35.Устройства силового кабеля с бумажной изоляцией.

Изоляция кабелей состоит из лент кабельной бумаги, пропитанной маслоканифольным составом. В кабелях на напряжение 1-10 кВ каждая фаза изолируется отдельно, а затем поверх скрученных изолированных жил накладывается общая – поясная изоляция. Толщины фазной и поясной изоляции, выбираются из условий работы кабеля в рабочем режиме (в республике Беларусь сети напряжением 6, 10 кВ выполняют с изолированной нейтралью), обеспечивая надежную его работу и в аварийном режиме.

36.Полупроводниковые материалы. Основные свойства и классификация.

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов. Удельная электрическая проводимость σ при 300 К составляет 10⁴−10^~10 Ом⁻¹·см⁻¹ и увеличивается с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и т. п.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей.

37.Собственые и примесные полупроводники, полупроводники p-и n-типа.

Проводимость полупроводника теперь будет определяться в основном числом свободных электронов примеси. В целом такой тип проводимости называют проводимостью n–типа, а сам полупроводник – полупроводником n–типа.

Примеси такого типа называются акцепторами, а проводимость, обусловленная введением акцепторной примеси, называют проводимостью р–типа. Полупроводник данного вида называют полупроводником р–типа.

Преобладающие носители заряда в полупроводнике называются основными. Так в полупроводнике n–типа основными носителями являются электроны, а неосновными – дырки, а в полупроводнике р–типа основными носителями являются дырки, а неосновными – электроны

38.Полупроводниковые химические элементы и соединения.

Широкое применние получили следующие соединения:

AIIIBV InSb, InAs, InP, GaSb, GaP, AlSb, GaN, InN

AIIBV CdSb, ZnSb

AIIBVI ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, HgSe, HgTe, HgS

AIVBVI PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe

42.Простые полупроводниковые материалы, область их применения.

Ge, Si

Осн. областью применения П. м. является микроэлектроника

43. Виды примесей в полупроводниках.

Примесями называют атомы или ионы других химических элементов, внедренные в кристаллическую решетку чистого полупроводника. Проводимость полупроводника примеси значительно увеличивают, причем в одних случаях в большей мере увеличивается р-проводимость, а в других случаях п-проводимость.

45. Фотопроводимость полупроводниковых материалов.

Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (hn ³ DE), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.

46. полупроводниковых приборы их назначения, область применения, маркировка.

Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство электрического перехода (незначительная коррекция данного определения может понадобиться лишь для очень узкого круга приборов, например, для некоторых диодов СВЧ и прецизионных стабилитронов).