Генератор гармонических колебаний на туннельном диоде.

R₁, R₂ – резистивный делитель, задающий рабочую точку на участке с отрицательным сопротивлением.

L_k, C_k – колебательный контур.

С_бл - емкость блокировочная, по переменной составляющей она подключает туннельный диод параллельно к колебательному контуру.

Туннельный диод, включен параллельно колебательному контуру и обладает отрицательным сопротивлением, это сопротивление компенсирует положительное сопротивление потерь контура, в результате чего сопротивление потерь контура обращается в ноль, а колебания получаются гармоническими, незатухающими.

Обращенные диоды.

Обращенные диоды являются разновидностью туннельных. В них концентрация (N) примеси несколько меньше, чем в туннельных. За счет этого отсутствует участок с отрицательным сопротивлением.

Обратная ветвь таких диодов является проводящей электрический ток за счет туннельного пробоя. Обращенные диоды применяются для выпрямления переменных сигналов небольшой амплитуды до 0,3в.

ВАХ:

Маркировка полупроводниковых диодов.

Маркировка состоит из шести элементов:

К Д 2 1 7 А или К С 1 9 1 Е

^{1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6}

1 - Буква или цифра, указывающая вид материала, из которого изготовлен диод:

1 или Г – Ge (германий),

2 или К – Si (кремний),

3 или А – GeAs.

2 - Буква, указывающая тип диода по его функциональному назначению:

Д – диод,

С – стабилитрон, стабистор,

В – варикап,

И – туннельный диод.

3,4,5 – Цифры, указывающие назначение и электрические свойства диодов.

6 - Буква, указывающая деление диодов по параметрическим группам.

Транзисторы.

Транзисторы – это полупроводниковые приборы с тремя и более выходами, предназначенные для усиления и генерации электрических сигналов.

Транзисторы имеют три вывода: выходной, общий и входной для подачи управляющего сигнала.

Выходной сигнал – выходной ток. В зависимости от способа управления им транзисторы делятся на две группы:

1) Токовые транзисторы: I_вых = kI_вх

В таких транзисторах используются носители заряда двух типов: электроны и дырки. Управление движением зарядов в этих транзисторах осуществляется током. Поэтому их также называют биполярными.

2) Полевые транзисторы: I_вых = SU_вх

С помощью U_вх в объеме транзистора создается управляющее электрическое поле. В образовании выходного тока в таких транзисторах принимают участие или электроны, или дырки, поэтому их иногда называют униполярными.

Биполярные транзисторы.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с двумя близко расположенными, а потому взаимодействующими p-n-переходами и тремя выводами.

Биполярный транзистор - полупроводниковый прибор с тремя областями разной проводимости (рис.27).

В зависимости от чередования этих областей, различают два типа биполярных транзисторов: n-p-n и p-n-p.

По технологии изготовления различают сплавные и планарные транзисторы.

1) Сплавной транзистор.

W – толщина области базы (≈0,1 – 10мм), S_ЭП<<S_КП.

2) Планарный транзистор (метод диффузии).