Задание на выполнение лабораторной работы

1. Ознакомиться с технологией процесса фотолитографии.

2. Ознакомиться с порядком выполнения работы.

3. Произвести операции процесса в соответствии с порядком выполнения работы  под непосредственным контролем преподавателя.

4. Изучить полученное топологическое изображение ИМС с помощью микроскопа, выполнить это изображение в соответствии с правилами ЕСКД.

Порядок выполнения работы

1. Произвести очистку подложки с нанесёнными на неё слоями металлов (резистивного и коммутационного) в парах изопропилового спирта.

2. Поместить подложку в центрифугу.

3. Нанести на подложку с плёночными слоями металлов 2–3 капли фоторезиста.

4. Включить центрифугу, при вращении центрифуги происходит растекание фоторезиста по поверхности подложки с образованием равномерного слоя. Производить вращение подложки в течение ~ 0,2 мин.

5. Произвести сушку фоторезиста в течение 15 мин на воздухе и в течение 30 мин в термостате при Т = 90…100 ºС.

6. Произвести совмещение подложки с фотошаблоном с последующим экспонированием фоторезиста в течение ~ 40 сек.

7. Произвести проявление фоторезиста, для чего поместить подложку в проявитель (0,5%-й раствор КОН) и выдержать в нём ~ 1–2 мин.

8. Поместить подложку в термостат и произвести задубливание рельефа фоторезиста при температуре Т = 120 ºС в течение 20 мин.

9. Произвести травление свободных от фоторезиста участков металлического слоя в соответствующем для данного металла травителе.

10. Произвести тщательную отмывку подложки в деионизованной воде.

11. Произвести удаление фоторезиста, для чего поместить подложку в соответствующий для данного фоторезиста растворитель и выдержать в нём в течение ~ 1–2 мин.

12. При необходимости получения топологии следующего слоя повторить операции 1–11.

Содержание отчёта

1. Дать определение фотолитографии, рентгенолитографии, электронолитографии.

2. Привести схему технологического процесса фотолитографии.

3. Привести эскизы топологического изображения фотошаблонов ИМС.

4. Привести определение и классификацию фоторезистов.

5. Привести основные параметры процесса фотолитографии.

6. Выводы.

Вопросы по лабораторной работе

1. Понятие литографии: фотолитографии, рентгенолитографии, электронолитографии.

2. Фотолитография: контактная, проекционная.

3. Способы нанесения фоторезиста.

4. Последовательность операций техпроцесса фотолитографии.

5. Фотошаблон: понятие, конструкция.

6. Основные параметры фоторезистов.

7. Разрешающая способность фотолитографии.

8. Разрешающая способность рентгенолитографии, электронолитографии.

Библиографический список

1. Королёв Б.И. Основы вакуумной техники / Б.И. Королёв [и др.]. – М.: Энергия, 1975.

2. Технология тонких плёнок: справочник / под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга. – М.: Советское радио, 1977.

3. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких плёнок / Е.В. Берлин, С.А. Двинин, Л.А. Сейдман. – М.: Техносфера, 2007. – 176 с.

4. Технологии в электронной промышленности. – Файн-Стрит, 2007. – № 1, 2, 3.

42