3. Расчетно-графическая работа «Определение h-параметров биполярного транзистора»

Определить h-параметры биполярного транзистора по его вольт-амперным характеристикам для заданной точки (U_к; I_б).

Вольт-амперные характеристики приведены в приложении 3.

Оформить работу в соответствии с требованиями приложения 1.

Таблица 3

Варианты заданий РГР

«Определение h-параметров биполярного транзистора»

№ ва-рианта	Тип транзистора	Коорд. точки для опред. h-параметров		№ ва-рианта	Тип транзистора	Коорд. точки для опред. h-параметров
		Uк, В	Iб, мкА			Uк, В	Iб, мкА
1	2	3	4	1	2	3	4
1	КТ301А	16	50	51	КТ120А	0,4	200
2	ГТ109В	6	10	52	КТ301В	12	75
3	ГТ322Б	6	50	53	ГТ308А	6	800
4	КТ373А	10	10	54	КТ342Б	4	50
5	КТ312Б	20	300	55	ГТ109Б	4	30
6	КТ3102А	10	100	56	КТ352Б	4	400
7	КТ324Б	8	10	57	ГТ320А	4	600
8	КТ373Г	8	8	58	КТ373Г	5	16
9	ГТ109А	6	40	59	КТ345Б	6	200
10	ГТ320В	4	300	60	КТ315А	10	200
11	КТ352А	6	600	61	КТ3102Б	20	30
12	КТ345А	6	300	62	КТ342В	4	30
13	КТ373В	6	4	63	ГТ308Б	4	600
14	КТ315Г	10	200	64	КТ203Б	15	40
15	КТ3102Д	15	45	65	КТ373Б	5	8
16	КТ342А	2	200	66	КТ3102А	20	50
17	КТ312Б	10	400	67	КТ312В	15	50
18	КТ301Б	8	200	68	ГТ122А	6	200
19	ГТ308Б	8	200	69	КТ345В	8	80

Окончание табл. 3

1	2	3	4	1	2	3	4
20	ГТ109В	4,5	15	70	ГТ109В	3	20
21	КТ203Б	5	40	71	КТ315В	20	200
22	ГТ122Б	8	150	72	КТ301	16	50
23	КТ3102В	10	60	73	ГТ109Д	6	40
24	КТ312Б	15	300	74	КТ352А	8	400
25	ГТ308А	6	600	75	КТ342Б	3	100
26	КТ345Б	12	100	76	КТ301Б	16	100
27	ГТ109А	4,5	30	77	ГТ322Б	4	75
28	КТ373Б	10	4	78	КТ3102Г	20	20
29	КТ301В	8	100	79	КТ373А	8	20
30	КТ315Б	8	200	80	КТ324А	4	20
31	КТ3102А	15	150	81	КТ301Г	12	150
32	КТ352А	4	800	82	КТ352Б	8	200
33	ГТ122А	4	300	83	КТ315В	10	300
34	ГТ308В	8	100	84	КТ203В	10	20
35	КТ342В	2	30	85	ГТ122Г	6	120
36	КТ373А	5	30	86	ГТ109Б	6	15
37	КТ324А	6	15	87	КТ342В	3	60
38	ГТ320А	5	300	88	ГТ320А	6	300
39	КТ345Б	8	150	89	КТ345В	12	40
40	КТ312А	10	200	90	КТ312В	10	100
41	КТ342Б	2	100	91	КТ301А	8	75
42	ГТ322А	4	150	92	ГТ109А	4	80
43	КТ373В	3	4	93	КТ352Б	10	100
44	КТ3102Г	10	40	94	ГТ308В	6	150
45	КТ315Г	20	100	95	ГТ122В	8	80
46	ГТ109Д	4,5	30	96	КТ301Ж	12	10
47	КТ312Б	20	200	97	ГТ320Б	3	400
48	КТ301Ж	8	20	98	КТ342А	3	200
49	КТ345А	12	150	99	ГТ322А	6	100
50	ГТ308В	4	200	100	КТ312А	15	200

Методические указания к выполнению РГР

«Определение h-параметров биполярного транзистора»

Низкочастотные дифференциальные h-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определяются по его вольт-амперным статическим характеристикам.

Параметры h_11э и h_12э определяют по входным характеристикам в соответствии с выражениями:

при ,

при ,

а параметры h_21э и h_22э – по выходным характеристикам в соответствии с выражениями:

при ,

при ,

где – входное сопротивление биполярного транзистора; – безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению; – безразмерный коэффициент передачи тока; – выходная проводимость биполярного транзистора; , , , – соответственно, приращения напряжения база–эмиттер и напряжения коллектор–эмиттер, тока базы и тока коллектора в области заданной точки (U_кэ; I_б) вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.

Определение h-параметров транзистора по его вольт-амперным характеристикам показано на рис. 2 на примере транзистора КТ312Б для заданной точки с координатами (U_кэ = 12 В; I_б = 0,5 мА).

При выполнении работы исходные координаты заданной точки, в пределах которой следует определить h-параметры транзистора, допускается принять за данные одной из границ принимаемых интервалов приращений токов и напряжений, необходимых для расчета h-параметров.

Расчетные формулы для параметров h_11э и h_12э в этом случае имеют следующий вид:

,

.

При напряжении U_кэ0 В входные характеристики биполярного транзистора практически не зависят от напряжения на коллекторе U_кэ. Поэтому при расчете параметров h_11э и h_12э все построения и определение приращений , производят с использованием кривой входных характеристик, соответствующей напряжению на коллекторе не равному нулю (в рассматриваемом примере эта зависимость приведена для U_кэ = 5 В). В расчетных формулах при определении параметров h_11э и h_12э везде подставляется значение напряжения на коллекторе, соответствующее заданному значению координаты точки, в пределах которой необходимо определить h-параметры биполярного транзистора (в нашем примере это U_кэ = 12 В).

Расчетные формулы для параметров h_21э и h_22э имеют следующий вид:

,

.

Таким образом, для точки с координатами U_кэ = 12 В; I_б = 0,5 мА транзистор КТ312Б имеет следующие значения h-параметров:

h_11э = 100 Ом, h_12э = 1,4210^–2,

h_21э = 60, h_22э = 0,33 мСм.