатки и применение.
- •5. Статические характеристики биполярных транзисторов, h- параметры, схемы замещения транзисторов.
- •6.Транзисторный источник тока. Транзисторный источник тока с заземленной нагрузкой.
- •12. Режимы работы транзисторов: активный (усилительный), инверсный, насыщения.
- •13. Классы усиления: a, b, ab, c, d. Достоинства и недостатки. Применение.
- •14. Усилители мощности. Однотактные и двухтактные усилители. Схемы включения.
- •15. Составные транзисторы: схемы Дарлингтона и Шиклаи. Применение.
- •17. Следящая связь (пос). Схема. Применение.
- •1 8.Эффект Миллера.
- •19. Полевые транзисторы (мдп (моп) – транзисторы). По способу создания канала (с p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом). Входные и выходные характеристики.
- •20.Достоинства полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором. Недостатки. Достоинства полевого транзистора с p-n переходом. Недостатки.
- •21. Схемы включения полевых транзисторов: общий исток, общий сток, общий затвор
- •22. Бтиз (igbt) – биполярный транзистор с изолированным затвором. Достоинства по сравнению с моп.
- •29. Дифференциальные усилители (ду). Схема включения. Ду в режиме покоя, в режиме усиления противофазного сигнала, в режиме усиления синфазного сигнала. Способ улучшения свойств усилителя (схема).
- •Ду в режиме усиления противофазного сигнала
- •Способы компенсации начального напряжения смещения. Схема.
- •Ду с динамической нагрузкой. Схема.
- •Операционные усилители (оу). Графическое изображение. Упрощенная схема оу.
- •Классификация оу по типам входных каскадов: бпт, пт, супер - бпт, с гальванической изоляцией входа от выхода, варикап.
- •34.Динамическое питание оу. Недостаток
- •35.Параметры оу(входные,выходные,динамические)
- •3 6 Инвертирующий усилитель.
- •37.Неинвертирующий усилитель,преобразователь тока в напряжение.
- •38.Сумматоры и вычитатели.
- •39.Интергратор и дифференциатор
- •40.Компаратор. Схемы, недостатки.
- •4 2. Генераторы синусоидальных колебаний. Условия для работы схемы в режиме генерации.
- •43. Генераторы гармонических сигналов. Схема. Достоинства и недостатки.
- •45.Кварцевый генератор. Схема. Достоинства и недостатки.
- •46.Мультивибраторы (генераторы прямоугольных колебаний). Схема.
- •47. Электронные схемы на оу
- •48.Компенсационные. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •49.Компенсационные источники питания. Параметрические. Достоинства и недостатки.
- •5 0. Повышающий стабилизатор. Схема. Принцип работы.
- •51.Функциональная схема ключевого источника питания (принципиальная схема). Принцип работы.
- •52.Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и принцип работы.
- •56.Источники опорного напряжения. Задание рабочего тока стабилитрона, источника тока на оу. Стабилитронные интегральные микросхемы.
- •Задание рабочего тока стабилитрона
- •Регулируемый стабилизатор
22. Бтиз (igbt) – биполярный транзистор с изолированным затвором. Достоинства по сравнению с моп.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - InsulatedGateBipolarTransistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.
|
|
Рис. 1. Условное обозначение IGBT |
Рис. 2. Схема соединения транзисторов в единой структуре IGBT |
Коммерческое использование IGBT началось с 80-х годов и уже претерпела четыре стадии своего развития.
IGBT являются продуктом развития технологии силовых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник, управляемых электрическим полем и сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Эквивалентная схема включения двух транзисторов приведена на рис. 2. Прибор введён в силовую цепь выводами биполярного транзистора E (эмиттер) и C (коллектор), а в цепь управления - выводом G (затвор).
Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор. Соединения эмиттера и стока (D), базы и истока (S) являются внутренними. Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включённом состоянии.
28. Метод МДМ (модуляция-демодуляция). Достоинства и недостатки.
Модуляция - это процесс представления модулирующего сигнала через определенный параметр несущей
М – модулятор
ИУ – избирательный усилитель
ДМ – демодулятор
Г – генератор
Этот метод позволяет получить самое малое напряжение дрейфового тока, маленькое начальное смещение, температурный дрейф практически исключается в усилителях МДМ, т.к. усиливается только переменный сигнал, не подверженный дрейфу. В качестве источников сигнала могут выступать электрические и не электрические сигналы (свет, тепло).
Недостаток: ограниченный частотный диапазон: fm>10fc , что бы получить выходной сигнал соответствующий по форме входному. Повышается уровень шумов вызванных модуляцией – демодуляцией.
Выпускаются в виде готовых интегральных микросхем. Напр.: 140YD13.
29. Дифференциальные усилители (ду). Схема включения. Ду в режиме покоя, в режиме усиления противофазного сигнала, в режиме усиления синфазного сигнала. Способ улучшения свойств усилителя (схема).
Дифференциальный усилитель - симметричный усилитель постоянного напряжения с 2-мя входами и 2-мя выходами. Дифференциальный усилительный каскад выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами , а два других - транзисторами . Выходное напряжение снимается между коллекторами транзисторов.
ДУ в режиме покоя
V T1 и VT2 располагаются, чаще всего на одном кристалле в непосредственной близости друг от друга, что обуславливает их близкие параметры и одинаковую температуру. При нагревании либо старении элементов входящих в ДУ. Транзисторы приоткрываются в одинаковой мере, а выходное напряжение между коллекторами остаётся практически нулевым.