3. Обработка экспериментальных данных

1. На выходных характеристиках покажите области активного режима, режима насыщения и отсечки. Для этого две последние области выделите штриховкой.

2. Определите значения h-параметров для схемы с общим эмиттером, характеризующие свойства транзистора на переменном токе в режиме малого сигнала низкой частоты. Они вычисляются по входным и выходным характеристикам в рабочем режиме методом малых приращений по следующим формулам:

входное сопротивление ;

к

по напряжению

оэффициент обратной связи ; (4.1)

к

тока эмиттера

оэффициент передачи тока ;

выходная проводимость .

В отчете приведите рассчитанные значения h-параметров и дайте заключение об их соответствии типовым (справочным) значениям.

3. Проведите анализ работы усилительного каскада по семейству экспериментально снятых входных и выходных характеристик транзистора.

Для этого на выходных характеристиках через рабочую точку ( ) и точку на оси напряжений проведите нагрузочную прямую ( рис. 4.2)

.

Сопротивление нагрузки R4 указано на стенде или задается преподавателем. Значения возьмите в п.2.5.

Определите по графикам коэффициенты усиления по току и напряжению Для этого на графике семейства выходных характеристик по пересечению кривых с нагрузочной прямой определите приращения , как показано на рис. 4.2. По входной характеристике, для которой , относительно точек определите приращение . Рассчитайте

.

В отчете приведите входные и выходные характеристики, построенную нагрузочную прямую, а также значения коэффициентов усиления по току и напряжению.

а б

Рис. 4.2. Выходные (а) и входные (б) характеристики

транзистора в схеме с общим эмиттером

4. Рассчитайте для схемы с общим эмиттером коэффициенты усиления по h-параметрам:

.

В отчете приведите значения , полученные по приборам методом приращений, по статическим характеристикам и нагрузочной прямой, а также вычисленные через h-параметры. Сравните их и сделайте выводы.

3. Содержание отчета

1. Цель работы.

2. Паспортные данные исследуемого транзистора.

3. Схема проведения экспериментов.

4. Графики семейств статических входных и выходных характеристик с отмеченными на них областями активного режима, режима насыщения и отсечки, а также точками и нагрузочной прямой.

5. Экспериментально измеренные и заданные значения , .

6. Рассчитанные по графикам значения h-параметров, а также .

7. Рассчитанные с использованием h-параметров значения .

8. Анализ проделанной работы.

Контрольные вопросы

1. Как выглядят семейства входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером. В чем их отличие от соответствующих характеристик в схеме с общей базой?

2. Что характеризует коэффициент передачи тока базы ? Как он связан с коэффициентом передачи тока эмиттера ?

3. Из каких токов состоит ток коллектора, ток базы?

4. Где на семействе выходных характеристик расположены значения ? Границы каких областей они характеризуют?

5. Как записывается выражение для тока коллектора в области активного режима?

6. Какие h-параметры транзистора в схеме с ОЭ значительно отличаются от соответствующих параметров в схеме с общей базой?

7. Что представляет собой нагрузочная характеристика (нагрузочная прямая), как она строится?

8. Как в заданной рабочей точке по семейству статических характеристик и нагрузочной прямой определить ?

9. Покажите графически разницу между в схеме с общим эмиттером.

10. В чем заключаются преимущества и недостатки усилителя, собранного по схеме с общим эмиттером, по сравнению со схемой, имеющей общую базу?

Литература: [2, с. 208–235], [4, с. 125–155]; [6, с. 140–176].

44