- •Механическое движение. Относительность движения. Равномерное и равноускоренное движение.
- •Задача на применение законов сохранения массового числа и электрического заряда.
- •Взаимодействие тел. Сила. Законы динамики Ньютона.
- •Лабораторная работа «Измерение показателя преломления стекла».
- •Импульс тела. Закон сохранения импульса. Проявление закона сохранения импульса в природе и его использование в технике.
- •Задача на определение периода и частоты свободных колебаний в колебательном контуре.
- •Закон всемирного тяготения. Сила тяжести. Вес тела. Невесомость.
- •Задача на применение первого закона термодинамики.
- •Превращение энергии при механических колебаниях. Свободные и вынужденные колебания. Резонанс.
- •Лабораторная работа «Расчет и измерение сопротивления двух параллельно соединенных резисторов»
- •Опытное обоснование положений молекулярно-кинетической теории строения вещества. Масса и размеры молекул.
- •Задача на движение или равновесие частицы в электрическом поле.
- •Идеальный газ. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеального газа Температура и ее измерение. Абсолютная температура.
- •Задача на определение индукции магнитного поля (по закону Ампера или формулы для расчета силы Лоренца).
- •Задача на применение уравнения Эйнштейна для фотоэффекта.
- •Испарение и конденсация. Насыщенные и ненасыщенные пары. Влажность воздуха. Измерение влажности воздуха.
- •Лабораторная работа «Наблюдение дифракции и интерференции света».
- •Кристаллические и аморфные тела. Упругие и пластические деформации твердых тел.
- •Задача на определение показателя преломления прозрачной среды.
- •Внутренняя энергия. Первый закон термодинамики. Применение первого закона термодинамики. Применение первого закона термодинамики к изопроцессам. Адиабатный процесс.
- •Задача на применение закона электромагнитной индукции.
- •Взаимодействие заряженных тел. Закон сохранения электрического заряда.
- •Задача на применение закона сохранения энергии.
- •Конденсаторы. Электроёмкость конденсатора. Применение конденсаторов.
- •Задача на применение уравнения состояния идеального газа.
- •Работа и мощность в цепи постоянного тока. Электродвижущая сила. Закон Ома для полной цепи.
- •Лабораторная работа «Измерение массы тела». Измерение массы тела на рычажных весах
- •Магнитное поле. Действие магнитного поля на электрический заряд и опыты, подтверждающие это действие.
- •Лабораторная работа «Измерение влажности воздуха».
- •Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы.
- •Задача на применение графиков изопроцессов.
- •Электромагнитная индукция. Закон электромагнитной индукции. Правило Ленца.
- •Задача на определение работы газа с помощью графика зависимости давления газа от его объема.
- •Явление самоиндукции. Индуктивность. Электромагнитное поле.
- •Задача на определение модуля Юнга материала, из которого изготовлена проволока.
- •Свободные и вынужденные электромагнитные колебания. Колебательный контур и превращение энергии при электромагнитных колебаниях.
- •Задача на применение закона Джоуля-Ленца.
- •Электромагнитные волны и их свойства. Принципы радиосвязи и примеры их практического использования.
- •Волновые свойства света. Электромагнитная природа света.
- •Задача на применение закона Кулона.
- •Опыты Резердорфа по рассеянию α-частиц. Ядерная модель атома. Квантовые постулаты Бора.
- •Задача на расчет удельного сопротивления материала, из которого изготовлен проводник.
- •Испускание и поглощения света атомами. Спектральный анализ и его применение.
- •Фотоэффект и его законы. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Применение фотоэффекта в технике.
- •Задача на применение закона сохранения импульса.
- •Состав ядра атома. Изотопы. Энергия связи ядра атома. Цепная ядерная реакция. Условия ее протекания. Термоядерные реакции.
- •Радиоактивность. Виды радиоактивных излучений и методы их регистрации. Биологическое действие ионизирующих излучений.
- •Лабораторная работа «Оценка массы воздуха в классной комнате при помощи необходимых измерений и расчетов».
Лабораторная работа «Измерение влажности воздуха».
Выполнение работы
Психрометр
1. Сухой термометр
2. Влажный термометр
3. Психрометрическая таблица
tc = 200С tвп = 160С
Δt = 200C- 160C=40C
φ=98% - относительная влажность воздуха
Вывод: Научились определять влажность воздуха.
Билет №16.
Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы.
Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5—2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов связанных электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном — «дырки». Внешне этот процесс хаотического перемещения связанных электронов воспринимается как перемещение положительного заряда. При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости.
В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается.
На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей, чем у кристалла, валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуются дополнительные свободные электроны. Именно поэтому примесь называется донорной. Преобладает электронная проводимость, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей, чем у кристалла валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Преобладает «дырочная» проводимость, а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р—n-перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».
р—n-Контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р—n-контакт будет проводить ток, электроны из n-области пойдут в p-область, а «дырки» из p-области в n-область (рис. 22). В первом случае ток не равен нулю, во втором — ток равен нулю. Это означает, что если к р-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет.
Полупроводниковый диод состоит из контакта двух полупроводников р- и n-типа. Полупроводниковые диоды имеют небольшие размеры и массу, длительный срок службы, высокую механическую прочность, высокий коэффициент полезного действия; их недостатком является зависимость сопротивления от температуры.
В радиоэлектронике применяется также еще один полупроводниковый прибор: транзистор, который был изобретен в 1948 г. В основе триода лежит не один, а два р—n-перехода. Основное применение транзистора — это использование его в качестве усилителя слабых сигналов по току и напряжению, а полупроводниковый диод применяется в качестве выпрямителя тока.
После открытия транзистора наступил качественно новый этап развития электроники — микроэлектроники, поднявший на качественно иную ступень развитие электронной техники, систем связи, автоматики. Микроэлектроника занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа взаимосвязанных компонентов — транзисторов, диодов, резисторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. В результате этого процесса на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, конденсаторов, резисторов и диодов, до 3500 элементов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. Микропроцессор современной ЭВМ, размещенный на. кристалле кремния размером 6x6 мм, содержит несколько десятков или даже сотен тысяч транзисторов.
Однако в технике применяются также полупроводниковые приборы без р—n-перехода. Например, терморезисторы (для измерения температуры), фоторезисторы (в фотореле, аварийных выключателях, в дистанционных управлениях телевизорами и видеомагнитофонами) .