Описание установки

У словные обозначения полупроводникового диода и транзисторов показаны на рис. 8.

Полупроводниковый диод в лабораторной работе включается по схеме рис. 9. В цепи используется многопредельный миллиамперметр. Включая его в цепь разными клеммами, можно изменять чувствительность миллиамперметра. Это дает возможность с высокой точностью измерять как прямой, так и обратный ток, несмотря на то, что их величины существенно отличны. Двухполюсный переключатель позволяет подавать на клеммы диода прямое и обратное напряжение.

Для снятия статических характеристик транзистора электрическая цепь собирается по схеме, показанной на рис. 10. Эта схема имеет две цепи: цепь эмиттера и коллектора.

В схеме используется транзистор типа р-n-р. Поэтому на эмиттер подается положительный, а на коллектор отрицательный потенциал по сравнению с базой.

Вольтметр и потенциометр Пэ в цепи эмиттера имеют меньшие пределы измерения и сопротивления, чем аналогичные приборы в цепи коллектора.

Выполнение работы

1. Собрать цепь по схеме (см. рис. 9) и с разрешения лаборанта подключить источник тока. Диод должен быть подключен к источнику тока в прямом направлении.

2. Изменяя потенциометром напряжение через 0,5 В, записать соответствующие значения тока (всего 5 - 7 измерений).

3. Переключателем подать на диод обратное напряжение, а затем уменьшить пределы измерения миллиамперметра, т.е. увеличить его чувствительность.

4. Увеличивая обратное напряжение от 0 через 0,1 В, отметить соответствующие значения тока (5 - 7 измерений).

5. Данные измерений и вычислений занести в табл. 1.

Таблица 1

Прямое включение			Обратное включение			К
В	mA	кОм	В	mA	кОм

2. Построить график зависимости прямого и обратного тока от напряжения.

3. Определить сопротивление р-n-перехода и коэффициент выпрямления для всех измерений.

4. Сделать вывод относительно изменения R и K с изменением напряжения.

5. Для снятия статических характеристик транзистора собрать цепь согласно схеме (см. рис. 10). Подключить источники тока с разрешения лаборанта.

6. Снять статическую эмиттерную характеристику. Для этого при постоянном U_k определить изменение эмиттерного тока при изменении эмиттерного напряжения от нуля через 0,5 В (5 - 7 измерений).

7. Снять две статические коллекторные характеристики. Для этого, установив эмиттерный ток I_э1, определить изменение коллекторного тока при изменении U_k от нуля через 0,2 В (5 - 7 измерений).

8. Проделать аналогичные измерения при эмиттерном токе I_э2.

9. Данные измерений занести в табл. 2.

Таблица 2

Uk = const		Iэ 1= 3 mA		Iэ2 = 6 mA
Uэ	Iэ	Uк	Iк	Uк	Iк

2. Построить статические характеристики полупроводникового триода, как показано на рис. 11.